公开(公告)号：CN103318955B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201310253775.5

申请日：2013-06-24

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 李美成 ,  姜永健 ,  宋丹丹 ,  张志荣 ,  赵兴

IPC: C01G23/053

Abstract: 本发明属于微米材料技术领域，特别涉及一种串状TiO2微米球材料及其制备方法。本发明方法在冰醋酸为溶剂的反应体系中加入钛酸四正丁酯、硝酸银和二氧化钛纳米带进行水热反应，所制备的二氧化钛微米结构由多个层状球串联起来呈现串状结构。此种微米结构形貌均一且有较大的比表面积；由纳米片层结构构成的微米球整齐地包裹到二氧化钛纳米带上，二氧化钛纳米带起到了生长支架的作用。由于二维片层的较大的比表面积和一维纳米带的电子传输特性有效地提高材料的光催化性能；将其应用于染料敏化太阳能电池领域，保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力，同时三维微米球将大大降低表面的缺陷，相对于单纯的P25 TiO2更有益于提高DSSC的开路电压和短路电流。

公开(公告)号：CN103014776B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310009307.3

申请日：2013-01-09

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 李美成 ,  李晓丹 ,  姜永健 ,  赵兴 ,  余航 ,  谷田生

IPC: C25C5/02

Abstract: 本发明属于微米材料制备方法技术领域，特别涉及一种表面修饰的由纳米片层组装的微米银球及其制备方法。本发明采用电化学沉积法，在恒定电压下，在酒石酸-硝酸银电解体系下，制备出了纳米片层组装的微米银球结构并有效的对其进行了表面修饰。微米银球由不同取向的纳米片层相互团聚构成；微米银球表面均自带类似枝状薄片结构的表面修饰物。此方法制备的微米银球带有类似枝状薄片结构的表面修饰物，因而具有表面粗糙度高，比表面积大的特性。较高的表面粗糙度及较大的比表面积使得此结构的微米银球有望运用于拉曼增强、过氧化氢检测、超疏水、光催化及气体吸附等领域。

公开(公告)号：CN103073194A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310008117.X

申请日：2013-01-09

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 李美成 ,  姜永健 ,  余航 ,  李晓丹 ,  余悦 ,  赵兴

IPC: C03C17/23 ,  C01G9/02 ,  B82Y30/00 ,  H01G9/20

CPC classification number: Y02E10/542

Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层复合结构材料的制备方法。本发明的方法采用一步水热反应法，将氧化铝薄片和FTO衬底同时放入高压反应釜中，在反应体系中使ZnNO3.·6H2O和乌洛托品水溶液进行水热反应。反应一段时间后，冷却至室温，得ZnO纳米柱和ZnO纳米片层的复合结构材料。此材料兼具了纳米阵列结构的电子直线传输通道功能, 又提高了光阳极的比表面积，保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力；片层结构直接生长于FTO，提高了光阳极材料和FTO之间的接触能力，更有益于提高DSSC的开路电压和短路电流，在DSSC领域具有广泛的实际应用价值。

公开(公告)号：CN114122510A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111414695.4

申请日：2021-11-25

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 郭永权 ,  赵兴 ,  王心桥

IPC: H01M10/0563

Abstract: 本发明公开了属于电化学材料技术领域的一种用于锂基液态金属电池的四组元无机熔盐电解质。所述电解质的成分和摩尔质量百分比含量为：LiF为7％～40％，LiCl为10％～40％，LiBr为10％～40％，LiI为10％～50％；通过调控LiI与其他成分的用量配合，使电解质的熔点降低至336℃时，密度保持2.3g/cm3～2.4g/cm3。所述电解质拓宽了液态金属电池工作温区至336℃～550℃，降低电池运行成本；克服了电解质熔点降低导致的密度大幅度增加，保证电解质的密度控制在2.2g/cm3～2.4g/cm3正负电极材料密度之间，在熔融状态下能自发形成液态金属电池的三层结构。

公开(公告)号：CN103050378A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210470483.2

申请日：2012-11-19

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 李美成 ,  谷田生 ,  黄睿 ,  赵兴 ,  白帆 ,  余航 ,  宋丹丹 ,  李英峰

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种易于大面积分离的硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料技术和应用技术领域。本发明首先对硅片进行处理，得到表面清洁光滑的硅片；然后将硅片放在两个电极之间，并和电极一起放入刻蚀液中刻蚀反应，得到不同长度的硅纳米线阵列；在刻蚀结束前的10~15min时，加入电场强度为150~220V/cm且垂直于刻蚀方向的横向电场直至反应结束；最后用硝酸去除残留在硅纳米线阵列中的银、用氢氟酸去除硅片表面的氧化层即得到易于大面积分离的硅纳米线阵列。本发明工艺简单、可重复性好、灵活可控、成本低；首次引入外加横向电场制备易于分离的硅纳米线阵列，解决了传统硅纳米线阵列转移中不易分离且转移后长度不均匀的问题。