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公开(公告)号：CN111081793A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911338960.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十八研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/07 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种含有CuS疏水层的GaAs太阳电池及其制备方法。其结构由下至上依次为的Au底电极、GaAs衬底、CuS疏水层、石墨烯层和银浆顶电极。本发明还公开了以上含有CuS疏水层的GaAs太阳电池的制备方法。一方CuS具有较好的疏水性，可以防止GaAs与水的接触，减少石墨烯在转移过程中引入的缺陷数量，提高载流子的寿命。另一方面，CuS具有较高的空穴迁移能力，同时对电子的运输起到一定的阻挡作用，这样有利于将光生的空穴和电子分开，减少光生电流的损失，提高电池的开路电压。本发明的GaAs太阳电池，不仅制备工艺简单，器件缺陷密度低，电池制备成本较低，而且光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN107189102B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201710497838.X
申请日：2017-06-27
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种杂化填料负载型防老剂及其制备方法与应用。该方法包含如下步骤：（1）将杂化填料与硅烷偶联剂混合，在70~90℃下搅拌反应10～24h，干燥后得中间产物；（2）将步骤（1）的中间产物与N‑苯基对苯二胺（RT）混合，在50～70℃下搅拌反应8～12h，干燥后得杂化填料负载型防老剂。该杂化填料负载型防老剂能明显地降低小分子防老剂在橡胶基体中的挥发迁移现象，比一般的氨类防老剂4010NA具有更有效的防老效果，在橡胶领域中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107216486A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710511497.7
申请日：2017-06-27
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: C08K9/02 , C01B33/12 , C08K3/04 , C08K3/36 , C08K2201/011
Abstract: 本发明公开了一种氧化石墨烯表面原位生长二氧化硅的纳米杂化填料及其制备方法。该方法首先将氧化石墨烯超声分散到水和乙醇中，然后加入氨水和催化剂，并缓慢滴加硅源单体，在30‑80℃下搅拌反应2‑8小时，经洗涤、干燥，得到二氧化硅粒子均匀生长在氧化石墨烯表面的纳米杂化填料。该纳米杂化填料表面是由二氧化硅粒子形成的纳米突起，既能阻止氧化石墨烯片层间的堆叠，又能提高杂化填料的比表面积，有望显著改善杂化填料在聚合物基体中的分散状态和聚合物‑杂化填料之间的界面作用。因此，本发明在功能化填料和高性能复合材料的制备领域均具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN107189102A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710497838.X
申请日：2017-06-27
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种杂化填料负载型防老剂及其制备方法与应用。该方法包含如下步骤：（1）将杂化填料与硅烷偶联剂混合，在70~90℃下搅拌反应10～24h，干燥后得中间产物；（2）将步骤（1）的中间产物与N‑苯基对苯二胺（RT）混合，在50～70℃下搅拌反应8～12h，干燥后得杂化填料负载型防老剂。该杂化填料负载型防老剂能明显地降低小分子防老剂在橡胶基体中的挥发迁移现象，比一般的氨类防老剂4010NA具有更有效的防老效果，在橡胶领域中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106496700A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611085040.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: C08L9/06 , C08K9/12 , C08K5/3445
CPC classification number: C08K9/12 , C08K5/3445 , C08L9/06
Abstract: 本发明公开了一种负载型橡胶硫化促进剂及其制备方法与应用。该方法首先采用固相法制备偶联剂改性无机载体，即将偶联剂滴加到无机载体中，在60℃~100℃下搅拌反应2～6小时；再向反应产物中加入橡胶硫化促进剂，在氮气保护和50℃~80℃下反应1~5小时。最后洗涤、真空干燥，即得负载型橡胶硫化促进剂。这种负载型橡胶硫化促进剂对橡胶具有明显的硫化促进作用和补强作用，并兼具界面改性剂等功能，特别是能够降低硫化胶的滚动阻力和生热，在绿色轮胎中有重要的应用前景。同时，还能减少橡胶制品中的助剂在使用过程中的迁移和挥发，是一种高效、多功能、环境友好的橡胶助剂，在橡胶产业中具有重要的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110655035B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN201911007669.2
申请日：2019-10-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: B81B7/04 , B81B1/00 , B81C1/00 , C25B1/04 , C25B11/075 , C25B11/067 , C25B1/55
Abstract: 本发明公开了一种二维MXene功能化的InxGa1‑xN纳米柱及其制备方法与应用。该二维MXene功能化的InxGa1‑xN纳米柱包括衬底、衬底上的MXene层、生长在MXene层上的InxGa1‑xN纳米柱；其中0≤x≤1。本发明采用二维MXene作为衬底与InxGa1‑xN纳米柱之间的功能层，不仅拓宽了衬底的选择范围，降低了成本；还有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗，有利于增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；同时避免了纳米柱在衬底上容易被刻蚀的缺点，提高其光电稳定性。总之，二维MXene功能化的InxGa1‑xN纳米柱在光电解水制氢、光电探测器、太阳能电池中具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN111036263A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911259096.2
申请日：2019-12-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于催化剂领域，具体公开了一种生长在Si衬底上InGaN纳米柱@Ti-Ni纳米粒子复合结构及其制备方法与应用。该复合结构包括Si衬底以及生长在Si衬底上的InGaN纳米柱@Ti-Ni纳米粒子复合材料。本发明制备的Ti-Ni双金属纳米结构助催化剂具有更佳的可调性和协同效应，能增强InGaN纳米柱光生载流子分离与转移效率，提高反应活性位点，显著提高InGaN纳米柱的光电转换效率；同时，该制备方法工艺简单、成本低，为其它半导体复合催化材料的制备提供了一种新型的思路。最后，本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Ti-Ni纳米粒子复合材料，禁带宽度在0.67～3.4eV范围可调，具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。
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公开(公告)号：CN110747506A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911007670.5
申请日：2019-10-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属掺杂的InxGa1-xN纳米柱及其制备方法与应用。该过渡金属掺杂的InxGa1-xN纳米柱包括衬底和生长在衬底上掺杂有过渡金属的InxGa1-xN纳米柱，其中0≤x≤1。本发明采用一种成本低、工艺简单的方法制备高晶体质量的InxGa1-xN纳米柱。在InxGa1-xN纳米柱生长过程中直接进行原位体掺杂，无二次结构设计工艺，降低了因构造异质结等复杂结构所需要的工艺成本，简化了工艺步骤。其次，通过过渡金属掺杂，实现对In组分并入可控，有效提高晶体质量；同时过渡金属引入更深能级，实现对材料电子结构的调控，提高InxGa1-xN纳米柱水分解氧化反应动力学，适用于光电解水产氧。
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公开(公告)号：CN110571289A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910900885.3
申请日：2019-09-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于多孔太阳电池领域，公开了一种InP-石墨烯太阳电池及其制备方法。所述InP-石墨烯太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、InP外延层、TiO2空穴阻挡层、石墨烯层和Al2O3减反射层；围绕Al2O3减反射层设置一圈Ag接触电极，Ag接触电极与石墨烯层接触。本发明在磷化铟上设置二氧化钛空穴阻挡层，利用二氧化钛能带结构以增大光伏元件的载流子迁移率，从而增大少数载流子的寿命，并在二氧化钛上方附加高透光率、载流子传输速率快、功函数较高的石墨烯，利用能级梯度差进一步增大载流子的势能，从而提高磷化铟电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN106279772A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610740697.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种埃洛石纳米管表面原位生长二氧化硅制备杂化填料的方法。该方法首先将埃洛石纳米管分散到溶剂中，然后加入氨水和催化剂，超声分散后，再添加硅源单体，在30-80℃条件下搅拌反应1-10小时，离心过滤，洗涤，倒掉上层清液，烘干，得到杂化填料。与埃洛石纳米管相比，本发明制备的杂化填料的比表面积显著增加，作为填料添加到聚合物中后，表面的二氧化硅在聚合物复合材料的加工过程中不会出现脱落，能够吸附更多的聚合物分子链，显著增强有机/无机界面结合作用，并且杂化填料的不规则表面为进一步功能性表面处理提供了更多的活性基团，在功能化填料和高性能复合材料的制备领域具有潜在的应用价值。
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