公开(公告)号：CN214011423U

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202023065025.X

申请日：2020-12-18

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 邓二平 ,  王延浩 ,  赵雨山 ,  黄永章

IPC: G01R31/26

Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT器件的多应力作用测试系统。所述系统包括：直流电流源、电流测试支路开关、直流电压源、电压测试支路开关和多个并联的测试支路；测试支路包括测量电流支路和被测器件支路；测量电流支路包括串联的测量电流源和测量电流开关；被测器件支路包括多个被测IGBT器件，相邻两个被测IGBT器件通过串并联转换电路连接；各测试支路均通过一个电流测试支路开关与直流电流源连接；各测试支路均通过一个电压测试支路开关与直流电压源连接。本实用新型解决了测试准确性低、金钱成本高、时间成本高的问题。

公开(公告)号：CN212622913U

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202020917871.0

申请日：2020-05-27

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 邓二平 ,  张一鸣 ,  郭佳奇 ,  陈杰 ,  赵雨山 ,  赵志斌 ,  崔翔

IPC: G01R31/26

Abstract: 本实用新型涉及一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统。压接型功率半导体器件，将每一半导体芯片的栅极分别连接于PCB板的接口端子上，以便于对压接型功率半导体器件中的每一半导体芯片的结温进行测量，进而提高温度分布测量的准确性。压接型功率半导体器件的温度分布测量系统，通过采用时序驱动电路使得待测压接型功率半导体器件进行周期开断，以模拟压接型功率半导体器件在不同工况下的发热情况。且通过与测量支路开关的时序配合，能够实现各半导体芯片的结温分布的时序准确测量，突破了现有测量方法仅能获得各半导体芯片平均结温的局限性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利