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公开(公告)号：CN101354416B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200810119690.7
申请日：2008-09-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种在透射电镜样品上制备小间距电极的方法，包括掩板的制备步骤和电极制备步骤以及电学测量步骤三部分；掩板制备步骤是将金属板材制成金属网状结构，利用光刻掩板将中空部分腐蚀去除得到；电学测量步骤，为利用两探针触压两相邻电极或者用导电胶将透射电镜薄膜通电样品杆专用导线粘接在两相邻电极上进行原位电学测量；其中电极制备步骤是利用网状掩膜的方法在透射电镜样品上制备多个电极，电极间距小于1μm。本发明提供了一种新的纳米线或薄膜的原位电学测试方法，具有性能可靠，安装方便，结构简单的特点，拓展了透射电镜的功能，并可以实现同一样品的多次电学测量，且每次测量之间互不影响。
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公开(公告)号：CN101354911B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810119688.X
申请日：2008-09-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明公开了一种相变材料信息存储方法，在电子显微镜中，通过控制位置及停留时间的电子束，在相变材料薄膜上辐照形成排列结晶点，并对其排列结晶点进行信息的读取。包括非晶相变材料薄膜以及支持部分，非晶相变材料薄膜沉积于支持部分上，薄膜均匀且平整，通过在透射电镜或者扫描电镜下，聚焦电子束的轰击，非晶相变薄膜上被轰击的点区域经历一定长的时间会形成晶化点，通过控制电子束位置，可以在小范围内获得晶化点的阵列，通过阵列中晶化点的排布变化实现信息的存储，其具有高密度及可反复擦写等特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100590903C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200810103803.4
申请日：2008-04-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料属于微电子技术领域。目前Ge2Te5Sb2材料的结晶温度较低(约为165度)面临着数据丢失的危险。本发明提供的一种用于相变存储器的硅-碲-锑存储材料，组成通式为SiaTebSb100-(a+b)，其中20≤a≤60，20≤b＜48。该材料具有相对较高的结晶温度、较好的热稳定性以及更强的数据保持能力，同时还具有均匀的晶体相结构和纳米级的晶粒尺寸，在改善了疲劳特性的同时又具有较好的可逆相变能力。
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公开(公告)号：CN101216521A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810056407.0
申请日：2008-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种在扫描电子显微镜中对待测微型元件进行电学测量的装置，具体为一种扫描电子显微镜原位电学测量装置，属于纳米材料性能原位测量领域。包括有支撑部分和电路部分，所述的支撑部分为绝缘衬底(1)，所述的电路部分包括两个固定在绝缘衬底(1)上的电极(2)、待测元件(4)和相变材料非晶薄膜(5)；所述的相变材料非晶薄膜均匀分布在两金属电极之间，待测元件位于相变材料非晶薄膜中或者集成在金属电极上。本发明中的连线具有可擦写的特点，通过电极两端加较高电压，或者直接对载网进行一定的激光脉冲辐照，使相变材料薄膜完全非晶化，使已经形成的电流通路消失实现了测量电路的可选择性，可反复擦写性。
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公开(公告)号：CN201166633Y
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200820078606.7
申请日：2008-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N13/10
Abstract: 本实用新型涉及一种透射电子显微镜样品载网，属于纳米材料测量领域。包括有支撑部分和电路部分，所述的支撑部分包括有金属环(1)，所述的电路部分包括有两个电极(2)、待测元件和相变材料非晶薄膜(5)，电极(2)与金属环(1)绝缘粘合，相变材料非晶薄膜(5)均匀分布在两电极(2)之间，相变材料薄膜(5)为非晶态，待测元件位于相变材料非晶薄膜(5中或者集成在其中的一个电极(2)上。本实用新型中的连线具有可擦写的特点，通过电极两端加较高电压，或者直接对载网进行一定的激光脉冲辐照，使相变材料薄膜完全非晶化，使已经形成的电流通路消失实现了测量电路的可选择性，可反复擦写性。
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公开(公告)号：CN201149574Y
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200820078605.2
申请日：2008-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N13/10
Abstract: 本实用新型涉及一种在扫描电子显微镜中对待测微型元件进行电学测量的装置，具体为一种扫描电子显微镜原位电学测量装置，属于纳米材料性能原位测量领域。包括有支撑部分和电路部分，所述的支撑部分为绝缘衬底(1)，所述的电路部分包括两个固定在绝缘衬底(1)上的电极(2)、待测元件(4)和相变材料非晶薄膜(5)；所述的相变材料非晶薄膜均匀分布在两金属电极之间，待测元件位于相变材料非晶薄膜中或者集成在金属电极上。本实用新型中的连线具有可擦写的特点，通过电极两端加较高电压，或者直接对载网进行一定的激光脉冲辐照，使相变材料薄膜完全非晶化，使已经形成的电流通路消失实现了测量电路的可选择性，可反复擦写性。
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公开(公告)号：CN201285770Y
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200820122450.8
申请日：2008-09-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种相变存储器单元结构，使用于微电子学中的纳米材料制造工艺中。该结构包括：在绝缘衬底上依次沉积的底电极、过渡层、绝热层、相变材料层、过渡层和顶电极，特征在于：所述的相变材料层下方设置了具有中空槽的中空槽状钨电极，中空槽内填充有绝热材料SiO2，以减少发热部分接触面从而减少结晶区域体积，所述中空槽状钨电极的内半径为钨电极外半径的0.4倍以上，当单元两端的电流超过阈值电流后相变材料产生由非晶相到晶体相的转变。钨电极由于采用了中空结构，从而提高了初始晶化与完全晶化状态之间的电阻差，两种稳定晶化状态之间可以通过不同的操作电流实现更多的中间电阻状态，提高了相变存储器的存储能力。
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