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公开(公告)号：CN105803522A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610193137.2
申请日：2016-03-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种连续制备大单晶石墨烯的方法，涉及大单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用铜箔作为催化剂及生长基底，利用两个常压化学气相沉积设备将铜箔退火和石墨烯生长分开进行，通过两端的转动装置，连续获得大尺寸高质量的石墨烯。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备的石墨烯单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了连续制备大单晶石墨烯样品。
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公开(公告)号：CN105714382A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610098625.5
申请日：2016-02-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸Cu(100)单晶铜箔的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(100)。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(100)价格昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了Cu(100)单晶铜箔的制备。
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公开(公告)号：CN105603514A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610098623.6
申请日：2016-02-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B1/02 , C30B29/02
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸Cu(111)单晶铜箔和超大尺寸单晶石墨烯的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(111)，然后利用常压化学气相沉积法，以Cu(111)单晶为衬底获得超大尺寸高质量单晶石墨烯。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(111)价格昂贵的问题，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸单晶石墨烯，解决了石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了铜箔单晶和高质量大尺寸的单晶石墨烯样品的制备。
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公开(公告)号：CN111663175A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910171869.5
申请日：2019-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种通过嫁接制备单晶金属的方法，以已有的金属单晶A为子晶，将其放置在需要单晶化的金属B上，通过退火工艺处理，嫁接得到与子晶晶面指数相同的大尺寸单晶金属B。本发明提出的方法，解决了单晶金属难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用小尺寸(0.05～1cm2)的单晶金属制得了大面积(1～700cm2)的单晶金属。
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公开(公告)号：CN109837587B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810493951.5
申请日：2018-05-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种元素辅助快速制备大尺寸单晶二维材料的方法，涉及单晶石墨烯及其它二维材料的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用含特定元素的衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单晶石墨烯及其它二维材料。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备大尺寸单晶二维材料生长周期长的技术问题，通过非常简单的方法，实现了极其快速地制备出高质量大尺寸的单晶石墨烯及其它二维单晶样品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108728813B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201710278012.4
申请日：2017-04-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置，涉及超大单晶薄膜的制备方法。所述方法为将原材料(如金属箔片)或所需耐高温衬底放在耐高温隔离支架中，置于局部高温加热体上，然后利用常压化学或物理气相沉积法，采用局部高温加热，并在非熔融状态下利用高温驱动单个小晶畴或成核位点长大的原理，通过两端的转动装置，直接或在各类耐高温衬底表面快速连续获得高质量超大单晶薄膜。本发明提出的方法，解决了传统方法制备的单晶薄膜能耗高、工艺复杂、设备昂贵，以及所制备单晶薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备高质量超大单晶薄膜样品。
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公开(公告)号：CN110295357A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810233438.2
申请日：2018-03-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置，涉及超大尺寸二维材料薄膜的制备方法。所述方法为将金属箔或其他柔性耐高温衬底与柔性耐高温隔层复卷成大卷，放在支架上，并在材料生长腔中同时整体生长的方法，在金属箔或其他柔性耐高温衬底表面快速宏量制备出尺寸大，易裁剪，易加工，成本低的高质量超大尺寸二维材料薄膜。本发明提出的方法及装置，解决了传统方法制备的二维材料薄膜工艺复杂、设备昂贵，以及所制备二维材料薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低，卷对卷制备方法生长效率较低，且所需设备复杂成本较高，无法满足大规模应用的需要等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速宏量制备高质量超大尺寸二维材料薄膜样品。
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公开(公告)号：CN109837523A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810493954.9
申请日：2018-05-22
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种精确标定石墨烯超快生长速率的装置及方法。本发明的目的在于克服现有技术之不足，将同位素标定法和局部碳源供给法结合起来，并利用脉冲控制电路能够快速准确地标定出石墨烯超快生长的速率，整个过程操作简便，程序可控，探测灵敏度高。
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公开(公告)号：CN105803522B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610193137.2
申请日：2016-03-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种连续制备大单晶石墨烯的方法，涉及大单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用铜箔作为催化剂及生长基底，利用两个常压化学气相沉积设备将铜箔退火和石墨烯生长分开进行，通过两端的转动装置，连续获得大尺寸高质量的石墨烯。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备的石墨烯单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了连续制备大单晶石墨烯样品。
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