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公开(公告)号:CN118914306A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202411152566.6
申请日:2024-08-21
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝湿敏传感器及其制备方法,属于传感器技术领域,本发明在硅衬底下表面设置有背面金属电极层,所述硅衬底的氧化硅层上表面设置有多孔氧化铝层,贯穿所述氧化铝层开设有第一通孔;所述多孔氧化铝层上表面设置有ZnO层,所述ZnO层上表面设置有ZnO:Al层,贯穿所述ZnO层和ZnO:Al层开设有第二通孔;所述ZnO:Al层上表面设置有正面金属电极层,所述背面金属电极层和正面金属电极层分别设置有金属焊盘电极。
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公开(公告)号:CN112209335A
公开(公告)日:2021-01-12
申请号:CN202011115685.6
申请日:2020-10-19
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: C01B3/00
Abstract: 本发明涉及储氢材料模拟储氢技术领域,具体来说是一种提高纳米材料储氢性能的方法。具体操作为:先将金属原子Ⅰ与硅烯进行一次结合,得到结合材料,再将金属原子Ⅱ与结合材料进行二次结合得到金属修饰硅烯。本发明通过在硅烯上结合金属以将金属做为催化剂,使混合气体中的杂质气体氧气和氢气反应氧化还原反应生成水,在放氢的过程中从储氢材料当中释放出去,以消除氧气等杂质气体对储氢性能的影响。
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公开(公告)号:CN105954325A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201610277867.0
申请日:2016-04-28
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: G01N27/04
CPC classification number: G01N27/041
Abstract: 一种棒状三氧化钨纳米气敏材料的制备方法,该气敏材料是三氧化钨与三氧化二铋通过热处理而制备得到,反应起始原料中三氧化二铋所占的量为混合物总质量的5.8‑35.8%。本发明原料易得,组分配比容易控制,制备工艺简单易操作。该发明中制备得到的棒状三氧化钨纳米材料具有很高的化学活性,对多数挥发性有机气体有良好的敏感性能,对丙酮的敏感系数高达23.78。
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公开(公告)号:CN104108924B
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201410217681.7
申请日:2014-05-19
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种具有亚铁磁性的材料及其制备方法,制备方法包括:提供Al2O3粉末、CuO粉末和Fe2O3粉末;将所述Al2O3粉末、CuO粉末和Fe2O3粉末按预定比例混合,其中化学计量摩尔比Al∶Cu∶Fe=1∶3∶4;将混合后的粉末研磨预定时间后,在常压空气气氛、700~900℃温度范围内对研磨后的粉末进行烧结形成具有亚铁磁性的AlCu3Fe4O12。本发明采用固相法常压下空气气氛中烧结,工艺简单,低成本,适合于工业化生产。
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公开(公告)号:CN212260685U
公开(公告)日:2021-01-01
申请号:CN202020932695.8
申请日:2020-05-28
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: A43B23/00
Abstract: 本实用新型涉及一种防溅水鞋底贴,包括粘贴层,弹力层,重力层和疏水层,粘贴层和弹力层上表面通过胶粘剂进行连接,所述粘贴层由剥离纸和胶粘剂构成,所述弹力层设置折痕,在伸缩方向上可沿折叠折痕作扇形展开,在鞋跟处展开幅度最大,在鞋底中心处展开幅度最小,所述弹力层下表面与重力层上表面相适应并固定,所述疏水层的上表面与重力层的下表面相适应并固定。本实用新型结构简单,效果显著,原料价廉易得,均可从市场购买,同时也可进行制备,制备方便,使用简单。
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公开(公告)号:CN215218647U
公开(公告)日:2021-12-17
申请号:CN202120704503.2
申请日:2021-04-07
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本实用新型提供一种气敏传感器,用以解决现有的气敏传感器接触电阻高的问题。本实用新型的气敏传感器包括:支撑衬底,呈板状结构;绝缘隔离层,固设于支撑衬底上侧板面上;接触电极,固设于绝缘隔离层的上侧面上,成对设置且成对的两个接触电极相对布置;多孔硅层,设于绝缘隔离层上且将接触电极覆盖;接触电极连接有电极引线结构并用于将电信号导出。将接触电极设置在多孔硅层下方,先在绝缘隔离层上形成接触电极,然后设置多孔硅层,由于绝缘隔离层的性质较为稳定,在其上形成接触电极时不受温度、反应原料的限制,能够沉积更加良好的接触电极,进而使接触电极和多孔硅层形成欧姆接触,降低接触电极和多孔硅层之间的接触电阻。
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