公开(公告)号：CN109920920A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910147910.5

申请日：2019-02-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈蓉 ,  姜晨晨 ,  单斌 ,  曹坤 ,  文艳伟 ,  周彬泽 ,  向勤勇 ,  耿士才 ,  井尧 ,  刘梦佳

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于光学材料制备领域，并公开了一种基于原子层沉积的量子点光电探测器及其制备方法。该制备方法包括将量子点溶液旋涂在洁净基底上制备第一量子点薄膜，然后将有机物配体溶液滴覆在第一量子点薄膜上并静置一段时间，待配体交换完成后用溶剂进行清洗，从而完成配体交换层薄膜的制备；将量子点溶液旋涂在配体交换层薄膜上制备单层量子点薄膜，在惰性气氛下进行原子层沉积使该单层量子点薄膜充分钝化，重复上述步骤数次从而获得钝化层薄膜，最后在钝化层薄膜上蒸镀电极制成量子点光电探测器。本发明采用原子层沉积技术钝化量子点薄膜表面，能够提高器件的光暗电流比，优化探测器的器件性能，并且形成PN结双层结构，能够有效提高响应速度。