单光子全光量子路由系统及方法

    公开(公告)号:CN112751625B

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN201911051815.1

    申请日:2019-10-31

    Inventor: 曹聪 樊玲 张茹

    Abstract: 本发明公开了一种单光子全光量子路由系统及方法,该系统包括:输入装置、光子波导、媒介装置、以及输出装置;所述输入装置与所述光子波导通过第一光开关连接,所述输出装置与所述光子波导通过第二光开关连接;所述输入装置包括:控制输入单元和信号输入单元;所述媒介装置包括:与所述光子波导相耦合的微腔,在所述微腔内设置有辅助系统,所述辅助系统分别与所述光子波导中传输的控制光子及两路信号光子量子态作用;所述输出装置包括控制输出单元和信号输出单元。利用本发明,可以实现确定性的单光子全光全量子路由,并且有效地降低了实现成本和难度。

    一种氧化锰复合电极、制备方法及超级电容器

    公开(公告)号:CN118571667A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410977203.X

    申请日:2024-07-19

    Abstract: 本发明属于纳米储能技术领域,尤其涉及一种氧化锰复合电极及其制备方法,本发明还涉及一种超级电容器。所述超级电容器电极制备方法,包括:(1)制备银纳米线;(2)制备氧化锰,(3)将所述银纳米线分散在乙醇里,滴涂到基板上,晾干,并在60‑80℃烘干,该步骤重复2‑5次,获得银导电层;(4)将所述银纳米线与所述氧化锰混合物分散在乙醇中,并滴涂到已经沉积有所述导电层的基板上,晾干,并在70‑80℃烘干,获得氧化锰复合电极;所述银纳米线与所述氧化锰过渡金属氧化物活性物质混合材料的浓度为0.5‑5g/L,且银纳米线与氧化锰的比例为1/3‑3/1。以该氧化锰复合电极为正极,石墨为负极,PVA/KOH为中间层,可组装成超级电容器。

    一种基于自适应拓扑优化的最短路径查询方法

    公开(公告)号:CN118113735A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202410138338.7

    申请日:2024-01-31

    Abstract: 本发明提出一种基于自适应拓扑优化的最短路径查询方法,可用于轨道交通环境。本发明将换乘站拆分为非完全图,将行车运行时间与换乘时间等同设为拓扑图中边的权重。在最短路径查询过程中,本发明无需再判断站点的换乘属性以及额外计算换乘时间,避免因换乘时间而导致查询结果错误的情况。针对将换乘站拆分为完全图导致效率低下的问题,本发明优化了路网拓扑结构,提高最短路径查询的效率。另外,本发明增加了虚拟站点及其线路,区分行车路径与人行换乘路径,避免将换乘站拆分后导致的行车路径和人行换乘路径混淆的错误。

Patent Agency Ranking