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公开(公告)号：CN102881841B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210391045.7
申请日：2012-10-16
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件。在铜箔上利用化学气相淀积方法生长石墨烯薄膜，将所得的铜/石墨烯复合材料应用作半导体光电器件的阳极，例如作为顶发射有机电致发光二极管的阳极，能够简化工艺流程，提高器件的出光效率，增加器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN103001121A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210521474.1
申请日：2012-12-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电泵键合硅基表面等离激元混合光源及其制备方法。本发明的混合光源包括一TM模半导体光增益结构，一基于SOI的SPP波导结构；其中，所述SPP波导结构包括一基于SOI制备的硅波导，以及依次位于所述硅波导上的金属层、介质层；所述SPP硅波导结构的两侧分别依次为空隙区、键合层；以所述TM模半导体光增益结构中最接近光增益区的面作为键合面，所述TM模半导体光增益结构的光增益区与所述SPP波导结构对准后通过所述键合层键合。本发明的混合光源可以应用于大规模集成光互连芯片。与已有的光泵表面等离激元混合光源相比，具有能用电驱动和与硅基芯片相集成的优点。
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公开(公告)号：CN102222774A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010145897.9
申请日：2010-04-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种有机或无机电致发光器件、器件阳极及制备方法，属于有机或无机电致发光器件领域。本发明利用金属及其硅化物层与多晶硅层并联增强电流传导性，提出用纳米厚度多晶硅与金属硅化物复合薄膜作为发光器件阳极，从而克服目前常见的单晶硅阳极对可见光有强的吸收，纳米厚度多晶硅薄膜作阳极时方块电阻太大等问题。本发明纳米厚度多晶硅与金属硅化物复合阳极具有良好的透光性、导电性能好、功函数及空穴注入可调、工艺简单、成本低、稳定性好的特点。该阳极材料不但可应用有机发光二极管显示器等薄膜发光器件领域，进而有可能应用在光探测及光电池器件方面。
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公开(公告)号：CN109473346B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201811485333.2
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向砷化镓材料引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体技术领域。该方法首先将砷化镓材料抛光并清洗，得到砷化镓样品；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部样品台上放置连接射频电源的极板，在极板上放置纯砷化镓片；将杂质源和砷化镓样品放置在纯砷化镓片上，砷化镓样品被杂质源包围，砷化镓样品抛光面朝上；进行电容耦合等离子体处理；最后进行退火处理。本发明在室温下利用CCP向砷化镓材料中引入杂质，杂质种类包括金属和非金属，利用极板上的偏压，使得He+离子破坏了局部砷化镓晶格的周期性。与没有自偏压的等离子体掺杂中的完整砷化镓晶格相比，本发明的方法在较低退火温度和较短退火时间下较易使杂质激活。
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公开(公告)号：CN109473347A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811485406.8
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向硅中引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体掺杂技术领域。该方法首先将硅样品抛光并清洗；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部放置连接射频电源的极板，在极板上放置大硅片；将杂质源和硅样品置于大硅片上，杂质源放置在硅样品周围；进行电容耦合等离子体处理；最后将硅样品进行快速热退火处理，得到掺杂硅样品。本发明的方法能够有效地将杂质激活，等离子体的自偏压能够使氦离子与样品表层晶格发生碰撞，从而局部地破坏硅晶格周期性，而正是由于这一改变，硅样品在快速退火处理中，间隙位的杂质原子在周期性已经被部分破坏的硅中较容易地进入代位位置，从而被有效激活，使空穴浓度上升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109473346A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811485333.2
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向砷化镓材料引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体技术领域。该方法首先将砷化镓材料抛光并清洗，得到砷化镓样品；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部样品台上放置连接射频电源的极板，在极板上放置纯砷化镓片；将杂质源和砷化镓样品放置在纯砷化镓片上，砷化镓样品被杂质源包围，砷化镓样品抛光面朝上；进行电容耦合等离子体处理；最后进行退火处理。本发明在室温下利用CCP向砷化镓材料中引入杂质，杂质种类包括金属和非金属，利用极板上的偏压，使得He+离子破坏了局部砷化镓晶格的周期性。与没有自偏压的等离子体掺杂中的完整砷化镓晶格相比，本发明的方法在较低退火温度和较短退火时间下较易使杂质激活。
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公开(公告)号：CN107611000A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710857667.7
申请日：2017-09-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/32 , H01L21/223
Abstract: 本发明公布了一种等离子体激励的非高温扩散掺杂装置及方法。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板位于可升降支架上的恒温中空盒上；中空盒裸露的表面镀有防沾污层，但与支架通过绝缘层隔开；真空腔室和支架暴露在真空腔室中的表面覆盖双层内衬材料，内层为绝缘层，外层为防沾污层，该防沾污层连接提供正偏压的直流电压源；待掺杂半导体材料或器件置于平行板腔内。本发明装置结构简单、成本低廉，最大限度降低了非掺杂杂质对待掺半导体材料或器件造成的沾污，大大提高了掺杂的纯净度。
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公开(公告)号：CN106328474A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610899050.7
申请日：2016-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/32 , H01L21/223
CPC classification number: H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 本发明公布了一种在室温环境下向氮化镓材料引入杂质的方法，将待掺杂的氮化镓材料或器件和固态杂质源都置于利用射频在惰性气体中产生的等离子体中，使固态杂质源的原子和/或离子进入等离子体，杂质原子和/或离子与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，从而进入到氮化镓材料或器件中。该方法既便捷又经济，其特点是样品表面掺杂浓度较高，可实现超浅深度掺杂，并且可同时引进多种杂质，无刻蚀作用，不仅适用于氮化镓薄膜或晶片的掺杂，还可对部分完成的氮化镓器件进行掺杂。
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公开(公告)号：CN105403536A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510971409.2
申请日：2015-12-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线的液体折射率探针及其探测系统和探测方法。本发明采用纳米线探针测量液体的折射率，不需要复杂的耦合激发装置，同时避免了贵金属的使用，因此可以大幅降低成本；此外，纳米线探针测量过程中避免了激光强光源的使用，不存在淬灭或者闪烁现象，稳定性好；并且对衬底的依赖性不高，柔性和硬质衬底均可以；特别是纳米线探针可以进入生物细胞，探测细胞内生物反应导致的折射率变化；通过纳米线的直径调控散射效率极大峰位的范围在650～900nm之间，这个波段是血液等生物混合液吸收和散射最小的波段，非常适合生物探测；本发明具有测量方法简单、稳定性好、成本低、灵敏度高以及应用广泛等优点。
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公开(公告)号：CN104882377A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510190748.7
申请日：2015-04-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/322
CPC classification number: H01L21/3221
Abstract: 本发明公开了一种吸除硅材料中金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，功率为1～2000W，时间为1～60min，在硅晶片或硅器件表面形成缺陷区的同时将硅中的金属杂质吸至表面。该方法在室温下进行，且不需要伽玛射线等作为吸杂激励源，ICP处理既引入了表面缺陷区，又是吸杂激励源，一步完成吸杂工艺，节约了成本和时间，减少了危险性，可广泛应用于大规模集成电路、太阳能电池、光电探测器等硅器件除杂领域。
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