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公开(公告)号：CN108365847B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201711483390.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03M1/14
Abstract: 本发明公开了一种针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法，所述电荷型SAR‑ADC包括LSB电容阵列，将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连，第一补偿电路的另一端接任意恒定电位，第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cdl＇并联组成，通过调节第一补偿电路来调节SAR‑ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu，共L位，从低位到高位分别以2倍的关系递增，最高位电容值为2L‑1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时，则如下关系式成立：CLt＝(2L‑1)·Cu+Cdl+Cdl＇。所述针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度，特别适合高精度ADC的设计。
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公开(公告)号：CN108365847A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201711483390.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03M1/14
Abstract: 本发明公开了一种针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法，所述电荷型SAR-ADC包括LSB电容阵列，将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连，第一补偿电路的另一端接任意恒定电位，第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cd＇l并联组成，通过调节第一补偿电路来调节SAR-ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu，共L位，从低位到高位分别以2倍的关系递增，最高位电容值为2L-1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时，则如下关系式成立：CLt＝(2L-1)·Cu+Cdl+Cd＇l。所述针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度，特别适合高精度ADC的设计。
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公开(公告)号：CN120074522A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510071024.4
申请日：2025-01-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电阻单元、放大器、数据采集系统及数据处理方法，属于芯片技术领域。所述电阻单元包括：至少两个具有相同阻值的P型多晶硅电阻和至少两个具有相同阻值的N型多晶硅电阻，所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻的数量相等，且所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻串联以形成关于中间节点相对称的电阻单元，并且所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻的阻值能被调整以通过两者之间的场效应互补作用来消除因多晶硅电阻引起的非线性误差。本发明实施例利用多晶硅电阻本身的物理性质，消除多晶硅电阻在电路中引起的非线性误差，可靠性好、通用性广泛。
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公开(公告)号：CN118100927A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410157414.9
申请日：2024-02-04
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种流水线‑噪声整形逐次逼近型模数转换器及其控制方法，模数转换器包括：一阶噪声整形逐次逼近型模数转换电路、级间积分电路和二阶噪声整形逐次逼近型模数转换电路，一阶噪声整形逐次逼近型模数转换电路，用于采样量化输入信号得到残差电压，并将残差电压发送到级间积分电路进行放大积分，以及根据残差电压和放大积分结果得到一级处理结果；二阶噪声整形逐次逼近型模数转换电路，用于采样量化处理放大积分结果得到的二级处理结果，并对一级处理结果和二级处理结果进行处理得到目标数字信号。该模数转换器能够有效降低信号带宽内的量化噪声，提高模数转换器的带内信噪比的同时，保持较高的能量效率。
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公开(公告)号：CN112383291B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011248739.6
申请日：2020-11-10
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种数字可控延迟链，属于集成电路技术领域。所述数字可控延迟链，包括：参考电压产生模块，用于将电源电压分压为多个参考电压；数字信号选通模块，用于从多个所述参考电压选择控制电压；时钟延迟模块，用于在所述控制电压的控制下对输入时钟进行延时。本发明提供的数字可控延迟链的时钟延迟模块基于MOS器件的背栅效应，在控制电压的控制下可实现对输入时钟的精确延时，同时具有较好的线性度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110380724B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201910682065.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种RTC时钟频率温度补偿芯片，用于对晶体振荡器由于温度变化所引起的频率漂移进行补偿，RTC时钟频率温度补偿芯片包括：温度传感器、随机存储器、RTC电路。温度传感器用于检测环境温度，生成温度信号；随机存储器与温度传感器相连，其用于存储修调数据表，该修调数据表中存储了多个温度信号下所对应的频率校正值，随机存储器还用于根据温度传感器的温度信号索引出相应的频率校正值；RTC电路与晶体振荡器以及随机存储器均相连，用于根据随机存储器输出的频率校正值对晶体振荡器的频率进行校正。该RTC时钟频率温度补偿芯片能够降低对晶体振荡器的选型要求，以及降低片上的温度传感器的测温误差精度要求。
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公开(公告)号：CN114826266A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210424616.6
申请日：2022-04-21
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及模数转换技术领域，其实施方式提供了一种模数转换器及模数转换方法。所述电容阵列中电容的第一极板通过该电容对应的多路选择开关选择接参考电压或接地，所述电容阵列中电容的第二极板接输入电压，所述电容阵列分为第一电容阵列和第二电容阵列；所述第一电容阵列包括：按照电容权值以2的0次幂至m次幂的方式依次排列的电容，m为非负整数；所述第二电容阵列包括：2n‑1个电容权值均为2m+1的依次排列的电容，n为大于等于2的整数；所述第二电容阵列的一端与所述第一电容阵列中的电容权值为2m的电容所在端相邻。本发明提供的实施方式能够使模数转换器中电容的翻动个数难以探测。
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公开(公告)号：CN114499518A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111617753.3
申请日：2021-12-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本申请公开一种校正方法、模数转换器和电路结构。校正方法包括：利用第一模数转换器转换模拟输入信号以得到第一M位码值；在第一M位码值中加入扰动以得到第二M位码值；分别将第一M位码值和第二M位码值加载至第二模数转换器并分别转换模拟输入信号以得到第一N位码值和第二N位码值；根据电容权重关系分别处理第一N位码值和第二N位码值以得到第一输出码值和第二输出码值；在第一输出码值和第二输出码值的输出差值大于预设误差时，校正电容权重关系以得到更新权重。本申请在第一M位码值中加入扰动，使第二模数转换器对同一模拟输入信号产生两组输出码值，根据两组输出码值可以对电容权重关系进行校正，从而减小系统误差，保证系统的线性度。
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公开(公告)号：CN114374390A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111406796.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种温度传感器电路与芯片，其中，温度传感器电路包括粗转换ADC模块、偏置电流调整模块、细转换ADC模块和输出模块。其中，先利用粗转换ADC模块将测温器件所检测到的温度信号进行模数转换，以获得第一数字信号和模拟量残差信号，然后偏置电流调整模块将第一数字信号进行调整以向细转换ADC模块输出偏置电流，细转换ADC模块根据该偏置电流对模拟量残差信号进行模数转换以获得第二数字信号，最后利用输出模块根据第一数字信号和第二数字信号输出数字温度信号。由此，本发明实施例的温度传感器电路，能够保证温度传感器电路在温度范围内都可以正常工作，同时降低电路功耗，提高电路的工作性能。
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公开(公告)号：CN112486242B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202011230892.6
申请日：2020-11-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种基于基准源的电流温度系数控制电路，包括：零温度系数电压生成模块，用于生成零温度系数电压；可调温度系数电流生成模块，包括第三电阻R3、第七PMOS管MP7以及第六PMOS管MP6，用于在所述零温度系数电压稳定的情况下，通过所述第七PMOS管MP7的正温度系数电流与所述第六PMOS管MP6的负温度系数电流之和，得到可调温度系数的参考电流，所述参考电流的可调温度系数通过调节施加有负温度系数电流的所述第三电阻R3的阻值得到。本发明实施例在保证基准源中零温度系数电压特性稳定的前提下，实现基准源中电流温度系数的调节。
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