公开(公告)号：CN101123295A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710131466.5

申请日：2007-08-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘治国 ,  陈亮 ,  尹奎波 ,  国洪轩 ,  殷江

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  C22C45/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/22

Abstract: 本发明公开了一种非晶态薄膜相变记忆材料Ag1－x－yGexSey(0.1＜x＜0.3，0.38＜y＜0.60，其中x，y为原子比，简称AGS)的制备。基于其电阻开关效应设计和制备了一种非挥发相变存储器件。该器件单元总共有5层，在衬底(1)表面沉积一层非反应电极(2铂或高导硅)，在非反应电极(2)上沉积一层绝缘阻隔层(3二氧化硅)，并在其中部刻蚀一个微孔，微孔直径大小决定元件尺寸，在绝缘层(3)上再沉积一层AGS薄膜(4)，最后在其表面沉积一层反应电极(5银)。该相变存储单元具有体积小、结构简单、非挥发、可快速读写、工作电压低、低能耗、可读写次数高、非破坏性读出等优点。