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公开(公告)号：CN101582473A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810106414.7
申请日：2008-05-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种调节LED发光波长的方法，是在缓冲层上先生长第一n型欧姆接触层，再沉积一层SiO2薄膜作为掩膜，在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口，然后在生长窗口处继续生长第二n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层。不同形状和尺寸的生长窗口对二次外延器件内部应力的调节可以使同一种生长工艺条件下制备的器件发出不同波段的辐射光。采用这一特殊方法可制备白光LED，即在掩膜的不同区域根据预先设计开设不同形状、尺寸和数量的生长窗口，可从一个器件发出不同波段的辐射光，它们混合后得到白光。该LED器件只需单一芯片即可发出白色光，而且制备简便，电路简单，无需荧光粉，受命长，具有较高光的电转化效率。
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公开(公告)号：CN101580930A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810106413.2
申请日：2008-05-13
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种AlN缓冲层的生长方法，采用金属有机化学气相沉积方法，以氢气作为载气，TMAl和NH3分别作为Al源和N源，控制温度为1050℃－1200℃，压力为100－200torr，V/III为400－800，采用交替通入TMAl和NH3的脉冲方式在蓝宝石衬底上生长50－150个周期的AlN缓冲层，具体每个周期依次通入3－10s TMAl，3－10s载气，3－10s NH3和3－10s载气。这种方法简单易行，生长窗口宽，在此基础上来外延生长AlN或AlxGa1－xN(0≤x＜1)外延层，尤其是高Al组分的AlxGa1－xN外延层，可以有效降低外延层中的位错密度，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN101556983A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200810103520.X
申请日：2008-04-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种单芯片白光LED及其制备方法，该LED包括依次叠加的光致荧光层、n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层，其中：有源层为可发射370－420nm的近紫外光波段的量子阱，光致荧光层是在近紫外光激发下发出黄绿荧光的非掺杂GaN层。所述光致荧光层是利用GaN材料中Ga空位和氧掺杂替氮位配对可以被近紫外光激发而发出黄绿光的特点而形成的，通过在生长GaN层时提高氨气源的流量将V/III比提高至4000－9000，或者降低生长温度至900－1050℃来大量引入上述缺陷。该LED器件只需单一芯片即可发出白色光，而且器件的制备工艺简单，无需荧光粉，寿命长，具有较高的光电转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101257081A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810103336.5
申请日：2008-04-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种双波长单芯片发光二极管，属于半导体照明领域和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术领域。该器件包括若干个n型接触层、两个有源层和若干个p型接触层，上述n型接触层、有源层和p型接触层为相互叠加结构，所述两个有源层为不同光波段的量子阱，且上述两个有源层之间共用一p型接触层或一n型接触层。本发明LED器件可以通过控制各个电极所加的电流、电压的大小，控制两种不同光波段的量子阱的发光强度，且具有器件电路简单，寿命长，光电转化效率高的特点。本发明对制备无需荧光粉，较高光电转化效率的单芯片白光LED具有重要意义，并且将在白光照明，全色显示和光调节领域发挥重要作用。
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公开(公告)号：CN102005370A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010504222.9
申请日：2010-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种新的制备同质外延衬底的方法，属于制备高效、大功率氮化镓基发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）等光电子学器件技术领域。本发明首先将氮化镓同质自支撑衬底刻蚀分割为若干个独立的部分；在上述分割后的同质自支撑衬底上，用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法进行再次外延，将分立化的衬底横向连接，再次形成完整氮化镓同质自支撑衬底。采用本发明制备出的同质外延衬底可有效的防止形变对光电子学和电子学器件的性能影响，提高同质外延生成LED、LD和高电子迁移率器件（HEMT）等产品的质量和成品率。
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公开(公告)号：CN102005370B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201010504222.9
申请日：2010-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种新的制备同质外延衬底的方法，属于制备高效、大功率氮化镓基发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）等光电子学器件技术领域。本发明首先将氮化镓同质自支撑衬底刻蚀分割为若干个独立的部分；在上述分割后的同质自支撑衬底上，用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法进行再次外延，将分立化的衬底横向连接，再次形成完整氮化镓同质自支撑衬底。采用本发明制备出的同质外延衬底可有效的防止形变对光电子学和电子学器件的性能影响，提高同质外延生成LED、LD和高电子迁移率器件（HEMT）等产品的质量和成品率。
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公开(公告)号：CN101582473B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810106414.7
申请日：2008-05-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种调节LED发光波长的方法，是在缓冲层上先生长第一n型欧姆接触层，再沉积一层SiO2薄膜作为掩膜，在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口，然后在生长窗口处继续生长第二n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层。不同形状和尺寸的生长窗口对二次外延器件内部应力的调节可以使同一种生长工艺条件下制备的器件发出不同波段的辐射光。采用这一特殊方法可制备白光LED，即在掩膜的不同区域根据预先设计开设不同形状、尺寸和数量的生长窗口，可从一个器件发出不同波段的辐射光，它们混合后得到白光。该LED器件只需单一芯片即可发出白色光，而且制备简便，电路简单，无需荧光粉，受命长，具有较高光的电转化效率。
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公开(公告)号：CN101604716A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810114597.7
申请日：2008-06-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种深紫外发光二极管(LED)及其制备方法，采用低温GaN插入层取代AlN/AlGaN超晶格或高温GaN插入层来生长深紫外LED，该低温GaN插入层是在温度400－900℃，压力30－200torr，V/III 1500－2500条件下生长的厚度为20－50nm的GaN层。该方法可有效降低外延AlGaN层以及量子阱中的位错密度，提高表面平整度，所制备的LED器件表面光滑，晶体质量良好，开启电压下降，器件的串联电阻较小，电致发光峰值在300－370nm。
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