公开(公告)号：CN117150578A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311153263.1

申请日：2023-09-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  秦雅博 ,  蔡一茂 ,  黄如

IPC: G06F21/73 ,  G06F21/72 ,  G11C13/00 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14 ,  G06F21/76

Abstract: 本发明公开一种可重构物理不可克隆函数的实现方法，属于半导体(semiconductor)和CMOS混合集成电路技术领域。本发明基于十字交叉堆叠忆阻器阵列，阵列中的忆阻器具有混合可重构的阻变模式，只需一次写操作就可产生无偏0/1分布，操作简单，可实现高度并行写入操作，降低了0/1产生的延迟，同时实现了PUF激励响应对的验证过程和PUF可重构过程。相较基于传统CMOS以及其他新型存储器阵列的PUF实现方案，本发明具有显著降低的硬件代价以及更加简单的操作方式，同时由于阈值开关器件的阈值转变特性可抑制串扰和泄漏电流问题，具有高可靠性和高稳定性的优势。

公开(公告)号：CN117114064A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311075023.4

申请日：2023-08-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  秦雅博 ,  王宗巍 ,  高嘉骏 ,  黄如

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/049

Abstract: 本发明公开一种基于自选择RRAM阵列实现信号MASK预处理的方法及应用，属于新型存储与计算领域。本发明利用自选择RRAM器件阵列中器件初始处于高阻态，对阵列中每行器件依次输入固定脉冲宽度与幅值的脉冲后，在相同脉冲的作用下随机切换至RRAM模式或IMT模式，两种模式对应的阈值转换电压不同，RRAM模式下的阈值转换电压(Vset)大于IMT模式下的阈值转换电压(Vth)，由此生成随机MASK矩阵。本发明提高了对输入信号处理的效率，对储备池计算(Reservoir Computing)具有重要意义。

公开(公告)号：CN115688891A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211422830.4

申请日：2022-11-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  单林波 ,  凌尧天 ,  秦雅博 ,  王宗巍 ,  黄如

IPC: G06N3/06 ,  G06N3/049

Abstract: 本发明提出了一种可塑神经元电路及其应用，属于半导体、人工智能和神经形态计算技术领域。本发明将忆阻器件和易失器件叠加构成顶电极、易失层、非易失层、低电极叠层器件，该叠层器件作为LIF型脉冲神经元，该脉冲神经元串联一个电阻或者晶体管充当神经元的细胞膜的泄露电阻，随后与寄生电容连接，该寄生电容作为充电电容与电压源共同完成神经元激励。本发明通过改变非易失层电阻来调节神经元可塑性。器件结构和调控方式都比较简单，而且功耗较低，对未来的神经形态芯片的研究有着重要意义。

公开(公告)号：CN115617309A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211299813.6

申请日：2022-10-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  秦雅博 ,  王宗巍 ,  杨韵帆 ,  黄如

IPC: G06F7/58

Abstract: 本发明公开了一种真随机数发生器电路，属于新型存储与计算技术领域。本发明利用易失性阻变器件开启的延迟时间作随机源，搭建了结构简单的TRNG电路，只用到一个反相器、T触发器、D触发器以及异或门XOR，无需比较器、放大器、电容、时钟Clock等，可以降低电路面积与功耗。与基于传统的CMOS电路以及目前报道的基于新型存储器件的TRNG相比，本发明利用易失性阻变器件构建TRNG，具有电路结构简单、无需后校准处理电路、随机数产生速率快的优势，实现了高速可靠的TRNG。