公开(公告)号：CN110929468A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201911111343.4

申请日：2019-11-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  李艮松 ,  张兴 ,  黄如

IPC: G06F30/39 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种单粒子辐照引入的涨落的表征方法及应用，通过测试提取单粒子辐照前后多个不同尺寸器件的阈值电压分布，获得单粒子辐照引起的阈值电压涨落，进而对工艺涨落模型进行修正，修正辐射环境下工作的电路设计裕度要求。本发明计算方法简单，应用范围广，可以面向不同技术代和不同辐射环境应用需求，修正辐射环境下工作的电路设计裕度要求，提高纳米级集成电路在辐射环境下工作的可靠性。

公开(公告)号：CN110880491A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201911099567.8

申请日：2019-11-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  李艮松 ,  张兴 ,  黄如

IPC: H01L23/552 ,  H01L27/02 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种提高MOS器件或集成电路抗辐照性能的方法，利用纳米级MOS器件引入的应变硅技术的工艺特点，在版图设计时适当调整PMOS器件源漏扩散区长度SA，最终增大沟道中的压应力，从而可以提高沟道中空穴迁移率，提高PMOS器件的常态性能，另一方面，还可以减小总剂量辐照引起的阈值电压漂移，从而减少总剂量辐照对纳米级MOS器件的影响，提高纳米级集成电路抗总剂量辐照性能。