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公开(公告)号：CN118919535A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410877439.6
申请日：2024-07-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成有源结构；基于第一有源结构，形成堆叠晶体管的第一晶体管，第一晶体管包括第一栅极结构，第一栅极结构采用栅极替代工艺形成；倒片并去除半导体衬底；基于第二有源结构，形成堆叠晶体管的第二晶体管，第二晶体管包括第二栅极结构，第二栅极结构采用栅极替代工艺形成；堆叠晶体管还包括：栅极隔离结构，栅极隔离结构是在第一栅极结构和/或第二栅极结构替代伪栅结构之前，在堆叠晶体管的栅极隔离区域内沉积形成的；栅极隔离结构用于电学隔离堆叠晶体管的栅极结构和与堆叠晶体管在第二方向上相邻的晶体管的栅极结构。
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公开(公告)号：CN118366928A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410449962.9
申请日：2024-04-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的栅极互连方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，栅极互连方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管；对第一晶体管进行倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管；在形成第一晶体管和/或形成第二晶体管之后，在第一区域内形成互连结构，以连接第一晶体管的第一栅极结构与第二晶体管的第二栅极结构，第一区域位于有源结构与堆叠晶体管一侧的边界之间。
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公开(公告)号：CN118073283A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410178555.9
申请日：2024-02-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L23/528 , H01L23/48 , H10B10/00 , H05K1/18
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器及设备，该方法包括：在衬底上形成第一半导体结构；在第一介质层上形成第一耦合金属结构，第一耦合金属结构连接第二栅金属结构和第二源漏金属；倒片并去除衬底；在第一半导体结构上形成浅槽隔离层；在浅槽隔离层上形成第二半导体结构；浅槽隔离层中形成有第二耦合金属结构和第三耦合金属结构；第二耦合金属结构连接第一栅金属结构和第四栅金属结构，第三耦合金属结构连接第二栅金属结构和第三栅金属结构；在第二介质层上形成第四耦合金属结构，第四耦合金属结构连接第四栅金属结构和第四源漏金属。通过本申请，可以提高晶体管的集成密度。
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公开(公告)号：CN119342892A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411306425.5
申请日：2024-09-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成堆叠结构，堆叠结构包括：第一有源结构和第二有源结构；在半导体衬底上形成覆盖堆叠结构的氧化层；形成覆盖氧化层的伪栅结构；伪栅结构包括第一伪栅结构和第二伪栅结构；基于覆盖有氧化层的第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除半导体衬底；基于覆盖有氧化层的第二有源结构，形成第二晶体管；对第一伪栅结构的第一部分进行氧化处理，以在第一栅极结构和第二栅极结构之间形成第一栅极隔离结构；和/或，对第二伪栅结构的第一部分进行氧化处理，以在第一栅极结构和第二栅极结构之间形成第二栅极隔离结构。
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公开(公告)号：CN119342883A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411306997.3
申请日：2024-09-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的栅极互连方法、晶体管、器件及设备。其中，栅极互连方法包括：在衬底上形成包括第一有源结构和第二有源结构的有源结构；基于第一有源结构，形成包括第一栅极结构的第一晶体管；倒片并暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成包括第二栅极结构的第二晶体管；在形成第二晶体管之前，基于第一栅极结构，形成第一绝缘层，并通过材料的选择性刻蚀第一绝缘层和第一栅极结构，形成互连结构；和/或，在形成第二栅极结构之后，基于第二栅极结构，形成第二绝缘层，并通过材料的选择性刻蚀第二绝缘层和第二栅极结构，形成互连结构，互连结构用于连接第一栅极结构与第二栅极结构。本申请可以降低栅极互连对光刻的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119153405A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411137599.3
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L23/528
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：在衬底上形成第一鳍状结构、中间叠层和第二鳍状结构；形成第一电源轨结构；在第一正面源漏区域进行鳍切处理，以形成第一间隙；基于第一间隙，形成第一中间隔离层；刻蚀位于第一正面源漏区域中的第一中间隔离层，以形成第二间隙；基于第二间隙，形成正面金属电连层；形成第一半导体结构；倒片并去除衬底；形成第二电源轨结构；在第一背面源漏区域和第二背面源漏区域进行鳍切处理，以形成第三间隙；基于第三间隙，形成第二中间隔离层；刻蚀位于第二背面源漏区域中的第二中间隔离层，以形成第四间隙；基于第四间隙，形成背面金属电连层；形成第二半导体结构。
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公开(公告)号：CN118116872A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410165216.7
申请日：2024-02-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件，上述方法包括：提供一衬底结构，衬底结构包括：衬底、电源轨、浅沟槽隔离结构和有源结构；其中，浅沟槽隔离结构覆盖电源轨；电源轨包括：第一电源轨和第二电源轨；在衬底结构的栅极区域内沉积第一半导体材料，以形成伪栅结构；通过切除工艺去除位于堆叠晶体管的栅切区域内的伪栅结构；在栅切区域内沉积氮化物材料，以形成第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构；基于有源结构的第一部分和第一栅极隔离结构，形成第一晶体管；基于有源结构的第二部分和第二栅极隔离结构，形成第二晶体管。
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公开(公告)号：CN117936463A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410177704.X
申请日：2024-02-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底结构上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分，第一部分比与第二部分靠近衬底结构；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，第一晶体管包括包裹第一部分的第一栅极结构、以及位于堆叠晶体管的源漏区域内的第一层间介质层；基于有源结构的第二部分，形成第二晶体管，第二晶体管包括包裹第二部分的第二栅极结构、以及位于源漏区域内的第二层间介质层；以第一层间介质层和第二层间介质层作为刻蚀停止层，对第一栅极结构和第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构。
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公开(公告)号：CN117878061A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410177683.1
申请日：2024-02-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底结构上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分，第一部分比与第二部分靠近衬底结构；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，第一晶体管包括包裹第一部分的第一栅极结构以及位于第一栅极结构两侧的第一源漏结构；在第一栅极结构上形成栅极隔离介质层；基于有源结构的第二部分，在栅极隔离介质层上形成第二晶体管的第二栅极结构；其中，第一栅极结构通过栅极隔离介质层与第二栅极结构隔离。
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公开(公告)号：CN118280925B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410434413.4
申请日：2024-04-11
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体器件的制备方法、半导体器件及电子设备，该半导体器件的制备方法包括：在衬底上形成有源结构；形成第一半导体结构；将第一半导体结构与第一载片晶圆键合并翻转；去除衬底，暴露第二有源结构；形成第二半导体结构；将第二半导体结构与第二载片晶圆键合并翻转；去除第一载片晶圆，暴露第一半导体结构；在第一半导体结构中，形成第一栅极结构；在第一源漏结构上形成第一源漏金属；在第一晶体管上形成第一金属互连结构；将第一金属互连结构与第三载片晶圆键合并翻转；去除第二载片晶圆，以暴露第二半导体结构；形成第二金属互连结构。该方法避免了在形成第二源漏结构时的较高工艺温度影响第一栅极结构和第一金属互连结构。
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