一种低蒸气压低熔点的封接焊料

    公开(公告)号:CN109079363B

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN201811118277.9

    申请日:2018-09-26

    Abstract: 一种用于真空电子器件钎焊的Au‑Cu‑Ga系钎料合金,属于新材料技术领域。钎料合金组分的重量百分含量:Au 67~79wt%,Cu 15~25wt%,Ga 6~8wt%。本发明与现有的72Ag‑28Cu钎料相比,熔点相近,但其蒸气压比Ag‑28Cu钎料低2个数量级;钎料加工性好,在铜和镀镍不锈钢上均有良好的润湿性,焊接接头具有良好的力学性能。适于要求低蒸气压真空电子器件的封接。

    一种低蒸气压低熔点的封接焊料

    公开(公告)号:CN109079363A

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201811118277.9

    申请日:2018-09-26

    Abstract: 一种用于真空电子器件钎焊的Au-Cu-Ga系钎料合金,属于新材料技术领域。钎料合金组分的重量百分含量:Au 67~79wt%,Cu 15~25wt%,Ga 6~8wt%。本发明与现有的72Ag-28Cu钎料相比,熔点相近,但其蒸气压比Ag-28Cu钎料低2个数量级;钎料加工性好,在铜和镀镍不锈钢上均有良好的润湿性,焊接接头具有良好的力学性能。适于要求低蒸气压真空电子器件的封接。

    一种能够实现6XXX系铝合金无缺陷直流正极性焊的表面去膜剂

    公开(公告)号:CN103603002A

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201310567415.2

    申请日:2013-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种能够实现6XXX系铝合金无缺陷直流正极性焊的表面去膜剂,其特征是所述表面去膜剂是由LiF、NaF、MgF2、AlF3、KAlF4、K2SiF5等多种氟化物组成,氟化物的颗粒度均小于10μm。焊前首先采用无水乙醇将所述表面去膜剂混合均匀,喷涂在铝合金表面待焊部位,然后采用直流正极性TIG焊方法实施焊接。本发明的表面去膜剂具有良好地去除6XXX系铝合金表面氧化膜和焊缝中气孔缺陷的作用,可以实现6XXX系铝合金的直流正极性TIG焊,获得无气孔缺陷的性能优良的焊接接头,此外焊接电流相对于交流焊工艺大大降低,有效改善了热影响区软化现象,提高了焊接生产率,降低了能源消耗。

    一种陶瓷与金属封接用抗氧化低银钎料

    公开(公告)号:CN107617831A

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201710963497.0

    申请日:2017-10-17

    Abstract: 一种陶瓷与金属封接用抗氧化低银钎料,所述钎料由如下重量百分数的金属元素组成:Ag:47~57.9%;Cu:39~43%;Ga:3~9.9%;Ge:0.05~0.25%;Si:0~0.15%。优选的合金成分是,Cu的重量与Ga的重量需要满足Cu:Ga应≥4.5。更优选的合金成分是,Ge的重量与Si的重量百分比需要满足Ge+Si≤0.25%。本发明提供的银钎料含银量低,焊接温度与Ag72Cu28相当;钎料加工性好;钎料润湿性好,封接接头强度高;可替代目前广泛使用的Ag72Cu28钎料,特别适用于电真空器件中陶瓷与金属的封接,也可用于其它领域的真空钎焊和气体保护钎焊。

    一种环路热管蒸发器大面积软钎焊方法

    公开(公告)号:CN103639559A

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201310567400.6

    申请日:2013-11-14

    CPC classification number: B23K1/008 B23K1/20 B23K1/203 B23K2101/14 B23K2103/18

    Abstract: 本发明公开了一种环路热管蒸发器大面积软钎焊方法,钎焊温度高于170℃,低于240℃。焊前首先将铝合金鞍座待焊部位表面镀镍处理,厚度为8~15μm;在不锈钢管上预先涂敷一层钎料;然后将密封后的铝合金鞍座放入到炉中加热至230~240℃;加入钎剂,并将温度低于240℃的钎料倒入在铝合金鞍座孔中;最后将预热至低于240℃的不锈钢集热管插入铝合金鞍座中,溢出多余钎料,凝固后形成高质量的环路热管蒸发器结构。本发明焊料能够实现铝合金鞍座与不锈钢集热管在空气中大面积软钎焊,钎焊温度不低于170℃,不高于240℃,钎着率超过95%,单个缺陷面积不超过10mm2。

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