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公开(公告)号：CN117858528A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410026217.3
申请日：2024-01-08
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请的实施例提供了一种X射线面阵探测器的制作方法、及X射线面阵探测器，所述方法包括：提供CMOS基底，以及用于承载所述CMOS基底的导电底板，并将所述CMOS基底与所述导电底板贴合；在所述CMOS基底与所述导电底板贴合后，在所述CMOS基底的像素区域上制作空穴传输层，所述空穴传输层包含有SnO2；在所述空穴传输层上制作钙钛矿层，所述钙钛矿层包含有FAPbI3和(BA)2PbBr4；在所述钙钛矿层上制作电子传输层，所述电子传输层包含有PTAA；在制作得到所述电子传输层后，在所述CMOS基底的公共电极上制作顶电极，所述顶电极包含有Au。本申请的实施例提供的技术方案能制作得到CMOS集成式钙钛矿X射线面阵探测器，使得X射线面阵探测器获取更高的成像空间分辨率。
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公开(公告)号：CN117693272A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311722124.6
申请日：2023-12-14
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿X射线探测器集成界面应力缓释的方法，属于X射线探测器领域。所述方法包括：得到钙钛矿厚膜；将ACA胶涂覆到TFT像素基板的至少部分表面，得到含有ACA胶层的TFT像素基板；将所述钙钛矿厚膜覆盖到ACA胶层的至少部分表面，后进行退火；将所述退火后的所述钙钛矿厚膜的至少部分表面设置金属电极，得到钙钛矿X射线探测器。通过在钙钛矿厚膜和TFT阵列集成界面处引入各向异性导电胶缓冲界面应力，较传统方法有更深的相互作用深度，更好地粘附力，实现低死像元率、高空间分辨率和出色机械稳定性的X射线平板探测器的制备。
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公开(公告)号：CN118374887A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410525271.2
申请日：2024-04-29
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及卤素钙钛矿单晶材料技术领域，尤其涉及一种钝化卤素钙钛矿单晶表面缺陷的方法；所述方法包括：在气态卤素的气氛中对卤素钙钛矿单晶材料进行退火，以实现卤素钙钛矿单晶材料的钝化，得到钝化后的单晶材料；其中，气态卤素与卤素钙钛矿单晶材料中含有同一种卤族元素；通过将卤素钙钛矿单晶材料在其对应的气态卤素的气氛中进行退火处理，此时气态卤素中的卤素原子会与卤素钙钛矿单晶材料表面的卤素空位缺陷进行结合，实现对卤素钙钛矿单晶材料表面的钝化，因此通过气态卤素可以对卤素钙钛矿单晶材料表面卤素空位缺陷的精准钝化，以此克服现有技术中有机长链铵盐无法针对性的钝化卤素钙钛矿表面的卤素空位缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN118048690A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410102045.3
申请日：2024-01-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种锑基钙钛矿单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器，所述锑基钙钛矿单晶的化学式为(C10H26N2)SbCl5，所述锑基钙钛矿单晶的晶体结构由有机阳离子(C10H26N2)2+和无机结构单元[SbCl6]3‑组成，晶体中(C10H26N2)2+与[SbCl6]3‑之间存在库伦作用和氢键相互作用；其中，Sb3+离子与6个Cl‑离子配位形成八面体结构，所述八面体通过共享顶点的方式而连接形成1D链状结构，(C10H26N2)2+阳离子组成的棱形柱状笼包裹着[SbCl6]3‑链。本申请内容选用Sb作为铅的替代元素，除具有低毒和环境友好的特点，同时为现有X射线探测器提供了新的材料。
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公开(公告)号：CN117984163A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311796293.4
申请日：2023-12-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种减小钙钛矿单晶表面漏电流的方法、钙钛矿单晶、探测器，属于钙钛矿表面处理领域。所述方法包括：在打磨抛光液中添加钝化剂，得到混合液；使用所述混合液对钙钛矿单晶打磨；使用抛光垫、所述混合液以及抛光颗粒对打磨后的所述钙钛矿单晶进行抛光，得到表面钝化的钙钛矿单晶。通过在打磨抛光液中直接加入钝化剂的钝化方式，可直接实现原位缺陷钝化，且钝化剂分布更均匀，钝化效果更显著，暗电流密度与高压稳定性更好。同时将两步钝化工艺简化为一步钝化工艺，操作更简单。从而在保证钙钛矿单晶表面钝化工艺简单的基础上提高钝化效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120018743A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510217425.6
申请日：2025-02-26
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请公开一种钙钛矿膜的制备方法，涉及材料科学与工程技术领域，所述方法包括：对初始ITO玻璃进行预处理，得到目标ITO玻璃；基于等离子体处理法在所述目标ITO玻璃的表面构建二氧化锡功能层，以得到目标薄膜；基于MAPbI3体系在所述目标薄膜的表面构建钙钛矿层，以得到初始钙钛矿膜；对所述初始钙钛矿膜进行退火处理得到目标钙钛矿膜。
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公开(公告)号：CN118547367A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410618242.0
申请日：2024-05-17
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种硫卤化物晶体、制备方法及其应用，该制备方法通过获取硫卤化物晶体原料，对硫卤化物晶体原料进行烧结，让两种原料充分反应合成钙钛矿相，得到长晶原料，使得硫卤化物晶体原料进行初始成型；硫卤化物晶体原料初始成型后进行定向凝固过程，含有杂质的硫卤化物晶体原料熔液在结晶的过程中，杂质会在固体和熔液中以不同的比例重新分配，通过控制凝固过程中的温度梯度和移动界面来实现杂质的分离和排除，实现了晶体原料的重新结晶。当晶体从下往上生长时，由于分凝作用会形成组分梯度变化的晶腚，通过提纯过程将目标晶体原料提出，得到没有杂质的目标晶体原料，再次重新进行晶体生长过程，最终得到硫卤化物晶体。
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公开(公告)号：CN118207630A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410089793.2
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种铋基钙钛矿单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器。所述铋基钙钛矿单晶的化学式为(C9H14N)3Bi2I9，所述铋基钙钛矿单晶为零维晶体结构；其中，所述铋基钙钛矿单晶的晶体结构由面共享的(BiI6)3‑八面体层组成，(C9H14N)+离子和I‑离子紧密排列，Bi3+离子占据了所述(BiI6)3‑八面体空隙的三分之二，层之间的空隙被(C9H14N)+离子填充，所述(BiI6)3‑八面体在空间上被两个(C9H14N)+离子隔离。本申请内容为现有钙钛矿X射线探测器提供了新的材料。
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公开(公告)号：CN118166421A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410281423.9
申请日：2024-03-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请提供了一种基于区熔提纯的熔区长度判定方法、装置、设备及介质，本申请的方法可以包括：对盛有多晶材料的透明的石英坩埚进行加热；每隔预设时长，检测加热后的所述多晶材料是否存在熔化现象；如果所述多晶材料存在熔化现象且熔化程度大于预设程度，从所述石英坩埚的外部，测量所述多晶材料熔化后形成的熔体区域的长度。本申请可以实现对熔体区域的长度的直接测量，不再依赖热电偶测量的数据，因此测得的熔体区域的长度更贴合实际的熔体区域的长度，能显著提升测量结果的准确度。
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公开(公告)号：CN117987929A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311842156.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种钙钛矿单晶及其制备方法、制备装置、X射线探测器，所述钙钛矿单晶的化学式为FA1‑aRbaPbBr3，其中0≤a≤1；在所述钙钛矿单晶的晶体结构中，每个Pb2+与周围的6个Br‑配位构成正八面体结构，多个八面体共顶点排布，构成三维钙钛矿结构，FA+和Rb+均位于四个八面体层中任意两个八面体层形成的空隙中。本申请内容解决了现有金属卤化物钙钛矿单晶的缺陷密度较高的技术问题。
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