公开(公告)号：CN114106688B

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111577626.5

申请日：2021-12-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周印华 ,  刘洋 ,  覃飞

IPC: C09D179/02 ,  C09D5/24 ,  C09D7/63 ,  B05D7/24 ,  B05D5/12

Abstract: 本申请公开了一种防静电涂层材料及其配置方法、防静电涂层及其形成方法，其中，防静电涂层材料，其特征在于，包括：聚合物分子和金属离子的螯合物以及导电纳米材料，其中，聚合物分子中含有氨基，在配置防静电涂层材料时，以导电纳米材料作为主体导电材料，可以满足涂层的导电要求，且加入含氨基的聚合物和金属离子的螯合物，聚合物分子中的氨基与金属离子发生相互作用，得到具有导电性能的复合物，在进一步提升防静电涂层的导电性能的同时，还可以提升涂层的机械耐磨性。

公开(公告)号：CN112331739B

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN201910718853.1

申请日：2019-08-05

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周印华 ,  孙露露 ,  覃飞 ,  王文

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，更具体地，涉及一种低功函导电复合电极、其制备和应用。将含有氨基的聚合物与金属离子和金属纳米线先后发生配位共混，获得本发明低功函导电透明复合电极。本发明基于常见的可降低电极功函数的聚合物材料，引入金属离子以及金属纳米线，聚合物分子中的氨基同时与金属离子和金属纳米线发生配位作用，得到所述的低功函导电透明复合电极。所得到的复合电极，粗糙度低，功函数低于4.35eV，方块电阻在30欧姆时电极的透光率高于85％，在不增加阴极界面修饰材料时，也能够很好的作为阴极适用于不同光电器件中。

公开(公告)号：CN106206955A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610666139.9

申请日：2016-08-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周印华 ,  毛霖 ,  童金辉 ,  覃飞 ,  蒋方圆 ,  熊思醒 ,  孟伟 ,  蒋友宇

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/00

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/445 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/4246 ,  H01L51/447

Abstract: 本发明公开了一种柔性太阳能电池。所述柔性太阳能电池从底面至顶面依次包括：柔性衬底，反射式金属层，多层光活性层，透明导电层以及金属网格；所述反射式金属层用于反射入射光线，以提高所述柔性太阳能电池的光能吸收率，同时作为所述柔性太阳能电池的阴极；所述多层光活性层用于将光能转化为载流子，并进一步转化为电能；所述透明导电层用于作为所述柔性太阳能电池的阳极；所述金属网格用于收集透明导电层的电荷，以增强所述透明导电层的导电性能。本发明优化了现有技术中柔性太阳能电池的结构，解决了制备大面积柔性太阳能电池合格率低，光电转化效率差的技术问题。

公开(公告)号：CN106129251A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610552632.8

申请日：2016-07-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周印华 ,  覃飞 ,  童金辉 ,  葛茹 ,  毛霖 ,  李在房

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/442 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明公开了一种柔性钙钛矿太阳能电池的结构及其制备方法。本发明提出的太阳能电池结构由柔性基底、金属底电极、掺杂电子收集层、钙钛矿层、空穴传输层和透明导电高分子顶电极，按从下往上顺序构成。本发明提出的电池结构，可采用低功函数界面修饰层和掺杂电子收集层作为阴极修饰层规避了金属氧化物的使用，让低温制备成为可能。采用金属作为底电极，电阻阻值相对常见ITO而言小很多，可反光，可用于大面积电池的制作。本发明电池结构可以应用在曲面墙壁，汽车顶端等不能用刚性材料的发电装置上，能够在不影响器件性能的情况下弯曲，对于实现柔性大面积钙钛矿电池具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN112331739A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201910718853.1

申请日：2019-08-05

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周印华 ,  孙露露 ,  覃飞 ,  王文

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，更具体地，涉及一种低功函导电复合电极、其制备和应用。将含有氨基的聚合物与金属离子和金属纳米线先后发生配位共混，获得本发明低功函导电透明复合电极。本发明基于常见的可降低电极功函数的聚合物材料，引入金属离子以及金属纳米线，聚合物分子中的氨基同时与金属离子和金属纳米线发生配位作用，得到所述的低功函导电透明复合电极。所得到的复合电极，粗糙度低，功函数低于4.35eV，方块电阻在30欧姆时电极的透光率高于85％，在不增加阴极界面修饰材料时，也能够很好的作为阴极适用于不同光电器件中。

公开(公告)号：CN105405977A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510715701.8

申请日：2015-10-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周印华 ,  李在房 ,  葛茹 ,  覃飞 ,  刘铁峰

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/00 ,  H01G11/48 ,  H01G11/86

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02E60/13 ,  H01L51/442 ,  H01G11/48 ,  H01G11/86 ,  H01L51/0021

Abstract: 本发明公开了一种自支撑PEDOT-PSS薄膜，包括质量比为3:7～15:2的PEDOT以及PSS，所述PEDOT-PSS薄膜的厚度为1μm～50μm，方块电阻为0.10Ω/sq～120Ω/sq，电导率为210S/cm～1827S/cm。本发明还公开了该PEDOT-PSS薄膜的制备方法以及在光电子器件的电极中的应用。本发明制备所得的PEDOT-PSS薄膜具有良好的自支撑性能以及导电性能，在光电子器件上具有广泛的应用前景。