公开(公告)号：CN204204907U

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201420644504.2

申请日：2014-10-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  凌嘉辉 ,  杨美娟

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64

Abstract: 本实用新型公开了一种AlSiC复合基板的高性能绝缘层，包括AlSiC复合基板、类钻碳薄膜和氮化铝薄膜，所述类钻碳薄膜沉积在AlSiC复合基板上；所述氮化铝薄膜沉积在类钻碳薄膜上。本实用新型的AlSiC复合基板的高性能绝缘层，具有结构简单、导热性能好、绝缘性能优异的优点。

公开(公告)号：CN203434193U

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201320426346.9

申请日：2013-07-16

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  凌嘉辉 ,  刘玫潭 ,  刘家成

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本实用新型公开了一种用AlSiC复合基板封装的LED，包括表面依次镀有铜膜和银膜的AlSiC复合散热基板、LED光源模块、金线和氧化铝陶瓷边框；所述LED光源模块封装在AlSiC复合散热基板上；所述氧化铝陶瓷边框设于LED光源模块外侧，与LED光源模块粘接；所述氧化铝陶瓷边框上镀有两个铜膜电极，两个铜膜电极分别通过金线与LED光源模块的正、负极连接。本实用新型的LED，AlSiC复合基板与LED芯片材料热膨胀系数相匹配，板上封装的LED芯片不易脱落，提高了LED的使用寿命。

公开(公告)号：CN203367355U

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201320426347.3

申请日：2013-07-16

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  凌嘉辉 ,  刘玫潭 ,  刘家成

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本实用新型公开了一种基于AlSiC复合基板封装的LED，包括镀有AlN绝缘层的AlSiC复合散热基板、两个铜膜电极、LED芯片和金线，所述LED芯片封装在所述镀有AlN绝缘层的AlSiC复合散热基板上；两个铜膜电极镀于AlN绝缘层上，分别通过金线与LED芯片的正、负极连接。本实用新型的基于AlSiC复合基板封装的LED，结构简单、散热性能好，使用寿命长。

公开(公告)号：CN203503711U

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201320572485.2

申请日：2013-09-16

Applicant: 惠州雷士光电科技有限公司 ,  华南理工大学

Inventor： 洪晓松 ,  李国强 ,  张成良 ,  刘玫潭 ,  凌嘉辉

IPC: H01L33/64

Abstract: 本实用新型公开了一种覆铜AlSiC复合散热基板，其AlSiC基板和附着在AlSiC基板上的铜层，所述铜层与AlSiC基板之间形成有铜铝尖晶石共晶界面。本实用新型的覆铜AlSiC复合散热基板的结构简单、散热性能好，可解决散热基板与芯片材料热膨胀不匹配的问题，使板上封装的LED芯片不易脱落，提高了LED的使用寿命，适用于低成本大功率LED的制造。

公开(公告)号：CN203470882U

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201320634462.X

申请日：2013-10-15

Applicant: 惠州雷士光电科技有限公司 ,  华南理工大学

Inventor： 洪晓松 ,  李国强 ,  张成良 ,  凌嘉辉 ,  柴伟伟

IPC: B22D23/04

Abstract: 本实用新型涉及一种浸渗炉。该浸渗炉包括可相互扣合在一起并使内部容纳空间呈密闭状态的腔体和顶盖，在腔体的下容纳空间内设置有一用于承载金属液的升降台，在腔体的上容纳空间内设置一用于承载预制件的工件篮，所述工件篮上设置有多条用于导通金属液和预制件的金属液浸渗管。本实用新型浸渗炉通过在内部腔体里设置一用于承载多个预制件的工件篮，使得预制件的渗透工艺能够在完全封闭的状态下进行，有效避免了工作过程中空气的进入，有效提供预制件浸透工艺的合格率和可靠性；且相对于现有技术，本实用新型浸渗炉不但能有效提高预制件制备的产量，有效减少设备的成本，且结构更加简单，更有益于设备的更换。