NiFeLDH/Mo4/3B2-xTz/NF复合材料的合成方法及其用途

    公开(公告)号:CN119615222A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202311223504.5

    申请日:2023-09-14

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 该发明专利名称为:“NiFeLDH/Mo4/3B2‑xTz/NF复合材料的合成方法及其用途”(NiFeLDH为镍铁层型氢氧化物,NF为泡沫镍,T为末端原子,成分为‑F和‑OH),所属领域:电催化剂制备与应用。本发明通过静电吸附法结合电沉积法成功制备出无粘合剂NiFeLDH/Mo4/3B2‑xTz/NF复合材料,这种材料将新型二维材料Mo4/3B2‑xTz和NiFeLDH结合起来,实现性能的提升,该电极在碱性条件下表现出优秀的析氧电催化性能,在1M KOH的碱性条件下,在100mA/cm2的电流密度下过电位为255mV,具有很好的应用前景。本发明公开了这种复合材料的制法及用途。

    钾掺杂的铯铅卤荧光复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117660003A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202211077007.4

    申请日:2022-08-30

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 该发明专利的名称为:钾掺杂的铯铅卤荧光复合材料及其制备方法,所属技术领域为:新的复合荧光材料与合成方法。具体地说,通过微波水相蒸发结晶法合成钾掺杂的铯铅卤微纳粉体荧光复合材料。在实验中以溴化铯、溴化铅、卤化钾为原料,以水为溶剂,通过减少溴化铅的含量,钾的卤化物促进溴化铅溶解,并快速微波水相合成此复合材料;通过改变组分得到具有不同发射波长和量子产率的荧光材料,如:(CsBr)4(PbBr2)x(KBr)18(x=0.1‑0.6)和(CsBr)4(PbBr2)0.1(KBr)x(x=1.8‑36)绿光材料,(CsBr)4(PbBr2)0.1(KCl)x(x=0.1‑13.5)蓝光材料,(CsBr)4(PbBr2)0.1(KI)13.5黄光材料,(CsBr)4(PbBr2)0.1(KI)x(x=18‑36)红光材料等。这些材料稳定性好、PLQY(%)高,具有良好的应用前景。这种制备方法简单易行,容易工业化,本发明公开了这些材料及其制法。

    Cs4PbBr6及其类似物纳米晶和制备方法

    公开(公告)号:CN113636588A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202010347121.9

    申请日:2020-04-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 该发明专利的名称为:Cs4PbBr6及其类似物纳米晶和制备方法。所属技术领域为:荧光纳米材料与合成方法。具体地说,用CsBr和PbBr2为原料(摩尔比4∶1),用挥发性有机溶剂为助剂,室温固相研磨(或球磨)获得Cs4PbBr6绿色荧光纳米晶。然后调节CsBr和PbBr2摩尔比,按同样方法合成出Cs4PbBr6的缺铅类似物Cs4PbxBr4+2x(x=1/2,1/4,1/8,1/16,1/32),发现x=1/2,1/4的样品的荧光强度远超过Cs4PbBr6本身。以CsBr和PbBr2摩尔比4∶1/4为基础,添加KBr,按同样方法合成Cs4KyPb0.25Br4.5+y(y=1/2,1/4,1/8,1/16)等类似物,发现y=1/2,1/4,1/8的产品荧光强度高于Cs4Pb0.25Br4.5。这些纳米晶为20‑50nm形状不规则的颗粒,发光强度高(510‑525nm),稳定性好,具有很好的应用前景。这种制备方法容易工业化。本发明公开了这些材料及其制法。

    Ni2+掺杂的Na2Ti6O13纳米管材料的合成方法及其在钠离子电池中的应用

    公开(公告)号:CN119627060A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202311223620.7

    申请日:2023-09-14

    Applicant: 南京大学

    Abstract: Ni2+掺杂的Na2Ti6O13纳米管材料的合成方法及其在钠离子电池中的应用,所属领域:钠离子电池负极材料。本发明通过水热、超声法相结合的方法合成Ni2+掺杂的Na2Ti6O13纳米管材料,该材料运用于钠离子电池半电池中,其比容量以及倍率性能较未掺杂的Na2Ti6O13纳米管得到了十分明显的提升,以及其相对于前人研究的较小的钠离子嵌入/脱出电压,对应用于全电池将有更高的能量密度,具有较好的市场应用前景。本发明公开了这种材料的制法及用途。

    NiS-CoS-Co-Ni微米绣球花的合成方法及其用途

    公开(公告)号:CN118932442A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202310559521.X

    申请日:2023-05-10

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 该发明专利名称为:“NiS‑CoS‑Co‑Ni微米绣球花的合成方法及其用途”,所属领域:电催化剂制备与应用。本发明通过一步电沉积法在泡沫镍(NF)上电镀NiS‑CoS‑Co‑Ni微米绣球花,形成NiS‑CoS‑Co‑Ni/NF复合材料电极,该绣球花直径约为0.3~1.5μm,花瓣由大约5nm厚的纳米纸组成,该电极在碱性条件下表现出优良的析氢、析氧的电催化的双功能,具有很好的应用前景。本发明公开了这种复合材料绣球花的制法及用途。

    碘化钾掺杂的铯铅碘/PMMA荧光复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN118480343A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202310134732.9

    申请日:2023-02-13

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 该发明专利的名称为:碘化钾掺杂的铯铅碘/PMMA复合荧光材料及其制备方法,所属技术领域为:无机有机复合荧光材料与合成方法。具体地说,通过微波水相蒸发结晶法合成碘化钾掺杂的铯铅碘微纳粉体荧光复合材料。在实验中以碘化铯、碘化铅、碘化钾为原料,以水为溶剂,通过减少碘化铅的含量,碘化钾水溶液促进碘化铅溶解,快速微波水相合成此材料;通过调节组分得到具有在465纳米波长光激发下,发射波长为680纳米左右的红色荧光材料,如:(CsI)4(PbI2)0.1(KI)9.(CsI)4(PbI2)0.1(KI)18,(CsI)4(PbI2)0.1(KI)27,(CsI)4(PbI2)0.1(KI)36.这些红光材料量子产率都在55%以上,再将上述材料与PMMA复合成膜后荧光量子产率达到85%以上,且这些材料稳定性很好,具有良好的应用前景。这种制备方法简单易行,容易工业化,本发明公开了这些材料及其制法。

    溴化钾掺杂的溴铅铯/PMMA复合荧光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117946672A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202211366324.8

    申请日:2022-10-31

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 该发明专利的名称为:溴化钾掺杂的溴铅铯/PMMA复合荧光材料及其制备方法。所属技术领域为:荧光复合材料与制备方法。具体地说,通过微波水相法合成溴化钾掺杂的溴铅铯微粉与PMMA复合,形成荧光复合材料。实验以溴化铯、溴化铅为主原料,溴化钾为掺杂剂,以水为溶剂,快速微波水相合成具有良好绿光发射的荧光微粉,然后把它们与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)均匀混合,形成复合材料,发现荧光量子产率显著增强,稳定性好,具有很好的应用前景。这种制备方法容易工业化。本发明公开了这些材料及其制法。

    纳米Ag修饰海胆状多孔碱式碳酸钴复合材料及其制法

    公开(公告)号:CN113546642B

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202010341136.4

    申请日:2020-04-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 该发明专利的名称为:“纳米Ag修饰海胆状多孔碱式碳酸钴复合材料及其制法”。具体地说,是用纳米Ag为晶种,以硝酸亚钴(等可溶性亚钴盐)、尿素等为原料,水乙醇联合溶剂热合成纳米Ag修饰海胆状多孔碱式碳酸钴纳米复合材料。它为Ag纳米颗粒(20‑25nm)锚固在多孔CCHH纳米棒上(直径大约25‑80nm,长2‑3微米),这些纳米棒构成海胆状的微球(直径约5微米)。这种材料是一种很好的碱性条件下电解水的阳极催化剂,性能超过商用RuO2,价格低廉,稳定性好,具有很好的应用前景。本发明公开了这种材料及其制法。

    ZrS3纳米带薄膜的柔性光探测器

    公开(公告)号:CN104091845A

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201410309165.7

    申请日:2014-06-25

    Applicant: 南京大学

    Inventor: 吴兴才 陶友荣

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/032 H01L31/09 H01L31/1896

    Abstract: 本发明通过气运传输法制备ZrS3纳米带薄膜,用胶带粘帖转移法实现该薄膜向柔性基底转移如PP,PET和纸等薄的柔性基底,用简易的掩膜覆盖,然后在薄膜上蒸镀两个导电电极如Ti/Au或Au等,移去掩膜后在ZrS3纳米带薄膜上留下分立的电极即构成简易的从紫外到近红外的光探测器。实验表明性能良好可靠。本发明公开了其材料和该探测器的加工方法。

    ZrS3和ZrS2纳米带及其制法
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101311381A

    公开(公告)日:2008-11-26

    申请号:CN200810019774.3

    申请日:2008-03-14

    Applicant: 南京大学

    Abstract: ZrS3纳米带,它为单斜晶系的、厚度为40-160nm、宽度为80-1500nm、长度为几十微米的ZrS3纳米带。ZrS2纳米带是ZrS3纳米带真空热解得到的,它为六方晶系,形貌与大小几乎与ZrS3的一致。本发明公开了其制法。

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