主族金属配合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110467633B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201910251385.1

    申请日:2019-03-29

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种主族金属配合物,或其药学上可接受的盐、溶剂化物、非共价键复合物或前体药物,所述主族金属配合物由希夫碱类平面四齿配体和p区主族金属离子。该主族金属配合物的制备简单便利,得到的主族金属配合物对多种癌细胞系均表现出了高细胞毒性,并且对杀伤效果具有选择性。将本发明提供的主族金属配合物制备为药物组合物或药物制剂后可以用于肿瘤治疗。该主族金属配合物还具有荧光性能,可以用于荧光标记。

    一种硅基集成相干光发射机芯片及发射机

    公开(公告)号:CN104301041B

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201410539951.6

    申请日:2014-10-13

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种硅基集成相干光发射机芯片及发射机,所述一种硅基集成相干光发射机芯片包括光耦合器、光分束器、光合束器、硅基调制器、固定相移器以及耦合偏振合束器;所述光耦合器用于实现输入端光耦合;所述光分束器、光合束器用于实现光信号的分束、合束功能;硅基调制器为核心调制器部分,用于实现将电信号加载到光信号的功能,完成调制信号光的产生;固定相移器用于实现光信号相位的固定旋转;耦合偏振合束器用于将两路横电(TE)偏振态的信号光合束为一路横电磁(TEM)信号光。本发明适用于采用多相位调制、偏振复用的光通信系统中,具有成本低、CMOS工艺兼容、实现简单、集成度高、易于封装等优点。

    一种硅基集成相干光发射机芯片及发射机

    公开(公告)号:CN104301041A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201410539951.6

    申请日:2014-10-13

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种硅基集成相干光发射机芯片及发射机,所述一种硅基集成相干光发射机芯片包括光耦合器、光分束器、光合束器、硅基调制器、固定相移器以及耦合偏振合束器;所述光耦合器用于实现输入端光耦合;所述光分束器、光合束器用于实现光信号的分束、合束功能;硅基调制器为核心调制器部分,用于实现将电信号加载到光信号的功能,完成调制信号光的产生;固定相移器用于实现光信号相位的固定旋转;耦合偏振分束器用于将两路横电(TE)偏振态的信号光合束为一路横电磁(TEM)信号光。本发明适用于采用多相位调制、偏振复用的光通信系统中,具有成本低、CMOS工艺兼容、实现简单、集成度高、易于封装等优点。

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