公开(公告)号：CN102244365B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201110142265.1

申请日：2011-05-30

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 陈慧敏 ,  王瑞斌

IPC: H01S5/062

Abstract: 本发明涉及一种调频连续波激光调制电路，属于激光技术领域。包括直流偏置电路和半导体激光二极管激励电路；其中直流偏置电路包括电容C1～电容C10，电阻R1、R3、R4、R5，滑动电阻器R2、R6，运算放大器LF353和求和运算放大器AD8099；其中半导体激光二极管激励电路包括电阻R7、R9、R10、R11、R12，滑动电阻器R8，电容C11～电容C14，半导体激光二极管驱动芯片T0816以及半导体激光二极管LD。本发明将电压-电流信号转换和放大电路高度集成，结构简单；输出电流在不大于300mA的范围内连续可调，实现不大于100MHz的调频信号激励激光器，可激励多种波长的激光二极管。

公开(公告)号：CN119060350A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411173777.8

申请日：2024-08-26

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 邹美帅 ,  王瑞斌 ,  苏醒 ,  李晓东

IPC: C08G83/00 ,  C09K23/36 ,  C09K11/06 ,  C09D187/00

Abstract: 本发明涉及一种超分子聚集体表面活性剂的制备方法和应用，属于超分子配位化学、表面改性工程以及疏水涂层技术领域。本发明中4‑羟基吡啶‑2,6‑二甲酸和丙二酸制备出粘合配体，在4‑羟基吡啶‑2,6‑二甲酸和全氟辛酸上的羧基结构与镧离子的配位作用的帮助下得到纳米聚集态的超分子聚集体，自组装成一种超分子聚集体表面活性剂。该活性剂可以使氟化物增溶，还可以应用在疏水涂层领域，涂层具备仿荷叶结构和疏水蜡质的特性，有良好的疏水性能。

公开(公告)号：CN113880592B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202111312840.8

申请日：2021-11-08

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 赵斌 ,  王瑞斌 ,  王西彬 ,  周天丰 ,  焦黎 ,  解丽静 ,  刘志兵 ,  梁志强 ,  颜培 ,  仇天阳 ,  沈文华 ,  滕龙龙

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种高硬高韧氮化硅陶瓷复杂结构件制备工艺，涉及氮化硅陶瓷材料制备工艺技术领域，包括以下步骤：步骤一，制备氮化硅复合粉体；步骤二，对氮化硅复合粉体进行冷等静压处理，获得氮化硅陶瓷毛坯；步骤三，对氮化硅陶瓷毛坯进行切削加工，得到氮化硅陶瓷复杂结构件坯体；步骤四，对氮化硅陶瓷复杂结构件坯体进行低温低压预烧结；步骤五，进行高温高压烧结。采用本发明能够获得表层硬度高、内部韧性好的氮化硅陶瓷复杂结构件，能够有效解决现有技术中无法兼顾氮化硅陶瓷结构件的高硬高韧特性难题，既能满足氮化硅陶瓷件的耐磨性要求，还能提高结构件的抗破损能力，在耐磨结构件和陶瓷刀具等领域具有很大的应用潜力。

公开(公告)号：CN102244365A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110142265.1

申请日：2011-05-30

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 陈慧敏 ,  王瑞斌

IPC: H01S5/062

Abstract: 本发明涉及一种调频连续波激光调制电路，属于激光技术领域。包括直流偏置电路和半导体激光二极管激励电路；其中直流偏置电路包括电容C1～电容C10，电阻R1、R3、R4、R5，滑动电阻器R2、R6，运算放大器LF353和求和运算放大器AD8099；其中半导体激光二极管激励电路包括电阻R7、R9、R10、R11、R12，滑动电阻器R8，电容C11～电容C14，半导体激光二极管驱动芯片T0816以及半导体激光二极管LD。本发明将电压-电流信号转换和放大电路高度集成，结构简单；输出电流在不大于300mA的范围内连续可调，实现不大于100MHz的调频信号激励激光器，可激励多种波长的激光二极管。