公开(公告)号：CN109300877A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201810980479.8

申请日：2018-08-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘欢 ,  方孺牛 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体衬底中的通孔结构及其制造方法，该结构包括衬底、贯穿衬底的通孔、衬底表面的富电荷层、通孔侧壁、衬底表面以及富电荷层表面的绝缘层；所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有富电荷层，其中含有高浓度的电荷，且富电荷层围绕于通孔的孔口周围。该制造方法的步骤为：以半导体材料作为衬底，在所述衬底的第一表面制作富电荷层；在所述衬底的第一表面制作深孔；在深孔内壁、衬底第一表面以及富电荷层表面上制作绝缘层；向深孔中填充导电材料；减薄所述衬底的第二表面，露出深孔的底部。采用该通孔结构可以实现三维集成系统电学性能的改善和可靠性的提升。

公开(公告)号：CN109326655B

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201810980459.0

申请日：2018-08-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘欢 ,  方孺牛 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L29/94 ,  H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种半导体变容器及其制造方法，该半导体变容器包括具有相对的第一表面和第二表面的衬底、衬底上的深孔、与衬底导电类型相反的第一高掺杂区和相同的第二高掺杂区、衬底的第一表面上的介质层和控制电极；深孔可为盲孔或通孔，填充有绝缘层和导电材料；控制电极位于介质层之上，并且两者的外缘与绝缘层和第一高掺杂区邻接。本发明通过利用两个金属‑氧化物‑半导体结构来实现变容器，使得变容器的可调范围和调制电压可以分别设计优化，具有较好的灵活性且制作工艺简单。

公开(公告)号：CN112216784A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201910627340.X

申请日：2019-07-12

Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 ,  北京大学深圳研究生院

Inventor： 金玉丰 ,  马盛林 ,  赵前程 ,  邱奕翔 ,  刘欢 ,  李宏斌 ,  龚丹

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/113 ,  H01L41/23 ,  H01L41/31 ,  H01L41/333 ,  G01H11/08 ,  G06K9/00

Abstract: 本发明提供一种晶圆级超声波感测装置及其制造方法，所述晶圆级超声波感测装置包括基板组件、超声波元件、第一保护层、第一导电线路、第二导电线路、第二保护层、传导材料、电性连接层及焊接部。基板组件包含第一晶圆及第二晶圆，第二晶圆覆盖第一晶圆上的凹槽而界定出中空腔体。超声波元件与中空腔体的投影叠合。第一保护层围绕超声波元件。第一晶圆、第二晶圆、第一保护层在第一侧表面与第一导电线路共平面，在第二侧表面与第二导电线路共平面。第二保护层具有开口，传导材料在开口内且接触超声波元件。电性连接层设置于第一侧表面及第二侧表面，焊接部连接电性连接层。