公开(公告)号：CN100591614C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200610040806.9

申请日：2006-07-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  陈杰智 ,  濮林 ,  郑有炓 ,  龙世兵 ,  刘明

IPC: B82B3/00

Abstract: 基于干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备硅纳米结构的方法，以(001)晶向的普通硅片或SOI材料为衬底；表面淀积一层绝缘层作为掩膜；电子束直写工艺或光学光刻在表面的电子束抗蚀剂或光刻胶上制备纳米细线条结构；显影后进行干法刻蚀，将版图图形转移到表层硅上；湿法去胶(硫酸加双氧水)，再对表层硅进行各向异性湿法腐蚀；通过改变干法刻蚀的刻蚀深度和角度，以及湿法腐蚀的温度和时间制备倒锥度支撑臂和倾斜悬臂梁的纳米结构。

公开(公告)号：CN101041414A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200610040806.9

申请日：2006-07-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  陈杰智 ,  濮林 ,  郑有炓 ,  龙世兵 ,  刘明

IPC: B82B3/00

Abstract: 基于干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备硅纳米结构的方法，以(001)晶向的普通硅片或SOI材料为衬底；表面淀积一层绝缘层作为掩膜；电子束直写工艺或光学光刻在表面的电子束抗蚀剂或光刻胶上制备纳米细线条结构；显影后进行干法刻蚀，将版图图形转移到表层硅上；湿法去胶(硫酸加双氧水)，再对表层硅进行各向异性湿法腐蚀；通过改变干法刻蚀的刻蚀深度和角度，以及湿法腐蚀的温度和时间制备倒锥度支撑臂和倾斜悬臂梁的纳米结构。