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公开(公告)号：CN118707524A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410748082.1
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01S13/90 , G06N3/0442 , G06N3/045 , G06N3/0464
Abstract: 本发明提供一种基于深度学习的永久散射体点选取方法，基于永久散射体在时序上表现为长时间的散射特性稳定，在空间上则往往与周围的像素点表现出不同的散射特性的特点，本发明利用3D U‑net结构提取时序SAR图像的空间特征，利用CLSTM结构提取时序SAR图像的时序特征，对永久散射体特征的考虑更为全面；同时，本发明使用端到端的神经网络进行永久散射体的选取，处理过程中特征的提取和网络参数的选择均由网络自行完成，整个过程不需要人为操作，不会引入研究者主观因素的影响，不仅提高了选点的准确度，还更为有效的平衡了选点结果的质量和数量。
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公开(公告)号：CN114465019B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210016939.1
申请日：2022-01-07
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种收发共轴用于太赫兹实孔径成像的卡塞格伦天线，包括主反射面、副反射面、发射馈源及接收阵元馈源阵列；主反射面的对称轴经过处设有第一开口，主反射面和副反射面共轴，主反射面的焦点与副反射面的一个焦点重合，接收阵元馈源阵列位于主反射面的另一侧，接收阵元馈源阵列与第一开口之间相距第一距离。本发明卡塞格伦天线具有收发一体的性能，即同一天线既能实现信号的发送又能实现信号的接收，结构紧凑，容易小型化制造，由于具有负的馈源前伸量，能够改善馈源偏焦时产生的增益下降和波束变宽的问题，能获得高增益和窄主瓣宽度，有利于实现高精度实孔径成像等任务。本发明广泛应用于天线，主动太赫兹成像技术领域。
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公开(公告)号：CN113880586B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202111315077.4
申请日：2021-11-08
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种二硼化铪‑二硅化钽复合粉体及其制备方法，属于复合粉体材料技术领域。本发明提供的二硼化铪‑二硅化钽复合粉体为熔融共晶态，成分包括二硼化铪与二硅化钽，所述二硼化铪与二硅化钽的质量比为2～11:1。本发明使用二硅化钽作为二硼化铪的改性成分，一方面，二硅化钽的高温氧化产物SiO2能够作为很好高温封填相，对二硼化铪涂层的孔洞缺陷进行封填；另一方面，二硅化钽的另一高温氧化产物Ta2O5能够与HfO2发生固溶反应形成HfTaOx，一定程度抑制了HfO2的晶型转变，提升了该粉体的高温热稳定性。因此，本发明提供的二硼化铪‑二硅化钽复合粉体具有良好的高温抗氧化烧蚀特性。
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公开(公告)号：CN114905223A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210422555.X
申请日：2022-04-21
Applicant: 山西庞泉重型机械制造有限公司 , 北京理工大学
IPC: B23P6/00
Abstract: 本发明公开一种可进出循环的缩缸装置及油缸缸筒修复工艺，涉及油缸缸筒修复技术领域，包括用于固定缸筒一端并带动缸筒绕轴线转动的装卡部及能够沿缸筒轴向往复运动的移动部，移动部上固定有能够伸入缸筒内部的加热端及位于缸筒外部的冷却端，在缸筒的径向方向上，加热端与冷却端的位置正对，移动部往复运动时，加热端沿缸筒轴向对缸筒内壁进行循环加热，冷却端对缸筒外壁进行循环制冷；本发明中加热端是在移动的过程中对缸筒内部进行由内到外，再由外到内循环加热，体积较小，从而可以适用于不同长度的缸筒，适应性更强，避免大尺寸加热元件在加热小尺寸缸筒时的热量浪费。
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公开(公告)号：CN114669390A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210317685.7
申请日：2022-03-29
Applicant: 北京理工大学
IPC: B03B5/36
Abstract: 本发明涉及粉体筛分技术领域，提供了一种等离子球化后粉体的筛分方法，包括以下步骤：将待筛分等离子球化粉体和水混合，得到混合溶液；然后将得到的混合溶液进行超声后分离，得到沉淀物；最后将得到的沉淀物重复上述操作n次，得到完整球形等离子球化粉体；其中n≥0。本发明利用完整球形粉体与破碎的粉体在水中所受浮力不同，完整球形粉体容易沉降到水溶液底部，破碎粉体容易悬浮在水溶液的特点，将等离子球化粉体和水混合，通过超声和搅拌，促进完整球形粉体和破碎粉体的分离，实现了等离子球化粉体中破碎粉体的充分去除，从而获得完整球形等离子球化粉体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113880586A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111315077.4
申请日：2021-11-08
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种二硼化铪‑二硅化钽复合粉体及其制备方法，属于复合粉体材料技术领域。本发明提供的二硼化铪‑二硅化钽复合粉体为熔融共晶态，成分包括二硼化铪与二硅化钽，所述二硼化铪与二硅化钽的质量比为2～11:1。本发明使用二硅化钽作为二硼化铪的改性成分，一方面，二硅化钽的高温氧化产物SiO2能够作为很好高温封填相，对二硼化铪涂层的孔洞缺陷进行封填；另一方面，二硅化钽的另一高温氧化产物Ta2O5能够与HfO2发生固溶反应形成HfTaOx，一定程度抑制了HfO2的晶型转变，提升了该粉体的高温热稳定性。因此，本发明提供的二硼化铪‑二硅化钽复合粉体具有良好的高温抗氧化烧蚀特性。
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公开(公告)号：CN117346995A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202211249415.3
申请日：2022-10-12
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01M7/08
Abstract: 本发明属于破片加速技术领域，特别涉及一种异形破片加速装置。一种变飞行姿态的异形长条破片加速装置，包括：破片驱动装置、破片自旋角变换装置和破片着靶角变换装置；异形长条破片安装于破片自旋角变换装置，破片自旋角变换装置用于赋予异形长条破片不同的初始姿态；破片驱动装置用于赋予异形长条破片不同的初始速度；破片着靶角变换装置倾斜设置，用于提供不同的破片着靶角。本发明满足爆炸高速异形破片实验需求，且设备成本低、体积小等特点，克服了现有破片加速装置建设成本高、机动性差的问题。在破片高速毁伤目标或靶板试验中，本发明能够驱动不同质量和形状的破片达到高速，操作简单，具有很大的军事效益。
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公开(公告)号：CN114000092B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202111315092.9
申请日：2021-11-08
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种二硼化铪‑二硅化钽复合涂层及其制备方法，属于复合涂层技术领域。本发明使用二硼化铪‑二硅化钽复合粉体作为涂层原料，其中二硅化钽作为二硼化铪的改性成分，一方面，二硅化钽的氧化产物SiO2能够作为很好高温封填相，对二硼化铪涂层的孔洞缺陷进行封填；另一方面，二硅化钽的另一氧化产物Ta2O5能够与HfO2发生固溶反应形成HfTaOx，一定程度抑制了HfO2的晶型转变，提升了涂层的高温热稳定性。本发明所得涂层为超高温陶瓷涂层，在1800℃下具有良好的抗氧化性。本发明采用大气等离子喷涂的方式制备涂层，二硼化铪‑二硅化钽粉体沉积效率高，在喷涂过程中能够充分熔融且不发生分解。
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公开(公告)号：CN116445847A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310404459.7
申请日：2023-04-17
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种抗烧蚀复合膜层及其制备方法和应用，属于复合材料技术领域。本发明提供了一种抗烧蚀复合膜层，包括依次层叠的基体层和抗烧蚀层，所述基体层与所述抗烧蚀层接触的一侧表面设有微结构，所述抗烧蚀层的材质为ZrB2、ZrB2复合SiC、ZrC或硅酸钇。在基体表面设置微结构使得基体表面积增大3倍以上，从而增加范德华力作用面积，提高结合力，且形成的抗烧蚀层会充满微结构，形成互锁结构(卯榫结构)，进一步增大结合力；微结构在烧蚀时刻释放应力减少微裂纹产生概率，有利于缓解涂层中的热应力，提高了抗烧蚀性能和结合力，使抗烧蚀层不易脱落。SiC层是良好的高温导热层，微结构可以提高导热性能，降低热应力集中。
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