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公开(公告)号：CN103884450A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410103121.9
申请日：2014-03-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 本发明涉及集成光电子技术领域，具体为一种光电温度传感器。本发明要解决的技术问题是：降低光电温度传感器对光源的要求从而降低整个温度传感系统的成本。本发明由光源、光学温度传感部分和光电探测部分组成，光学温度传感部分由非对称马赫-曾德干涉仪实现。所述非对称马赫-曾德干涉仪的两臂具有非对称几何结构且两臂的光学相位差在-2π～2π的范围内，其中两臂的非对称几何结构通过选取不同类型的波导，如脊型波导、沟道波导、条形波导等，或者通过选取不同结构参数的同一类型的波导来实施。所述非对称马赫-曾德干涉仪波导为非良导体材料波导或非良导体材料与金属结合的表面等离子体波导，非良导体材料包括介质、有机物等。
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公开(公告)号：CN101710223B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910237301.5
申请日：2009-11-12
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/39
Abstract: 本发明公开了一种光波导放大器的制备方法，所述光波导放大器由铒钇硅酸盐无机化合物制成，所述制备方法包括以下步骤：A.铒钇硅氧溶胶的制备；B.在SiO2/Si基片上制备铒钇硅酸盐无机化合物薄膜；C.刻蚀铒钇硅酸盐无机化合物光波导及其性能的检测。使用本发明方法所制备的光波导放大器与已有的光波导放大器相比，铒离子浓度提高1-2个数量级，尺寸减少1-2个数量级，增益提高1-2个数量级，满足硅基光电子集成器件毫米尺寸10dB以上增益的要求，对于发展下一代光通信集成系统具有重要意义。
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公开(公告)号：CN102253565A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110219567.4
申请日：2011-08-02
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/365
Abstract: 本发明涉及光学调制器技术领域，特别涉及一种光波导调制器。该光波导调制器包括：调制区、波长选择区和连接区；调制区为谐振腔结构，采用物理反应改变光波导的折射率，光波导折射率与其相位变化为非线性关系。波长选择区为闭合的光波导结构，通过干涉方法，对谐振波长进行选择。调制区和波长选择区通过连接区进行两者光信号的传输。本发明提供的光波导调制器，可以通过特殊的耦合结构实现非线性的折射率和耦合系数的变化关系，实现高效耦合调节的同时，减小调制器尺寸。与已有的光波导调制器相比，其调制效率比已有光波导调制器高10倍以上，调制区与波长选择区相分离，减小有源的热效应对工作波长产生的漂移影响。
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公开(公告)号：CN101813834A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910129404.X
申请日：2009-03-18
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明涉及一种双MOS结构硅基电光调制器，该结构由上到下分别为：顶层硅波导层、顶层绝缘栅层、中间层硅波导层、底层绝缘栅层、底层硅波导层、埋氧SiO2层、Si衬底。其中，顶层硅波导层以及底层硅波导层均为N型掺杂硅层，中间层硅波导层为P型掺杂硅层，该P型掺杂硅层中间设置有分光层，将其分为同样厚度的两层，分光层将入射光束分开成两束相同的光传播，该结构还包括设置在N型掺杂硅层的接地电极，以及设置在P型掺杂硅层的金属电极，缘栅层均为SiO2材料制成。本发明的双MOS结构硅基电光调制器调制速度快、效率高、器件尺寸小，可采用不同栅材料、不同尺寸，选择不同的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN101710223A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910237301.5
申请日：2009-11-12
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/39
Abstract: 本发明公开了一种光波导放大器的制备方法，所述光波导放大器由铒钇硅酸盐无机化合物制成，所述制备方法包括以下步骤：A.铒钇硅氧溶胶的制备；B.在SiO2/Si基片上制备铒钇硅酸盐无机化合物薄膜；C.刻蚀铒钇硅酸盐无机化合物光波导及其性能的检测。使用本发明方法所制备的光波导放大器与已有的光波导放大器相比，铒离子浓度提高1-2个数量级，尺寸减少1-2个数量级，增益提高1-2个数量级，满足硅基光电子集成器件毫米尺寸10dB以上增益的要求，对于发展下一代光通信集成系统具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106094107B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201610702762.5
申请日：2016-08-22
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明公开一种偏振分束器，包括：第一输入端口1或第二输入端口2，耦合区5以及第一输出端口3和第二输出端口4；其中，第一输入端口1或第二输入端口2与耦合区5的输入端口连接，第一输出端口3和第二输出端口4与耦合区5的输出端口连接；耦合区5由两个相邻的光波导组成，两个光波导均处于对方波导模式倏逝场范围内；耦合区5中，通过预设数量的光栅结构连接这两个波导，并向这两个波导外侧延伸预设长度，以使横电波TE的耦合长度是横磁波TM耦合长度的一半。本发明的偏振分束器，利用光栅对波导模式等效折射率的调控作用，使得TE的奇对称模和偶对称模之间的等效折射率差是TM的两倍，即TE的耦合长度是TM的一半，从而实现偏振分束。
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公开(公告)号：CN105511120B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610036914.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明涉及一种硅基电光调制器掺杂结构，该掺杂结构包括：硅基电光调制器调制区波导，所述波导沿第一方向依次包括第一重掺杂区、第二轻掺杂区、第三轻掺杂区以及第四重掺杂区；所述第二轻掺杂区与所述第三轻掺杂区形成至少一个纵向倾斜PN结和至少一个横向倾斜PN结，所述纵向垂直于所述横向；所述纵向与所述第一方向之间呈第一夹角，所述第一夹角大于0°且小于90°。本发明可在提高硅基电光调制器的调制效率的同时降低调制能耗，并可使波导核心区的每一个掺杂区均可直接通过侧向波导实现电学连接，保证系统高速调制性能。
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公开(公告)号：CN105093570B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510543438.9
申请日：2015-08-28
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/035
Abstract: 本发明提供一种对温度不敏感的光学滤波器及装置。该滤波器包括：三级耦合器与两级相移器，其中：第一级耦合器的信号输入端作为光学滤波器的信号输入端，信号输出端连接至第一级相移器的信号输入端；第二级耦合器的信号输入端连接至第一级相移器的信号输出端，信号输出端连接至第二级相移器的信号输入端；第三级耦合器的信号输入端连接至第二级相移器的信号输出端，信号输出端作为光学滤波器的信号输出端；第一级相移器与第二级相移器均由至少两种波导结构组合而成；第一级相移器与第二级相移器均包括两条光波导。本发明实施例可以在保持平顶滤波特性的同时大幅降低温度变化引起的光学滤波器工作信道漂移。
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公开(公告)号：CN104362512B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410539108.8
申请日：2014-10-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及光通信技术中发光光源技术领域，尤其涉及一种采用铒镱、铒钇或铒镱钇硅酸盐无机化合物纳米线材料制备低阈值硅基纳米激光器的方法。该制备包括：原料制备；放入煅烧炉，并通入气体；煅烧生长纳米线；制备纳米线酒精溶液，并得到硅基纳米激光器。本文提供一种采用单晶铒镱、铒钇或铒镱钇硅酸盐化合物纳米线作为波导材料，制备硅基纳米激光器的方法。采用本发明提供的制备方法制备的硅基纳米激光器具有较高波导增益，以及较低的泵浦阈值。
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公开(公告)号：CN106990478A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710289491.X
申请日：2017-04-27
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明提供了一种光偏振旋转器，该光偏振旋转器的长度方向上的两端分别为光输入端和光输出端，且所述光偏振旋转器上的光输入端与光输出端之间的部分为偏振旋转区域；所述偏振旋转区域为横截面呈凹字型的凹字型沟道波导。本偏振旋转器可以在0.725μm×6.46μm的超小尺寸下实现偏振旋转。而且此光偏振旋转器对加工工艺要求低，结构中需加工的最小线宽可以≥200nm，因此采用目前已经普及商用的中低端0.18μm微纳加工工艺即可完成批量加工生产，从而具有低成本的特点，在集成光电子领域具有很高的应用价值。
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