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公开(公告)号:CN109079363B
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:CN201811118277.9
申请日:2018-09-26
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: B23K35/30
Abstract: 一种用于真空电子器件钎焊的Au‑Cu‑Ga系钎料合金,属于新材料技术领域。钎料合金组分的重量百分含量:Au 67~79wt%,Cu 15~25wt%,Ga 6~8wt%。本发明与现有的72Ag‑28Cu钎料相比,熔点相近,但其蒸气压比Ag‑28Cu钎料低2个数量级;钎料加工性好,在铜和镀镍不锈钢上均有良好的润湿性,焊接接头具有良好的力学性能。适于要求低蒸气压真空电子器件的封接。
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公开(公告)号:CN111805040A
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN202010621024.4
申请日:2020-06-30
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本申请提供了一种可用于超高真空度需求的真空电子器件封装钎焊用金基钎料,所述钎料合金由如下质量百分数的金属元素构成:Au:55~69wt%,Cu:15~25wt%,Ni:8~12wt%,Ga:5~8wt%。本发明提供的金基钎料有效降低了贵金属Au的含量,熔化范围与72Ag-28Cu钎料相近,蒸气压比72Ag-28Cu钎料低2个数量级,钎料加工性好,在常用真空电子器件材料上有良好的润湿铺展性能,特别适合于超高真空电子器件的封装钎焊。
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公开(公告)号:CN109079363A
公开(公告)日:2018-12-25
申请号:CN201811118277.9
申请日:2018-09-26
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: B23K35/30
Abstract: 一种用于真空电子器件钎焊的Au-Cu-Ga系钎料合金,属于新材料技术领域。钎料合金组分的重量百分含量:Au 67~79wt%,Cu 15~25wt%,Ga 6~8wt%。本发明与现有的72Ag-28Cu钎料相比,熔点相近,但其蒸气压比Ag-28Cu钎料低2个数量级;钎料加工性好,在铜和镀镍不锈钢上均有良好的润湿性,焊接接头具有良好的力学性能。适于要求低蒸气压真空电子器件的封接。
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公开(公告)号:CN103624381A
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201310566461.0
申请日:2013-11-14
Applicant: 北京航空航天大学 , 上海航天设备制造总厂
IPC: B23K9/235 , B23K9/23 , B23K9/167 , B23K35/365
CPC classification number: B23K9/167 , B23K9/23 , B23K9/235 , B23K35/3605 , B23K2103/10
Abstract: 本发明公开了一种无缺陷低能耗2219铝合金的焊接方法,其特征是焊前首先在2219铝合金表面待焊部位喷涂上一层表面去膜剂,然后采用直流正极性方式的TIG焊接工艺方法焊接2219铝合金。表面去膜剂由LiF、NaF、CaF2、KAlF4、K3AlF6等一种或多种氟化物组成。本发明的焊接方法可以不开坡口一次焊接成型1mm~12mm厚度范围的2219铝合金,本发明涉及的表面去膜剂具有良好地去除2219铝合金表面氧化膜和增大焊接熔深的作用,焊接电流仅有交流焊接方式的50%。并且焊接的2219铝合金焊缝中没有任何气孔缺陷,焊接接头拉伸强度为260~290MPa。
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公开(公告)号:CN103603002A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201310567415.2
申请日:2013-11-14
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种能够实现6XXX系铝合金无缺陷直流正极性焊的表面去膜剂,其特征是所述表面去膜剂是由LiF、NaF、MgF2、AlF3、KAlF4、K2SiF5等多种氟化物组成,氟化物的颗粒度均小于10μm。焊前首先采用无水乙醇将所述表面去膜剂混合均匀,喷涂在铝合金表面待焊部位,然后采用直流正极性TIG焊方法实施焊接。本发明的表面去膜剂具有良好地去除6XXX系铝合金表面氧化膜和焊缝中气孔缺陷的作用,可以实现6XXX系铝合金的直流正极性TIG焊,获得无气孔缺陷的性能优良的焊接接头,此外焊接电流相对于交流焊工艺大大降低,有效改善了热影响区软化现象,提高了焊接生产率,降低了能源消耗。
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公开(公告)号:CN103600180A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201310567565.3
申请日:2013-11-14
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: B23K35/362 , B23K9/167
CPC classification number: B23K35/3605 , B23K9/167 , B23K2103/08 , B23K2103/10
Abstract: 本发明公开了一种能够实现铝镁系合金无缺陷直流正极性焊的表面去膜剂,其特征是:所述表面去膜剂是LiF、NaF、ZnF2、MgF2、AlF3、KAlF4、K3AlF6等其中的任何一种或任何多种氟化物的组合,氟化物的颗粒度均小于10μm。焊前采用无水乙醇将表面去膜剂混合均匀,喷涂在铝镁系合金表面待焊部位,然后采用直流正极性TIG焊工艺来焊接铝镁系合金,可以获得无气孔缺陷的性能优良的优质接头。此外焊接电流相对于交流焊工艺大大降低,有效提高了焊接生产率,降低了能源消耗。
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公开(公告)号:CN107617831A
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201710963497.0
申请日:2017-10-17
Applicant: 无锡日月合金材料有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 一种陶瓷与金属封接用抗氧化低银钎料,所述钎料由如下重量百分数的金属元素组成:Ag:47~57.9%;Cu:39~43%;Ga:3~9.9%;Ge:0.05~0.25%;Si:0~0.15%。优选的合金成分是,Cu的重量与Ga的重量需要满足Cu:Ga应≥4.5。更优选的合金成分是,Ge的重量与Si的重量百分比需要满足Ge+Si≤0.25%。本发明提供的银钎料含银量低,焊接温度与Ag72Cu28相当;钎料加工性好;钎料润湿性好,封接接头强度高;可替代目前广泛使用的Ag72Cu28钎料,特别适用于电真空器件中陶瓷与金属的封接,也可用于其它领域的真空钎焊和气体保护钎焊。
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公开(公告)号:CN104722959A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201510146547.7
申请日:2015-03-31
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: B23K35/363 , B23K35/40
CPC classification number: B23K35/362 , B23K35/40
Abstract: 本发明涉及一种铝合金低温钎焊用助焊剂,助焊剂由松香、活性剂和溶剂组成,助焊剂能在低于80℃温度下显示出良好的活性。适用于铝合金的低温钎料钎焊。
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公开(公告)号:CN103639559A
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN201310567400.6
申请日:2013-11-14
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K101/14
CPC classification number: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K1/203 , B23K2101/14 , B23K2103/18
Abstract: 本发明公开了一种环路热管蒸发器大面积软钎焊方法,钎焊温度高于170℃,低于240℃。焊前首先将铝合金鞍座待焊部位表面镀镍处理,厚度为8~15μm;在不锈钢管上预先涂敷一层钎料;然后将密封后的铝合金鞍座放入到炉中加热至230~240℃;加入钎剂,并将温度低于240℃的钎料倒入在铝合金鞍座孔中;最后将预热至低于240℃的不锈钢集热管插入铝合金鞍座中,溢出多余钎料,凝固后形成高质量的环路热管蒸发器结构。本发明焊料能够实现铝合金鞍座与不锈钢集热管在空气中大面积软钎焊,钎焊温度不低于170℃,不高于240℃,钎着率超过95%,单个缺陷面积不超过10mm2。
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公开(公告)号:CN103624382A
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201310571865.9
申请日:2013-11-15
Applicant: 上海航天设备制造总厂 , 北京航空航天大学
IPC: B23K9/235 , B23K9/167 , B23K35/362
CPC classification number: B23K9/167 , B23K9/23 , B23K9/235 , B23K35/3605 , B23K2103/10
Abstract: 本发明公开了一种无缺陷低能耗LD10铝合金的焊接方法,其特征是焊前首先在LD10铝合金表面待焊部位喷涂上一层表面去膜剂,然后采用直流正极性方式的TIG焊接工艺方法焊接LD10铝合金。表面去膜剂由LiF、NaF、CaF2、K3AlF6、K2SiF5、NaCl等一种或多种氟化物组成。本发明的焊接方法可以不开坡口一次焊接成型1mm~12mm厚度范围的LD10铝合金,本发明涉及的表面去膜剂具有良好地去除LD10铝合金表面氧化膜和增大焊接熔深的作用,焊接电流仅有交流焊接方式的50%。并且焊接的LD10铝合金焊缝中没有任何气孔缺陷,焊接接头拉伸强度为260~290MPa。
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