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公开(公告)号：CN110589885B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910961851.5
申请日：2019-10-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种缺陷富集的TiO2纳米片一维多级结构的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。所述方法包括：取二氧化钛粉末、水、氢氧化钠/氢氧化钾置于反应釜中；超声30min后水热条件下反应，得到缺陷富集的钛酸盐多级纳米片结构；用去离子水将前一步骤得到产物冲洗至溶液PH值等于7，干燥后将该产物放入管式炉中煅烧，得到缺陷富集的TiO2多级纳米片结构。应用本发明的方法能够廉价、稳定地得到缺陷富集的TiO2多级纳米片结构。本方法条件温和，重复性极好，工艺简单、可控，制得的产物纯度高。
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公开(公告)号：CN106957634B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201710122714.3
申请日：2017-03-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种石墨烯介孔碳基复合相变材料的制备方法，属于纳米复合材料和复合相变材料领域。本发明首先制备一种石墨烯介孔碳载体，通过构筑该多级结构，降低石墨烯与其外面包裹的多孔颗粒之间的界面热阻，同时提升石墨烯在复合物中的分散性，在保证高负载量的前提下提升复合相变材料的热导率；然后采用溶液浸渍法，将可溶性的相变芯材配制成溶液，将制备的石墨烯介孔碳材料分散于配制好的相变芯材溶液中，将相变芯材吸附限制在介孔材料的孔道之中，干燥后得到石墨烯介孔碳基复合相变材料。所制备的石墨烯介孔碳基复合相变材料，热导率高、芯材选择多样化，能够有效提升复合相变材料的传热能力。用本发明方法制备的复合相变材料传热性能优异、循环稳定性好、耐化学腐蚀。
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公开(公告)号：CN110589885A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910961851.5
申请日：2019-10-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种缺陷富集的TiO2纳米片一维多级结构的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。所述方法包括：取二氧化钛粉末、水、氢氧化钠/氢氧化钾置于反应釜中；超声30min后水热条件下反应，得到缺陷富集的钛酸盐多级纳米片结构；用去离子水将前一步骤得到产物冲洗至溶液PH值等于7，干燥后将该产物放入管式炉中煅烧，得到缺陷富集的TiO2多级纳米片结构。应用本发明的方法能够廉价、稳定地得到缺陷富集的TiO2多级纳米片结构。本方法条件温和，重复性极好，工艺简单、可控，制得的产物纯度高。
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