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公开(公告)号:CN112028010A
公开(公告)日:2020-12-04
申请号:CN202010899353.5
申请日:2020-08-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳结构相关技术领域,并具体公开了一种大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法及其产品。该方法包括:在基底表面制备刻蚀掩膜层,并通过刻蚀在基底上制得倒锥形阵列;对倒锤形阵列进行纳米压印,以此制得锥形掩膜,然后进行一次倒模,获得倒锥形阵列结构;构建耐磨层,获得倒锥形模板,利用疏水聚合物对倒锥形模板进行二次倒模,制得锥形阵列结构;对锥形阵列结构的表面进行研磨,以得到锥台阵列结构。本发明采用一次倒模、构建耐磨层的方式制备大面积倒锥形模板,后续利用疏水聚合物进行二次倒模得到大面积的超疏水表面,无需任何低表面能物质修饰,最后通过研磨进行微纳结构的加工,能够进一步提高表面的粗糙度和结构稳定性。
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公开(公告)号:CN212807107U
公开(公告)日:2021-03-26
申请号:CN202021983454.2
申请日:2020-09-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01D18/00
Abstract: 本实用新型属于传感器测试领域,并具体公开了一种石英晶体微天平传感器的性能测试装置。该性能测试装置包括上盖和底座,其中上盖中进气孔和出气孔与反应腔相连通;反应腔下方的上盖密封圈凹槽用于放置上盖密封圈,上盖限位凹槽用于与底座配合,以放置待测石英晶体微天平传感器;底座中底座限位凹槽与上盖限位凹槽配合用于放置待测石英晶体微天平传感器;底座密封圈凹槽用于放置底座密封圈;引线孔用于放置引线。本实用新型利用上盖限位凹槽和底座限位凹槽相互配合对石英晶体微天平传感器进行限位,并利用上盖密封圈和下盖密封圈增强气密性,并保证较好的电极接触性能,同时还能够缓解石英晶体微天平传感器的接触压力。
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