公开(公告)号：CN103219381A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310015376.5

申请日：2013-01-16

Applicant: 南京大学 ,  常州子睦半导体有限公司

Inventor： 赵毅 ,  孙家宝 ,  施毅 ,  赵杰 ,  董晓宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种锗基三栅器件及其制造方法，该锗基三栅器件主要包括四个功能层：绝缘层上的锗（GOI）基底、氧化锗过渡层、栅极介质层、栅电极层。其中经过臭氧后氧化工艺实现的高质量超薄氧化锗过渡层和经过臭氧后氧化改善的高质量栅极介质层是实现高性能的关键层，通过牺牲氧化工艺去除锗体表面质量较差（表面粗糙度大、杂质含量高）的锗是实现高性能的关键步骤。制造过程主要包括在绝缘层上的锗（GOI）基底上沉积并刻蚀制作各功能层。本发明具有较高的效率和较低的耗电量，且制造方法简单，适于广泛应用到实际生产中。

公开(公告)号：CN103022071A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210538715.3

申请日：2012-12-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 赵毅 ,  施毅 ,  叶向东

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14

CPC classification number: H01L27/222

Abstract: 本发明一种柔性存储器，包括两个柔性基底，在柔性基底上方依次设有柔性霍尔器件层、粘结层、柔性位导线层、粘结层、柔性字导线层、粘结层、柔性基底；所述的柔性霍尔器件层上的霍尔器件为有磁滞效应的记忆型器件。最后封装形成柔性磁随机存储器。柔性基底为聚碳酸酯，PC、聚二甲基硅氧烷或硅橡胶PDMS膜，柔性霍尔器件层是二氧化硅硅片上淀积铁铂合金霍尔器件；粘结层采用带有溶剂的聚甲基丙烯酸甲酯加热使溶剂挥发包覆霍尔器件层的PMMA固化膜。