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公开(公告)号：CN118443998A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410403040.4
申请日：2024-04-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电子传感器领域，提供一种基于磁电效应与压电效应的电流传感器及芯片。所述电流传感器包括：支撑结构、质量块、线圈、弹性梁以及设于弹性梁表面的压电转换结构，质量块与弹性梁相连，质量块悬空设于支撑结构上，线圈设于质量块的表面。压电转换结构包括第一金属层、压电材料层及第二金属层，压电材料层设于第一金属层与第二金属层之间。本发明采用磁电效应和压电效应相结合，通过选择磁电效应‑正压电效应的工作模式或磁电效应‑逆压电效应的工作模式，实现同一个电流传感器同时兼顾直流电和交流电的检测，可应用于各种电流检测场景。
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公开(公告)号：CN118443968A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410402456.4
申请日：2024-04-03
Applicant: 天津大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01P15/105 , G01P1/00
Abstract: 本发明涉及电子传感器领域，提供一种隧道磁阻加速度计，包括支撑结构、质量块、线圈、弹性梁以及四个隧道磁阻元件，质量块与弹性梁相连，质量块悬空设于支撑结构上，线圈设于质量块的表面，四个隧道磁阻元件设置于支撑结构的表面，且对称分布于质量块的四周，其中两个隧道磁阻元件所在的直线平行于X方向，另外两个隧道磁阻元件所在的直线平行于Y方向。质量块能够在X方向、Y方向或Z方向的加速度作用下运动以带动线圈运动。四个隧道磁阻元件中每两个隧道磁阻元件构成差分磁场检测结构，能够感应线圈运动状态变化下产生的磁场变化，通过测量磁场变化值实现单轴向、双轴向(X和Y)或三轴向(X、Y和Z)加速度的高精度检测。
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公开(公告)号：CN117098447B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311364146.X
申请日：2023-10-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种垂直霍尔传感器及制造方法、芯片。所述垂直霍尔传感器包括：硅衬底、垂直嵌入硅衬底内的电源激励电极以及形成于硅衬底表面的霍尔电压检测电极，电源激励电极包括至少一个外围电源激励电极以及至少一个中间电源激励电极，霍尔电压检测电极位于外围电源激励电极与中间电源激励电极之间。其中，电源激励电极是通过在硅衬底中刻蚀形成深沟槽，在深沟槽内填充重掺杂的多晶硅和金属形成的。本发明采用沟槽电极结构的电源激励电极，避免了离子注入工艺形成掺杂区不均匀的问题，有效提高垂直霍尔传感器的灵敏度，减小零偏。
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公开(公告)号：CN116930842A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310857019.7
申请日：2023-07-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种霍尔芯片校准结构、方法、系统、装置及霍尔芯片，属于芯片技术领域。所述霍尔芯片校准结构包括：至少一个校验霍尔盘，所述校验霍尔盘的外形与待校准霍尔芯片中用于功能实现的霍尔盘的外形相同；所述校验霍尔盘设置有输入端和输出端，所述校验霍尔盘的输入端与外部激励的输出端连接，所述校验霍尔盘的输出端用于输出霍尔电压。相对于现有技术中采用电路或是模组进行校准，大大减少了校准误差，提高了校准结果的准确度。
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公开(公告)号：CN119247219A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411212360.8
申请日：2024-08-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 嵩山实验室
Abstract: 本发明涉及磁传感芯片检测领域，提供一种磁传感芯片灵敏度温漂测试装置及测试方法。所述装置包括：温箱、温漂测试模块及信号采集模块，所述温漂测试模块设置在温箱内，所述信号采集模块与所述温漂测试模块连接；所述温漂测试模块包括m个磁场发生模块，每一个磁场发生模块包括永磁体卡座及多个永磁体，所述永磁体卡座设有用于容纳待测磁传感芯片及标准磁传感芯片的通孔，多个永磁体置于所述通孔两侧的永磁体卡座内；所述信号采集模块具有m个通道，用于同时采集m个磁场发生模块对应的待测磁传感芯片及标准磁传感芯片的输出信号。通过本发明可以低成本、高效率的实现线性磁敏传感芯片的灵敏度温漂测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118362774B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410526979.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电子传感器领域，提供一种单芯片集成式电流传感器及制造方法。所述单芯片集成式电流传感器包括：电流测量单元、电磁感应取能单元以及无线通信单元，电流测量单元基于磁通门技术探测待测电流，电磁感应取能单元基于电磁感应原理产生感应电流，无线通信单元采用偶极子天线技术发送和接收信号；电流测量单元、电磁感应取能单元以及无线通信单元一体化集成于单芯片上。本发明的集成式电流传感器，可以利用微机电系统加工工艺将电流检测、取能、通信等功能结构一体化集成在单芯片上，可批量化生产，生产成本较低，且体积小、重量轻，有利于在长距离输电线路上进行大量布置。
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公开(公告)号：CN118330518A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410307486.7
申请日：2024-03-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁通门传感芯片的制作方法及磁通门传感芯片，属于传感芯片技术领域。所述磁通门传感芯片的制作方法包括：分别在两片硅片上刻蚀出磁芯槽、螺线管线圈槽和通孔，并至少在其中一片硅片上刻蚀出电极腔，两片硅片上的磁芯槽和通孔的位置相对应，两片硅片上的螺线管线圈槽的方向相反，所述电极腔与螺线管线圈槽连通；将两片硅片进行键合，使其形成闭合的磁芯槽和线圈结构；采用液态金属浇铸技术对所述闭合的线圈结构浇铸，形成磁通门线圈，得到加工好的晶圆；将所述加工好的晶圆进行划片，得到磁通门传感芯片。避免使用电镀工艺，磁芯结构不受限，磁芯厚度可以比电镀工艺提高一个数量级，提高了磁通门传感器的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN117630772A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311320837.X
申请日：2023-10-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三维隧道磁阻传感器及其制造方法。所述三维隧道磁阻传感器包括至少两个相同的隧道磁阻芯片，每一隧道磁阻芯片均包括第一磁敏单元及第二磁敏单元，第一磁敏单元及第二磁敏单元形成于同一衬底，第一磁敏单元用于感应水平方向的磁场，第二磁敏单元用于感应垂直方向的磁场，两个相同的隧道磁阻芯片以倒装焊的方式进行封装，使两个隧道磁阻芯片的第一磁敏单元面对面互联，两个隧道磁阻芯片的第二磁敏单元面对面互联，形成全桥结构。本发明通过一次制备工艺即可同时确定三个方向TMR结构的磁化方向，采用倒装焊技术实现三个方向磁敏单元的全桥结构，缩小了三维隧道磁阻传感器的体积，减少了误差。
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公开(公告)号：CN117148249B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311398272.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
Inventor： 王浩 , 李良 , 杜君 , 王祥 , 李佩笑 , 姜帅 , 方东明 , 孙恒超 , 王蔓蓉 , 季润可 , 陶毅 , 刘紫威 , 李岩 , 李胜芳 , 牛长胜 , 闻志国 , 董贤光 , 孙艳玲
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域，提供一种磁敏传感芯片测试装置及方法、磁敏传感芯片。所述磁敏传感芯片测试装置包括信号发生模块、高频电流放大模块、通电线圈、聚磁环以及示波器，通电线圈的导线缠绕于聚磁环的一侧，聚磁环的另一侧具有用于放置磁敏传感芯片的间隙，放置于间隙内的磁敏传感芯片的信号输出端与示波器连接；信号发生模块用于输出不同频率的波形信号；高频电流放大模块用于调节波形信号的幅值；通电线圈和聚磁环用于产生幅值增大的磁场，使通电线圈传导的波形信号在幅值增大的磁场作用下，在聚磁环的间隙内产生用于测试磁敏传感芯片的高频磁场信号或脉冲磁场信号。本发明低成本实现对线性磁敏传感芯片带宽及响应时间的测试。
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公开(公告)号：CN117288980A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310994800.9
申请日：2023-08-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/12 , G01P15/18
Abstract: 提供一种三轴加速度计、电子设备，属于传感器技术领域。所述三轴加速度计包括：支撑结构、弹性连接件和惯性质量块；所述惯性质量块通过所述弹性连接件与所述支撑结构相连；所述支撑结构设置有X轴固定电极和Y轴固定电极，所述惯性质量块上设置有X轴可动电极和Y轴可动电极；所述X轴固定电极与X轴可动电极形成X轴电容，所述X轴电容用于检测X轴加速度分量；所述Y轴固定电极与Y轴可动电极形成Y轴电容；所述Y轴电容用于检测Y轴加速度分量；所述弹性连接件上设置有压敏电阻，用于检测Z轴加速度分量。本发明实施例将X/Y轴方向的加速度变化转化为电容的变化，将Z轴方向的加速度变化转化为压敏电阻阻值的变化，提高三个轴向的检测灵敏度。
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