公开(公告)号：CN117568923A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311559319.3

申请日：2023-11-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 于彤军 ,  王泽人 ,  吴洁君 ,  刘云琪 ,  张皇澍 ,  陈加昊 ,  沈波

IPC: C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公布了一种用于HT‑HVPE生长大尺寸氮化铝厚膜的装置和方法，包括隔光通流装置，配合间断式生长方法。隔光通流装置至少包括：单层隔板或多层隔板及磨砂牺牲石英管；隔板内设有多个隔光通孔；气流可顺畅通过隔光通孔；光线则被隔光通孔阻挡；隔板套设于磨砂石英牺牲管内。间断式生长方法为：III族源AlCl3和V族源氨气交替通断，气流流量足够以使得气流顺利通过隔光通流部件，防止在错位或弯折斜通孔处的沉积，到达高温区并在衬底表面反应沉积生长AlN。本发明能够解决现有技术中Al源区及生长区需要温度陡变，而高温下反应室和喷嘴易受高温破坏的问题。

公开(公告)号：CN116239088A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202111485440.7

申请日：2021-12-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴洁君 ,  王泽人 ,  于彤军 ,  朱星宇 ,  赵起悦 ,  韩彤 ,  沈波

IPC: C01B21/072 ,  C30B35/00 ,  C30B23/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公布了一种用于降低氮化铝晶体中氧杂质含量的源粉预烧结方法，属于半导体制造领域。本发明首先对氮化铝源粉进行三段式除氧杂质，再通过增加源粉的颗粒大小，减小源粉的比表面积，达到降低源粉二次吸附氧元素的能力。采用本发明获得的源粉用于后继PVT法生长氮化铝单晶，SIMS测量发现，后续生长的AlN晶片氧杂质含量从6x1017cm‑3降低到1x1017cm‑3。本发明可以降低氮化铝单晶晶体中的含氧量，有利于实现高质量氮化铝单晶的制备。

公开(公告)号：CN115012040A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210947857.9

申请日：2022-08-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  刘放 ,  刘强 ,  郭昱成 ,  王泽人 ,  吴洁君 ,  于彤军 ,  张国义 ,  沈波

IPC: C30B29/40 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明公开了一种利用单晶二维材料制备大尺寸氮化物体单晶的方法。本发明利用拼接多晶氮化物基元得到载体氮化物基板，在其上下表面转移的二维材料上制备单晶扩展层与单晶截止层，通过构建高温高压温度梯度场诱导从单晶AlN诱导体到整个氮化物结构的单晶化过程，能够制备出厘米级厚度百微米直径以上的大尺寸氮化物体单晶，并制备GaN或AlN等不同氮化物体单晶，通过超高质量的单晶AlN诱导体诱导重结晶，能够得到极高晶体质量的氮化物体单晶，工艺难度小并适于批量生产；本发明适用于氮化物半导体单晶衬底制备产业，氮化物体单晶切割后，能够作为衬底用于制造高性能的发光器件和电子器件，在激光照明、射频通讯等领域具有重要应用。