一种基于鲁棒低秩稀疏分解的视频前背景分离方法

    公开(公告)号:CN111429475B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202010229250.8

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 本发明公开了一种基于鲁棒低秩稀疏分解的视频前背景分离方法,将待处理视频转化为一个大小为m行,n列的二维矩阵M,m为视频每帧的长宽积,n为视频的帧数;将二维矩阵M输入至预先构建的基于鲁棒低秩稀疏分解的视频前背景分离方法的模型,输出对应于视频背景的低秩矩阵B、对应于视频前景的稀疏矩阵F和噪声矩阵G;所述基于鲁棒低秩稀疏分解的视频前背景分离方法的模型采用广义非凸核范数作为模型的秩函数,采用结构化稀疏诱导范数作为模型的l0范数,并增加噪声项。优点:与传统的视频前背景分离方法比较,鲁棒性好,抗噪声强,对带噪声的视频的前背景分离效果好。

    基于高斯尺度混合和广义核范数的视频前背景分离方法及系统

    公开(公告)号:CN113470062A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110626899.8

    申请日:2021-06-04

    Abstract: 本发明公开了视频处理技术领域的一种基于高斯尺度混合和广义核范数的视频前背景分离方法及系统。包括:采集视频信息;将采集的视频信息输入构建的基于高斯尺度混合和广义核范数的鲁棒主成分分析模型,获取对应的视频前景和视频背景。通过构建基于高斯尺度混合和广义核范数的鲁棒主成分分析模型,采用非凸广义核范数更能有效的逼近传统的鲁棒主成分分析模型中的秩函数,采用高斯尺度混合函数更能有效的描述传统的鲁棒主成分分析模型中的稀疏度函数,从而获取基于高斯尺度混合和广义核范数的鲁棒主成分分析模型,对视频的前背景分离的效果更优,提取的前景更清晰、轮廓更完整等特点。

    一种视频前背景分离方法及系统

    公开(公告)号:CN113470061A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110626157.5

    申请日:2021-06-04

    Abstract: 本发明公开了视频处理技术领域的一种视频前背景分离方法及系统,包括:采集视频信息;将采集的视频信息输入构建的基于鲁棒的高斯尺度混合和广义核范数的鲁棒主成分分析模型,提取对应的视频前景和视频背景。采用高斯尺度混合函数来描述视频中稀疏的前景,并采用逼近度较好的广义核范数来描述视频中低秩的背景,通过将噪声项引入到方法中对自然界中的噪声进行建模,增强该方法抗噪声的鲁棒性,具有视频的前背景分离效果更优,提取的前景更清晰、轮廓更完整、抗噪声能力强等特点;通过将该发明应用到视频前背景分离应用中,证明了本发明公开的基于鲁棒的高斯尺度混合和广义核范数的视频前背景分离方法具有较好的视频前背景分离效果和抗噪声优势。

    一种智能配电箱用防干扰隔断架

    公开(公告)号:CN106848882B

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201710220567.3

    申请日:2017-04-06

    Abstract: 本发明公开了一种智能配电箱用防干扰隔断架,包括底板、安装板、第一横隔板和第二横隔板,所述底板两侧设置有所述安装板,所述安装板上设置有螺纹孔,所述安装板侧面设置有所述第一横隔板,所述第一横隔板下方设置有所述第二横隔板。有益效果在于:本装置通过竖隔板和各个横隔板隔断组成独立的空间,通过调整横隔板之间的距离,能够调整独立空间的大小供智能配电箱的各个数据交换单元使用,且横隔板上设置有屏蔽层,能够防止各个数据交换单元之间的信号干扰,保证了各个数据交换单元之间的独立工作,同时给统一管理与维修带来了便利。

    一种智能配电箱用防干扰隔断架

    公开(公告)号:CN106848882A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710220567.3

    申请日:2017-04-06

    CPC classification number: H02B1/46

    Abstract: 本发明公开了一种智能配电箱用防干扰隔断架,包括底板、安装板、第一横隔板和第二横隔板,所述底板两侧设置有所述安装板,所述安装板上设置有螺纹孔,所述安装板侧面设置有所述第一横隔板,所述第一横隔板下方设置有所述第二横隔板。有益效果在于:本装置通过竖隔板和各个横隔板隔断组成独立的空间,通过调整横隔板之间的距离,能够调整独立空间的大小供智能配电箱的各个数据交换单元使用,且横隔板上设置有屏蔽层,能够防止各个数据交换单元之间的信号干扰,保证了各个数据交换单元之间的独立工作,同时给统一管理与维修带来了便利。

    一种半导体芯片制造用蚀刻装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN110416133B

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN201910799299.4

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片制造用蚀刻装置及其使用方法,包括支撑机构、运输机构、印刷机构、供气机构和反应机构;运输机构与所述支撑机构相连,用于驱动待刻蚀电路板沿着预设的轨迹运动;所述印刷机构、供气机构和反应机构顺次设置,三者均设于所述运输机构的上方,所述供气机构的输出端与所述反应机构的输入端相连,当电路板运动至反应机构下方时,供气机构向反应机构提供高压气体,所述反应机构向电路板吹气。本发明利用运输机构带动电路板沿着预设轨迹运动,首先利用印刷机构对电路板进行印刷,然后利用供气机构为反应机构提供高压气体,当电路板运动至反应机构处时,利用高压气体对电路板进行清洁,避免了反应液的过渡蚀刻,大大提高了良品率。

    一种基于改进的截断核范数的鲁棒主成分分析方法

    公开(公告)号:CN111563547A

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN202010360553.3

    申请日:2020-04-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于改进的截断核范数的鲁棒主成分分析方法,获取视频信息,转化为一个大小为m行,n列的二维矩阵M,二维矩阵M输入至预先构建的改进的截断核范数的鲁棒主成分分析模型,输出视频信息的前景和背景;所述改进的截断核范数的鲁棒主成分分析模型采用非凸γ范数来替代传统截断核范数模型中的核范数。优点:本发明采用γ范数替代传统的截断核范数模型中的核范数,增强了对传统鲁棒主成分分析模型的逼近度,提高了视频前景和背景分离的效果。

    一种改进的非凸鲁棒主成分分析方法

    公开(公告)号:CN111428795A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN202010229248.0

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 本发明公开了一种改进的非凸鲁棒主成分分析方法,将待处理视频转化为一个大小为m行,n列的二维矩阵D;将二维矩阵D输入至预先构建的改进的非凸鲁棒主成分分析方法的模型,输出为对应于视频背景的低秩矩阵B和对应于视频前景的稀疏矩阵F,所述改进的非凸鲁棒主成分分析方法的模型采用广义非凸核范数作为模型的秩函数,采用结构化稀疏范数作为模型中的l0范数。优点:本发明能够更好的逼近传统鲁棒主成分分析方法中的秩函数,提高了鲁棒主成分分析方法在视频的前背景分离中的效果;引入结构化稀疏范数,为视频的前景建立了结构化的稀疏模型,极大的丰富了模型的结构化信息,提高了鲁棒主成分分析方法对光照、波动等因素影响的视频的前背景分离的效果。

    一种电子制造用校对式点胶装置

    公开(公告)号:CN110420809A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201910782706.0

    申请日:2019-08-23

    Abstract: 本发明公开一种电子制造用校对式点胶装置,包括:固定机构,所述固定机构具有底座;控制机构;进给机构,所述进给机构具有载物台和第二活动块;以及点胶机构,具有设于所述第二活动块上的点胶阀和用于校准所述点胶阀与工件位置的校准器,所述校准器固设于所述点胶阀的一侧;所述进给机构能够在所述控制机构的控制下驱动所述第二活动块相对所述载物台在空间内移动,所述点胶机构能够在所述控制机构的驱动下进行点胶操作。本发明通过红外测距传感器发射的红外线照射到电子元件上,从而实现对电子元件的位置进行快捷校对,提高了点胶的精度,同时也便于调节点胶阀与电子元件之间的距离。

    一种半导体芯片制造用蚀刻装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN110416133A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910799299.4

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片制造用蚀刻装置及其使用方法,包括支撑机构、运输机构、印刷机构、供气机构和反应机构;运输机构与所述支撑机构相连,用于驱动待刻蚀电路板沿着预设的轨迹运动;所述印刷机构、供气机构和反应机构顺次设置,三者均设于所述运输机构的上方,所述供气机构的输出端与所述反应机构的输入端相连,当电路板运动至反应机构下方时,供气机构向反应机构提供高压气体,所述反应机构向电路板吹气。本发明利用运输机构带动电路板沿着预设轨迹运动,首先利用印刷机构对电路板进行印刷,然后利用供气机构为反应机构提供高压气体,当电路板运动至反应机构处时,利用高压气体对电路板进行清洁,避免了反应液的过渡蚀刻,大大提高了良品率。

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