公开(公告)号：CN118914306A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411152566.6

申请日：2024-08-21

Applicant: 华北水利水电大学

Inventor： 高海燕 ,  姜卫粉 ,  张天杰 ,  杨晓辉 ,  贾敏 ,  宋晓燕 ,  王玉生 ,  罗世钧 ,  张巧丽 ,  徐凯

IPC: G01N27/22

Abstract: 本发明公开了一种氧化铝湿敏传感器及其制备方法，属于传感器技术领域，本发明在硅衬底下表面设置有背面金属电极层，所述硅衬底的氧化硅层上表面设置有多孔氧化铝层，贯穿所述氧化铝层开设有第一通孔；所述多孔氧化铝层上表面设置有ZnO层，所述ZnO层上表面设置有ZnO:Al层，贯穿所述ZnO层和ZnO:Al层开设有第二通孔；所述ZnO:Al层上表面设置有正面金属电极层，所述背面金属电极层和正面金属电极层分别设置有金属焊盘电极。

公开(公告)号：CN221078531U

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202322345665.3

申请日：2023-08-30

Applicant: 华北水利水电大学

Inventor： 姜卫粉 ,  张天杰 ,  张巧丽 ,  杨晓辉 ,  贾敏

IPC: G01N27/12

Abstract: 本实用新型涉及传感器技术领域，尤其涉及一种多孔硅气体传感器。一种多孔硅气体传感器，包括硅片和设置在硅片上的多孔硅层，多孔硅层上设有金属电极，多孔硅层和金属电极之间在对应于金属电极下方的区域设有隔层，隔层包括透明导电氧化物层，透明导电氧化物层与多孔硅层直接接触。通过在多孔硅层和金属电极之间设置隔层，利用隔层将金属电极和多孔硅层隔开，金属电极不与多孔硅层直接接触，可避免金属电极的金属元素扩散至多孔硅层中，从而保证多孔硅层的探测性能。

公开(公告)号：CN215218647U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202120704503.2

申请日：2021-04-07

Applicant: 华北水利水电大学

Inventor： 姜卫粉 ,  张天杰 ,  宋晓燕 ,  高海燕 ,  贾敏 ,  杨晓辉 ,  张巧丽 ,  王玉生

IPC: G01N27/12

Abstract: 本实用新型提供一种气敏传感器，用以解决现有的气敏传感器接触电阻高的问题。本实用新型的气敏传感器包括：支撑衬底，呈板状结构；绝缘隔离层，固设于支撑衬底上侧板面上；接触电极，固设于绝缘隔离层的上侧面上，成对设置且成对的两个接触电极相对布置；多孔硅层，设于绝缘隔离层上且将接触电极覆盖；接触电极连接有电极引线结构并用于将电信号导出。将接触电极设置在多孔硅层下方，先在绝缘隔离层上形成接触电极，然后设置多孔硅层，由于绝缘隔离层的性质较为稳定，在其上形成接触电极时不受温度、反应原料的限制，能够沉积更加良好的接触电极，进而使接触电极和多孔硅层形成欧姆接触，降低接触电极和多孔硅层之间的接触电阻。