公开(公告)号：CN101741007B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200810226036.6

申请日：2008-11-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  洪涛 ,  陈挺 ,  冉广照 ,  陈娓兮

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/02

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/34373

Abstract: 本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；同时，利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；最后，将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。本发明金键合硅基激光器可用于集成化生产。与直接键合硅基激光器的方法相比，本发明具有操作简单，对环境要求不高，成本较低的优点。

公开(公告)号：CN100463243C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200410048076.8

申请日：2004-06-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  冉广照 ,  乔永平 ,  张伯蕊 ,  徐爱国 ,  马国立 ,  陈娓兮

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L33/00 ,  H05B33/26 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法，涉及顶出光电致发光器件领域。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，所述有机发光层上设有LiF层，所述LiF层上设有厚度为0.6-15nm的Al层，在所述Al层上设有厚度为3-20nm的Au层。该薄层可以用普通的真空蒸镀方法(10-5托)来完成，电极透光率比薄Al/Ag层高约40-50%，而且外层的Au膜不像Ag膜那样易于被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面有广泛用途。

公开(公告)号：CN1642376A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200410001060.1

申请日：2004-01-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  陈娓兮 ,  冉广照 ,  乔永平 ,  马国立 ,  徐爱国 ,  吴世康 ,  张伯蕊 ,  戴伦

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/26 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。本发明所提供的有机电致发光器件，至少包括发光层，以及分别位于所述发光层上下的阴极层和阳极层，且所述阳极层的阳极为硅。该有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：1)在硅片背面制作欧姆接触金属；2)在步骤1)所述已制备好欧姆接触金属的硅片正面生长空穴注入/控制层；3)在步骤2)所述空穴注入/控制层上依次真空淀积空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入/控制层；4)用模板淀积法或用淀积加光刻的方法在步骤3)所述电子注入/控制层上依次制备透光阴极和厚阴极；5)在步骤4)所述透光阴极和厚阴极上制备器件钝化保护膜。本发明的有机电致发光器件可广泛应用于视频数字显示、仪器监控、广告等领域。也可实现微显示、(Microdisplay)，随身“看”等特殊要求，从而用在军事，电子游戏等特殊领域。