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公开(公告)号：CN115799085A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211426344.X
申请日：2022-11-15
Abstract: 本发明公开了一种绝缘灌封方法及功率半导体器件，该方法包括：在待灌封样品表面形成涂覆层；在待灌封样品形成涂覆层的表面进行第一层灌封，第一层灌封包括第一灌胶和第一脱气处理，第一脱气处理包括多次真空和正压处理；在待灌封样品进行第一层灌封后的表面进行第二层灌封。通过实施本发明，对待灌封样品构建了三道保护防线，其中，形成的涂覆层能够降低局放起始电压，第一层灌封能够对待灌封样品进行绝缘保护，第二层灌封起到支撑和导热作用，同时能够更好的隔绝外部环境水汽，提高器件可靠性。并且，在进行第一层灌封时，第一脱气处理采用真空和正压反复处理，能够通过改变气体的逃逸系数，促使气泡排除/破裂，从而实现无缺陷灌封。
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公开(公告)号：CN117438382A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311491470.8
申请日：2023-11-10
Abstract: 一种绝缘调控结构及其制造方法，所述结构包括复合绝缘涂层、高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板；所述复合绝缘涂层为多层结构；所述高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板连接在一起，芯片电气连接通过引线键合、铜夹等工艺实现；所述覆铜陶瓷板为三明治结构，由上覆铜层、下覆铜层与中间陶瓷层连接制备。所述方法包括复合绝缘涂层的涂覆；实施外壳顶盖的安装与端子折弯工艺，完成器件制备。本发明优化封装结构电应力集中区域电场强度，提高器件绝缘特性，解决高压功率器件封装绝缘问题。
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公开(公告)号：CN117116864A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310325506.9
申请日：2023-03-29
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/12 , H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/492
Abstract: 一种弹性压接封装结构，包括第一电极板、芯片、弹性组件和第二电极板，弹性组件包括一体成型且依次连接的第一导电段、弹性伸缩段和第二导电段，第一电极板通过芯片与第一导电段电性连接，第二导电段与第二电极板电性连接。本发明提供的弹性压接封装结构取消碟簧杆和弹簧外框架，将多个弹性部件如碟簧片和弹簧帽进行一体化设计，简化了弹性组件的结构且缩小了弹性组件的体积。同时，整个弹性组件结构采用高热导率材料，较现有弹性组件可明显提高该热流路径上的散热能力。
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公开(公告)号：CN115790934A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211439668.7
申请日：2022-11-17
Abstract: 本发明公开了一种压接型功率半导体器件压力分布测试装置及测试方法，该装置包括：基座，用于和待测器件连接，保持待测器件的正常工作；压力测量装置，测量施加在待测器件的整体压力值；超声波发射接收传感器，测量待测器件内部每个芯片的相对压力；处理器，用于接收整体压力值和相对压力，获取待测器件内部每个芯片压力值。通过设置基座，为待测器件提供通流能力，还可以作为待测器件进行压力测试时的物理载体；设置超声波发射接收传感器以及压力测量装置实现了芯片相对压力以及器件整体压力的测量；设置处理器计算得到待测器件内部每个芯片压力值。解决了现有技术中无法对工作状态下压接型功率半导体器件内部芯片压力进行准确测试的问题。
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公开(公告)号：CN115621232B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211405492.3
申请日：2022-11-10
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L23/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块。功率半导体器件封装结构包括：第一压接电极模块、功率芯片、第二压接电极模块、衬板和弹性电极；衬板设置于第一电极一侧表面，绝缘板与功率芯片位于第一电极相同一侧表面；芯片第二电极和芯片第三电极分别电性连接至不同的衬板；弹性电极一端适于弹性连接衬板中的一个，另一端连接器件第二电极或器件第三电极；弹性电极适于沿第二压接电极模块向第一压接电极模块的方向弹性伸缩；第一压接电极模块和第二压接电极模块适于通过施加外力相向运动，通过弹性电极的弹性形变实现与功率芯片的电性导通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115910985A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211405522.0
申请日：2022-11-10
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/24 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：栅极PCB板和多个并联的子模组，每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端，栅极PCB板包括驱动连接单元，栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极；栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点，多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接，流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明，使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致，实现了栅极寄生参数均衡化，从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力，提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升，能够在增加并联子模组的同时，提升其安全可靠性。
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公开(公告)号：CN115910935A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211330318.7
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网江西省电力有限公司 , 国网江西省电力有限公司吉安供电分公司
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件绝缘封装结构及绝缘封装方法，功率半导体器件绝缘封装结构包括：导电底板；位于导电底板一侧的绝缘层；位于绝缘层背离导电底板的一侧表面的导电层；位于导电底板的一侧表面的壳体，壳体与导电底板形成容置空间，功率半导体器件、绝缘层以及导电层均位于容置空间内；填充容置空间的绝缘填充介质，绝缘层与绝缘填充介质的接触区域的介电常数与绝缘填充介质的介电常数的差值为0～1，介电常数的差异较小能够改善电场分布，从而避免了由于接触位置的电场集中而发生局部放电，降低了绝缘层被击穿的风险，提高了功率半导体器件绝缘封装结构的绝缘性。
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公开(公告)号：CN115621232A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211405492.3
申请日：2022-11-10
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L23/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块。功率半导体器件封装结构包括：第一压接电极模块、功率芯片、第二压接电极模块、衬板和弹性电极；衬板设置于第一电极一侧表面，绝缘板与功率芯片位于第一电极相同一侧表面；芯片第二电极和芯片第三电极分别电性连接至不同的衬板；弹性电极一端适于弹性连接衬板中的一个，另一端连接器件第二电极或器件第三电极；弹性电极适于沿第二压接电极模块向第一压接电极模块的方向弹性伸缩；第一压接电极模块和第二压接电极模块适于通过施加外力相向运动，通过弹性电极的弹性形变实现与功率芯片的电性导通。
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公开(公告)号：CN115497917A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210935220.8
申请日：2022-08-05
IPC: H01L23/538 , H01L23/62 , H01L23/64 , H01L25/07
Abstract: 本发明涉及高压碳化硅芯片封装技术领域，具体涉及一种碳化硅芯片封装结构，包括：芯片本体，包括层叠设置的第一子芯片和第二子芯片，第一子芯片与第二子芯片之间设有芯片绝缘层，第一子芯片与第二子芯片之间串联，芯片导电件贯穿芯片绝缘层设置；印刷线路层，平行设于芯片本体的一侧，第一子芯片与印刷线路层之间连接有发射极引出端子；复合绝缘层，平行设于芯片本体背离印刷线路层的一侧，复合绝缘层朝向芯片本体的一面设有复合导电层，第二子芯片与复合导电层之间电气连接。针对碳化硅芯片高绝缘、低感封装需求采用芯片绝缘板实现中低压碳化硅芯片的串联，串联后的芯片器件能够提高器件整体电压水平，从而实现利用现有低压芯片进行高压封装。
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公开(公告)号：CN119793269A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510011262.6
申请日：2025-01-03
Applicant: 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 华北电力大学
IPC: B01F27/90 , B01F27/072 , B01F27/054 , B01F35/80 , H01M10/0565
Abstract: 本发明属于电池制备技术领域，且公开了一种高性能电池固态电解质制备装置，包括制备罐，所述制备罐的外壁设置有下料机构，所述制备罐的顶端外壁固定连接有固定板，所述制备罐的顶端外壁固定连接有支撑板，所述制备罐的内壁设置有搅拌机构；所述搅拌机构包括电机，所述电机的输出轴固定连接有转杆，所述转杆的内壁通过复位弹簧弹性连接有移动杆，所述移动杆的外壁固定连接有把手，所述转杆的外壁固定连接有连接块，所述连接块的外壁卡接有安装块；本发明通过设置移动杆和安装块等结构的配合，可方便快捷的完成搅拌叶的安装，进而便利了对搅拌叶拆卸安装的过程，不需要通过多次转动螺栓进行操作，更加省时省力。
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