公开(公告)号：CN113845083A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111098479.3

申请日：2021-09-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 高程武 ,  张大成 ,  杨芳 ,  程垒健 ,  余润泽 ,  李凤阳 ,  王旭峰 ,  华璇卿 ,  刘鹏

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明公开了一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域。本发明提出具有悬空硅压阻纳米线结构的硅应变膜，压敏电阻分别悬空排布于应变膜边缘与梁凸台之间、中心凸台与梁凸台之间，极大提高了压阻式压力传感器的灵敏度；硅压阻纳米线表面热氧化形成包覆的SiO2层，一方面可以有效减小漏电流的产生，另一方面，热氧化可以压阻的浓度分布更加均匀；SiO2/Si3N4作为KOH腐蚀工艺的掩膜对KOH腐蚀工艺中的K+的阻挡特性较好，加工的器件具有较高的可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中玻璃对压力感应膜起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。