用于调控晶圆外延生长均匀性的装置及方法

    公开(公告)号:CN114318524A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111629561.4

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 本发明涉及一种用于调控晶圆外延生长均匀性的装置及方法,该用于调控晶圆外延生长均匀性的装置包括加热炉、托盘、支撑杆、温度传感器、引线及温度控制模块,托盘与支撑杆均安装于加热炉内,托盘用于放置生长晶圆或测温晶圆,支撑杆连接托盘,支撑杆用于驱动托盘转动;温度传感器安装于托盘上,引线的一端连接温度传感器,另一端连接温度控制模块,引线穿设支撑杆,并用粘接剂密封;工作时,生长晶圆或测温晶圆用于放置于温度传感器上。本装置通过温度传感器实时监测生长晶圆或测温晶圆的表面温度,且将监测的温度在线反馈至温度控制模块进行控温,测温和控温精确,确保调控晶圆外延生长的均匀性,实现大尺寸晶圆生长的一致性。

    一种提高多片机晶圆生长均匀性的装置

    公开(公告)号:CN217869190U

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202222244009.X

    申请日:2022-08-25

    Abstract: 本实用新型公开了一种提高多片机晶圆生长均匀性的装置,包括支撑杆和设置于所述支撑杆上的载盘,所述支撑杆受驱旋转时,所述载盘随之旋转,所述载盘上设有用于放置晶圆的托盘,所述载盘和所述托盘之间设有导气盘,借由所述导气盘向所述托盘提供气流驱动所述托盘转动。通过支撑杆带动载盘进行公转,通过导气盘向托盘提供倾斜气流驱动托盘自转,进而实现卫星旋转,最终实现晶圆厚度成环状均匀分布,且晶圆中心与边缘厚度也均匀分布。

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