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公开(公告)号：CN113540976A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110805761.4
申请日：2021-07-16
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，所述激光器包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；设置在所述衬底朝向第一表面一侧的器件堆叠结构；其中，所述器件堆叠结构包括：设置在所述衬底朝向所述第一表面一侧的N型DBR层；设置在所述N型DBR层背离所述衬底一侧的有源区；设置在所述有源区背离所述N型DBR层一侧的P型DBR层；设置在所述P型DBR层背离所述有源区一侧的模式滤波器结构，所述模式滤波器结构包括具有出光孔的反相层。应用本发明技术方案，实现垂直腔面发射激光器的单模输出，降低了光学损耗以及阈值电流，提高了调制速率，进而提高了激光器的整体性能。
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公开(公告)号：CN112234097A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011052522.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L29/45 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/10 , H01S5/042
Abstract: 本发明属于光电子半导体技术领域，具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括：非特意掺杂III‑V族半导体层，及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂III‑V族半导体层形成欧姆接触结构，成功解决了非特意掺杂III‑V族半导体材料难以直接形成良好的欧姆接触特性的技术问题。同时，本发明利用氧化镍薄膜的透明导电特性，将其作为III‑V族半导体有源器件的电极，有效解决传统接触电极在光耦合时阻挡信号光、降低光耦合效率和减小有效有源区域面积的技术问题。
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公开(公告)号：CN111223955A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911050883.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器，包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层，多个外延层包括吸收层，沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔；至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层的顶面和/或底面的接触处布置低折射率材料，用于与吸收层形成强耦合波导结构。本发明提供的具有微孔耦合结构的光探测器，通过设置若干锥形孔，减小了吸收层中有源区的面积，降低了充电时间常数，提高了光探测器的响应速率；另外，形成的强耦合波导结构，可以使得进入锥形孔的入射光经其内侧壁折射后进入吸收层，并在吸收层中横向传输，增加了光程，提高了量子效率。
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公开(公告)号：CN108418095A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810119727.X
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: H01S5/34 , C23C16/042 , C23C16/301
Abstract: 本发明提供一种电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法，包括：S1、通过PECVD方法、干法刻蚀技术和湿法刻蚀技术在单晶硅衬底上制作纳米尺寸图形掩膜；S2、基于MOCVD方法在所述图形掩膜上依次制作InP低温成核层、n-InP高温缓冲层、位错阻挡层、n型限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。通过优化两步生长法和选区外延条件，利用制备在硅片上的纳米尺寸的大高宽比二氧化硅掩膜图形衬底结构，将生长窗口区的穿透位错阻挡在二氧化硅掩膜侧壁上，同时采用应变超晶格结构作为位错阻挡结构，使得上层InP材料的位错密度进一步降低。
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公开(公告)号：CN108376640A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810018868.2
申请日：2018-01-09
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种InGaAs/Si外延材料的制备方法，制备方法包括：在单晶硅衬底上制作InGaAs低温成核层，所述InGaAs低温成核层的温度为410～430℃，利用MOCVD方法制作；在所述InGaAs低温成核层上制作InGaAs高温外延层，以完成对InGaAs/Si外延材料的制备，所述InGaAs高温外延层利用MOCVD方法制作。本发明提供的InGaAs/Si外延材料的制备方法，通过设置采用MOCVD方法先制成低温成核层，再制成高温外延层，仅用以上两步完成对InGaAs/Si外延材料的制备，具有成本低，更适合产业化的需求的有益之处，相较于现有技术中采用MBE生长InxGa1-xAs等缓冲层，使用超晶格位错阻挡层以及选区外延等方法，本发明采用MOCVD仅用两步完成InGaAs/Si材料的制备，使得本发明的制备方法工艺简单，适合于大批量生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104901915B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201510230752.1
申请日：2015-05-07
Applicant: 北京邮电大学 , 工业和信息化部电信研究院
IPC: H04L27/00
Abstract: 本申请公开了一种支持多用户的通信方法，包括：基于标记矩阵对不同用户的数据比特经过调制后的符号进行扩散，获得扩散后的第一码字集合；对所述第一码字集合进行叠加，形成叠加码字；发送所述叠加码字。该方法解决了现有SCMA技术中不能支持多用户多调制、CDMA技术不能实现用户过载的问题。本申请还公开了一种支持多用户的通信装置。
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公开(公告)号：CN106876418A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710149708.7
申请日：2017-03-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种光电探测器阵列，包括半绝缘的衬底层；覆盖在所述衬底层表面的绝缘钝化层；设置在所述衬底层上且位于所述钝化层内的至少2个光电探测器；在每个所述光电探测器的N接触层上蒸镀的N接触电极；在每个所述光电探测器的P接触层上蒸镀的P接触电极；在所述N接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的接地大电极；以及在所述P接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的信号大电极。本发明将多个光电探测器按照以信号大电极为中心的对称结构设计，克服了单个光电探测器无法处理过大功率的光信号的弊端，以及传统光电探测器阵列的各光电探测器电信号容易在输出端产生相位失配而引起信号畸变的缺点；工艺简单、饱和功率大且响应度高。
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公开(公告)号：CN106480498A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610888922.X
申请日：2016-10-12
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: C30B25/183 , C30B25/04 , C30B29/42 , H01S5/34353
Abstract: 本发明公开了一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。本发明在单晶硅衬底上制作种子层、位错阻挡层和激光器材料。所述的种子层包括GaAs低温成核层和GaAs高温缓冲层；位错阻挡层包括纳米尺寸图形掩膜和GaAs侧向外延层；激光器材料包括n型欧姆接触层、n型限制层、下波导层、量子点有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。本发明通过图形衬底对穿透位错的阻挡作用，能有效地降低GaAs外延层的位错密度，提高GaAs外延层的晶体质量，进而提高量子点激光器性能和质量。本发明能够大面积、高重复性、均匀地完成材料生长和制备，更加符合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN104901915A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510230752.1
申请日：2015-05-07
Applicant: 北京邮电大学 , 工业和信息化部电信研究院
IPC: H04L27/00
Abstract: 本申请公开了一种支持多用户的通信方法，包括：基于标记矩阵对不同用户的数据比特经过调制后的符号进行扩散，获得扩散后的第一码字集合；对所述第一码字集合进行叠加，形成叠加码字；发送所述叠加码字。该方法解决了现有SCMA技术中不能支持多用户多调制、CDMA技术不能实现用户过载的问题。本申请还公开了一种支持多用户的通信装置。
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公开(公告)号：CN103908247A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410137458.1
申请日：2014-04-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: A61B5/0408
Abstract: 本发明涉及一种可穿戴式心电信号实时采集装置，其特征在于：它包括一可穿戴式背心，在背心内侧横向间隔环设若干绷带；在任一绷带上固定设置嵌入式控制器，在绷带的连接处设置用于调节绷带松紧的微型电机，在绷带上活动设置一个以上心电采集电极并固定设置蜂鸣器，在心电采集电极上设置压力传感器，微型电机、压力传感器和蜂鸣器均通过导线与嵌入式控制器连接；压力传感器检测心电采集电极与受试者皮肤之间的接触压力，并将检测到的压力信号传输至嵌入式控制器，由嵌入式控制器控制微型电机调节绷带的松紧程度；心电采集电极与受试者皮肤接触出现问题时，由蜂鸣器报警提示受试者检查相应心电采集电极。本发明可以广泛应用于人体心电信号的采集中。
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