公开(公告)号：CN113783488B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202110890790.5

申请日：2021-08-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曲荣海 ,  刘子睿 ,  孔武斌

IPC: H02P21/14 ,  H02P21/13 ,  H02P21/22 ,  H02P25/024 ,  H02P27/08

Abstract: 本发明公开了一种永磁同步电机全参数辨识方法及永磁同步电机系统，属于永磁同步电机的参数辨识领域，包括：在d、q轴指令电压内分别注入频率为ωh(ωh/ωe∈[3,5])的高频电压udh和高频电压uqh；执行如下步骤：对三相电流进行采样并变换到同步转速为ωe的dq轴旋转坐标系，得到id和iq；对id和iq进行离散傅里叶变换，得到高频电流的在d、q轴下的幅值Imdh和Imqh，以及相位θd和θq；利用Adaline单层神经网络，根据Imdh、Imqh、θd和θq，以及udh和uqh的幅值Umdh和Umqh，辨识高频参数；利用Adaline单层神经网络，根据高频参数、d轴直流电流id0、q轴直流电流iq0、d轴直流电压ud0和q轴直流电压uq0，辨识基频参数。本发明能够在全工况条件下实现对永磁同步电机运行过程中参数的准确辨识。

公开(公告)号：CN113783488A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110890790.5

申请日：2021-08-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曲荣海 ,  刘子睿 ,  孔武斌

IPC: H02P21/14 ,  H02P21/13 ,  H02P21/22 ,  H02P25/024 ,  H02P27/08

Abstract: 本发明公开了一种永磁同步电机全参数辨识方法及永磁同步电机系统，属于永磁同步电机的参数辨识领域，包括：在d、q轴指令电压内分别注入频率为ωh(ωh/ωe∈[3,5])的高频电压udh和高频电压uqh；执行如下步骤：对三相电流进行采样并变换到同步转速为ωe的dq轴旋转坐标系，得到id和iq；对id和iq进行离散傅里叶变换，得到高频电流的在d、q轴下的幅值Imdh和Imqh，以及相位θd和θq；利用Adaline单层神经网络，根据Imdh、Imqh、θd和θq，以及udh和uqh的幅值Umdh和Umqh，辨识高频参数；利用Adaline单层神经网络，根据高频参数、d轴直流电流id0、q轴直流电流iq0、d轴直流电压ud0和q轴直流电压uq0，辨识基频参数。本发明能够在全工况条件下实现对永磁同步电机运行过程中参数的准确辨识。

公开(公告)号：CN111342642A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN202010193288.4

申请日：2020-03-18

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曲荣海 ,  刘子睿 ,  孔武斌

IPC: H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H02M3/335 ,  H03K17/16

Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET驱动的反激式电源控制方法，属于碳化硅MOSFET器件的驱动领域。方法包括：当半桥电路中上下管碳化硅MOSFET均未动作时，控制反激式电源输出电压；当半桥电路中上下管碳化硅MOSFET开始动作时，根据半桥电路上下管碳化硅MOSFET当前开关状态控制反激式电源占空比，调节反激式电源的输出电压，对碳化硅MOSFET进行驱动。本发明对碳化硅MOSFET开通时产生的正电压串扰进行降压补偿，对关断产生的负电压串扰进行增压补偿，从而减小了电压串扰；避免了由于串扰叠加导致短时间内栅源电压过大或过小对碳化硅MOSFET器件产生不可逆转的损耗，在不牺牲碳化硅MOSFET高速开关特性的前提下，保证其能够安全稳定的工作。