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公开(公告)号：CN103887152A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410136749.9
申请日：2014-04-04
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/06
Abstract: 本发明涉及一种半导体中异价金属离子掺杂的方法，属于半导体纳米材料的绿色制备及光电性能调控领域。所述方法包括：将油酸、油胺加入到异价金属M的硫属化合物MxXy纳米颗粒溶胶中，搅拌均匀，得到混合物a；将混合物a中再加入镉盐的甲醇溶液，搅拌均匀，得到混合物b；将混合物b加入膦配体，于30～80℃搅拌反应2h～4h，洗涤离心，得到沉淀物c，将所得沉淀物c分散到非极性有机溶剂中，得到异价掺杂的半导体。所述方法操作简单，低温下在溶剂中实现半导体光电纳米材料中异价金属离子的有效取代性掺杂，并实现了对半导体纳米材料的发光性质，p、n型导电类型的调控，应用领域广泛。
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公开(公告)号：CN118080849A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410046909.4
申请日：2024-01-11
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Cu@Au3Cu@CdS核壳纳米晶及其制备方法和应用，将预定量的Au前驱体以热注入的方式与Cu纳米晶在油相体系中充分混合，使铜纳米晶表面形成原子级厚度Au3Cu壳层；再加入Ag+与S2‑溶液充分搅拌，利用油胺的还原性使纳米晶表面形成连续的Ag2S壳层，进而通过离子交换法将Ag2S转换为CdS，以得到Cu@Au3Cu@CdS核壳纳米晶。本发明的Cu@Au3Cu@CdS核壳纳米晶能进行高选择性的CO2还原，其CO选择性可达到99.99％，具有优异的催化稳定性，为光催化二氧化碳还原提供了新的催化材料，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116634786B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310914917.1
申请日：2023-07-25
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明属于有机太阳能电池检测技术领域，具体涉及一种电流‑电压测试用有机太阳能电池及其制备方法。公开的电流‑电压测试用有机太阳能电池，包括带有预设ITO图案的基片，其中带有预设ITO图案基片上的ITO作为阳极层，依次层叠空穴传输层、活性层、电子传输层和阴极层，形成太阳能电池。本发明中基片设计有若干个电池位置，每个电池均有独立的阴极测试位点和阳极测试位点，避免测试过程中电池之间相互影响，提高测试效率；每个电池的测试位点与电池之间的距离保持相同且距离够短；电池在基片上呈离散式均匀分布。本发明对基片利用率高、测试数据准确且平行性好，大幅度提升了电池测试效率，并有利于评估大面积范围内活性层成膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN113851038B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011320054.8
申请日：2020-11-23
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种基于近红外发光量子点的防伪和信息保密方法。通过将同时具有可见光‑近红外光双模荧光发射特性的掺杂量子点油墨进行打印，得到防伪标记；然后在紫外光激发下，采用具有滤掉可见光能力的滤光片滤掉发射的可见光，并采用红外观测设备获取图案信息，根据是否能观察到荧光图案鉴别真伪，或者根据观察到的荧光图案确定保密信息。本发明还通过在防伪标记基础上打印干扰图样，增加防伪和保密的复制或破解难度。本发明选用的掺杂量子点是通过循环热注入法包覆钝化壳层得到，荧光性能更稳定。因此，本发明操作简单，能够实现较强的防伪和保密作用，仅通过手机摄像头就能进行鉴别和获取保密信息，简单快捷，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN111847499B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202010790775.9
申请日：2020-08-07
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种基于离子交换反应制备掺杂铜的硫化镉纳米片的方法，包括：制备铜的硫化物的纳米片有机溶胶；制备镉源；在氮气保护下，将所述铜的硫化物的纳米片有机溶胶与所述镉源混合，并注入有机膦配体离子交换剂，于150℃～200℃反应5～20min，得到掺杂铜的硫化镉纳米片。本发明的基于离子交换反应制备掺杂铜的硫化镉纳米片的方法能一方面能够实现掺杂铜的硫化镉纳米片的热力学亚稳相，另一方面由于在离子交换过程中，创造阳离子空位，从而实现取代型掺杂，使掺杂铜的硫化镉具有光致荧光特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111847499A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010790775.9
申请日：2020-08-07
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种基于离子交换反应制备掺杂铜的硫化镉纳米片的方法，包括：制备铜的硫化物的纳米片有机溶胶；制备镉源；在氮气保护下，将所述铜的硫化物的纳米片有机溶胶与所述镉源混合，并注入有机膦配体离子交换剂，于150℃～200℃反应5～20min，得到掺杂铜的硫化镉纳米片。本发明的基于离子交换反应制备掺杂铜的硫化镉纳米片的方法能一方面能够实现掺杂铜的硫化镉纳米片的热力学亚稳相，另一方面由于在离子交换过程中，创造阳离子空位，从而实现取代型掺杂，使掺杂铜的硫化镉具有光致荧光特性。
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公开(公告)号：CN110126257B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910401853.9
申请日：2019-05-15
Applicant: 北京理工大学
IPC: B29C64/106 , B29C64/209 , B29C64/314 , B29C64/393 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y40/10 , B33Y50/02 , B33Y70/10
Abstract: 本发明涉及一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，属于荧光聚集，荧光成像，光电探测领域。本发明的一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，通过将半导体纳米晶溶液与柔性基质充分混合进行3D打印技术成型，可以得到传统技术难以实现的柔性基质半导体纳米晶器件，并且可以得到传统技术难以实现的各向异性器件，可以定性定量地控制某一点或某一面的光电性能的强弱，大大提高了半导体纳米晶器件的性能，并且通过增材制造的方式可以大量节约原材料，使用少量的半导体纳米晶就可以保证器件性能，节约材料并且高效。
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公开(公告)号：CN106629815B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201611220809.0
申请日：2016-12-26
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种具有中空微反应腔结构的半导体基异质纳米晶及其制备方法。利用Na2S水溶液原位将实心的Cu2O纳米晶部分硫化或将实心的Au@Cu2O核壳纳米晶的Cu2O壳层硫化，使实心Cu2O纳米晶或Au@Cu2O核壳纳米晶，转变为具有中空微反应腔结构的Cu2O/Cu2S或Au/Cu2S异质纳米晶并形貌保持；再利用阳离子反应将Cu2S外层转化为其他硫族半导体，获得具有中空微反应腔结构的半导体基异质纳米晶，其中微腔内核为Cu2O或Au纳米晶，外层为硫化物半导体，优选为CdS、ZnS、Cu2S、SnS。本发明方法简单，内核和外层材料组成、形貌可调，为异相催化、催化有机合成、药物缓释等提供微反应腔。
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公开(公告)号：CN103887152B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410136749.9
申请日：2014-04-04
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/06
Abstract: 本发明涉及一种半导体中异价金属离子掺杂的方法，属于半导体纳米材料的绿色制备及光电性能调控领域。所述方法包括：将油酸、油胺加入到异价金属M的硫属化合物MxXy纳米颗粒溶胶中，搅拌均匀，得到混合物a；将混合物a中再加入镉盐的甲醇溶液，搅拌均匀，得到混合物b；将混合物b加入膦配体，于30～80℃搅拌反应2h～4h，洗涤离心，得到沉淀物c，将所得沉淀物c分散到非极性有机溶剂中，得到异价掺杂的半导体。所述方法操作简单，低温下在溶剂中实现半导体光电纳米材料中异价金属离子的有效取代性掺杂，并实现了对半导体纳米材料的发光性质，p、n型导电类型的调控，应用领域广泛。
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公开(公告)号：CN105268966A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510646875.3
申请日：2015-10-08
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种Au@Cu2-δX纳米晶体、其制备方法和应用，属于纳米材料领域。所述晶体为核壳结构纳米晶体，Au为核，Cu2-δX为壳，X为S、Se或Te，δ为0～1；所述方法为：将Au@CdX纳米晶体分散到非极性有机溶剂中，加入六氟合磷酸四乙腈合铜(I)或其溶液，混合均匀得反应液；加入无水乙醇沉淀，离心得到沉淀为所述晶体；所述晶体可应用于光热转化以及癌症光热疗等领域。所述晶体在近红外区具有较高的吸光系数和较高的光热转化系数，填补了双模态SPR耦合的光热转化复合材料的技术空白；所述方法可调整所述晶体的尺寸、形貌及壳层化学组分，条件温和简单易行，实现所述晶体吸收光谱在可见光-近红外光区内可调。
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