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公开(公告)号：CN113131223B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110363499.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开一种双极化双吸收带的电磁波吸收器，包括内外嵌套的两个空心长方体结构介质基底单元，分别为外层介质基底单元和内层介质基底单元；外层介质基底单元的四个内侧面分别设置有金属覆层单元，每个金属覆层单元上均设置有相互平行且长度不同的两条缝隙，分别为第一缝隙和第二缝隙；内层介质基底单元的每个内侧面均设置有第一金属条、第二金属条以及贴片电阻器，所述第一金属条和第二金属条为Γ形金属条，且以内侧面纵向中位线为轴呈轴对称设置，贴片电阻器连接第一金属条的水平段和第二金属条的水平段；本发明的电磁波吸收器结构能实现双宽带吸波、大角度吸波以及极化不敏感的特性，同时保证结构本身的小型化和加工流程较简单的特点。
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公开(公告)号：CN113131223A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110363499.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开一种双极化双吸收带的电磁波吸收器，包括内外嵌套的两个空心长方体结构介质基底单元，分别为外层介质基底单元和内层介质基底单元；外层介质基底单元的四个内侧面分别设置有金属覆层单元，每个金属覆层单元上均设置有相互平行且长度不同的两条缝隙，分别为第一缝隙和第二缝隙；内层介质基底单元的每个内侧面均设置有第一金属条、第二金属条以及贴片电阻器，所述第一金属条和第二金属条为Γ形金属条，且以内侧面纵向中位线为轴呈轴对称设置，贴片电阻器连接第一金属条的水平段和第二金属条的水平段；本发明的电磁波吸收器结构能实现双宽带吸波、大角度吸波以及极化不敏感的特性，同时保证结构本身的小型化和加工流程较简单的特点。
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公开(公告)号：CN110829036A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911067506.3
申请日：2019-11-04
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明公开了一种超薄超宽带电磁波吸收体，包括若干个呈矩形周期排布的方形介质基底单元、设置在介质基底单元上表面的金属单元和设置在介质基底单元下方的金属板，所述金属单元包含四个相同的L形金属条，所述L形金属条的相互垂直的两金属段内分别焊接有贴片电阻，任一L形金属条以所在方形介质基底单元中心为旋转中心，依次旋转90°，180°和270°，确定四个互不交叉和互不重叠的L形金属条的位置，L形金属条中的两金属段距旋转中心的距离不同，介质基底单元与金属板之间存在间距；本发明能够在较宽的工作频带内实现RCS降低的同时保证较薄的厚度，利于电磁波吸收体在商业系统中的应用。
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公开(公告)号：CN110518350A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910851163.3
申请日：2019-09-10
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种具有小尺寸且高增益特性的圆极化天线，具体设计了一个带有开槽的方形贴片单元，其相邻两边有金属化通孔，可以等效为电壁，视为短路，电场从另外的两边辐射，通过调整开槽以及馈电位置来控制电场分量的幅度和相位差进而实现圆极化，然后将四个天线单元依次旋转90°排列组阵，提高天线增益。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN112530910B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202011295106.0
申请日：2020-11-18
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于芯片三维封装的金属波导装置及其设计方法，解决了利用在波导屏蔽腔体外部直流电路对集成封装于金属波导内部的芯片进行集成、控制的问题，并降低了传输中的电磁波损耗。本发明先确定该芯片工作的频率范围，根据此设计金属波导内部的空气腔的尺寸；接着设计电磁带隙波导结构的参数，包括周期性长方形金属柱的高度h，底面边长w和周期距离p，使得在空腔里传播的电磁波无法从两侧泄露，且h与空气腔的高度一致，同时尺寸满足易于加工的要求；最后根据芯片的尺寸，在电磁带隙波导结构中的预留空槽中镶嵌入芯片，并将芯片控制引线从空气腔内部途经周期性长方形金属柱之间的空隙引出，连接至PCB控制电路板上。
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公开(公告)号：CN114976675A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210553692.7
申请日：2022-05-20
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种极端入射角下的宽带双极化电磁吸波器及其设计方法，包括若干个呈矩形周期排布的吸波结构单元，每个吸波结构单元包括矩形介质板、设置在介质板上表面的谐振结构、设置在介质板下方的金属板，介质板与金属板之间存在间距；谐振结构包括两个相同的长方形金属贴片、一个长方形金属环及嵌入在四个边中点处的集总电阻元件，两个长方形金属贴片位于长方形金属环内部；本发明能够在入射角度为75°时，工作频段在5.34‑10.24GHz内的TE和TM双极化电磁波入射时表现出高效的吸收性能。
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公开(公告)号：CN112952391B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011298135.2
申请日：2020-11-18
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种具有超宽入射角稳定性的频率选择表面及其设计方法，能够在各个斜入射角度实现结构等效阻抗与空气阻抗匹配，从而实现了从0°到80°斜入射角度范围内均保持稳定的传输响应。本发明提出的频率选择表面包括介质板、位于介质板上表面的谐振结构、位于介质板下表面的馈电结构和连通介质板上下表面的金属通孔。本发明根据空气阻抗确定结构的等效阻抗满足的条件，求出μt和εt需满足的条件；设计位于介质板上表面的谐振结构的参数；将正方形金属贴片分成两个等大的长方形金属贴片，并在其中间嵌入变容二极管，在介质底部添加馈电线路，通过金属通孔连接至上层的变容二极管两侧，并沿着与上层平行金属线垂直的方向分布。
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