公开(公告)号：CN114171095B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202111439248.4

申请日：2021-11-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吴非 ,  董卜榕 ,  刘伟华 ,  付内东 ,  谢长生

IPC: G11C16/34 ,  G06N3/045 ,  G06N3/08 ,  G06F17/18

Abstract: 本发明公开了一种3D NAND闪存阈值电压分布预测方法、设备及存储系统，属于计算机存储领域，包括：获得已训练好的阈值电压分布预测模型，用于预测由N个干扰特征组合而成的输入特征集合SI对应的阈值电压分布；干扰特征为影响3D NAND闪存单元阈值电压分布的特征；N为正整数；获得3D NAND闪存的一个或多个干扰特征，组成待测特征集合SU；若则将SU中相对于SI缺失的干扰特征赋值为0，连同待测特征集合SU其余干扰特征的取值输入阈值电压分布预测模型，以预测得到3DNAND闪存的阈值电压分布；阈值电压分布预测模型由包含SI中的N个干扰特征以及对应的阈值电压分布的样本所构成的数据集训练而成。本发明能够提高3D NAND闪存阈值电压分布预测的精度和通用性。

公开(公告)号：CN107861834A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711074758.X

申请日：2017-11-06

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吴非 ,  谢长生 ,  刘伟华 ,  张猛

IPC: G06F11/10 ,  G06F3/06

Abstract: 本发明公开了一种基于错误预检测技术提升固态硬盘读性能的方法，对物理页面进行子页划分，在SSD控制器读取完闪存页面中的数据时，在SSD内存中判断子页的标志位是0还是1，如果是1则直接将该子页中的数据送至LDPC译码器进行译码，如果是0则使用数据校验算法对该子页中的数据进行校验，以判断该子页中的数据是否发生错误。如果发生错误，则将数据送到LDPC译码器进行译码，同时将该子页的标志位设置为1。本发明提出采用错误预检测的技术，对没有错误的数据不再进行译码。从而降低译码时间与功耗上的开销，提升SSD读性能。

公开(公告)号：CN114171095A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111439248.4

申请日：2021-11-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吴非 ,  董卜榕 ,  刘伟华 ,  付内东 ,  谢长生

IPC: G11C16/34 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06F17/18

Abstract: 本发明公开了一种3D NAND闪存阈值电压分布预测方法、设备及存储系统，属于计算机存储领域，包括：获得已训练好的阈值电压分布预测模型，用于预测由N个干扰特征组合而成的输入特征集合SI对应的阈值电压分布；干扰特征为影响3D NAND闪存单元阈值电压分布的特征；N为正整数；获得3D NAND闪存的一个或多个干扰特征，组成待测特征集合SU；若则将SU中相对于SI缺失的干扰特征赋值为0，连同待测特征集合SU其余干扰特征的取值输入阈值电压分布预测模型，以预测得到3DNAND闪存的阈值电压分布；阈值电压分布预测模型由包含SI中的N个干扰特征以及对应的阈值电压分布的样本所构成的数据集训练而成。本发明能够提高3D NAND闪存阈值电压分布预测的精度和通用性。

公开(公告)号：CN111459706B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202010046777.7

申请日：2020-01-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吴非 ,  刘伟华 ,  朱奥 ,  刘嘉宏 ,  谢长生

IPC: G06F11/10

Abstract: 本发明公开了一种NAND闪存错误率预测方法及系统，属于计算机存储领域，包括：从NAND闪存的历史数据中获取M个前期干扰特征，及各前期干扰特征所对应的原始比特错误率，将前期干扰特征及其对应的原始比特错误率作为一条预测样本，从而得到M条预测样本；将预测样本输入已训练好的错误率预测模型中，预测N个后期干扰特征所对应的原始比特误码率；其中，干扰特征为影响NAND闪存原始比特错误率的特征或特征组合；错误率预测模型为多输入多输出模型，用于根据前期的干扰特征及对应的原始比特误码率预测后期干扰特征所对应的原始比特误码率。本发明能够预测NAND闪存的错误率，并预测出NAND闪存错误率的变化趋势，为数据存储安全提供量化的、可靠的判断依据。