-
公开(公告)号：CN116544300A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310303911.0
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供了一种InAs/GaSb II类超晶格红外探测器的制备方法包括：S1、在GaSb衬底上溅射SiO2层；S2、在SiO2层上粘附光刻胶层，并通过掩膜板对光刻胶层进行曝光；S3、对曝光后的光刻胶层进行图案化处理；S4、对SiO2层进行蚀刻，并去除光刻胶层；S5、在SiO2层的间隙内生长InAs/GaSb II类超晶格台；S6、蚀刻去除SiO2层；S7、在InAs/GaSb II类超晶格台的台面及侧壁制备金属电极。本发明针对传统的衬底外延后再进行刻蚀的方法提出改进，提出先对衬底进行刻蚀图形化，再进行外延生长，极大地避免了外延部分化学键的断裂，有效抑制了传统II类超晶格红外探测器存在的较大的表面暗电流。
-
公开(公告)号：CN116002758A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211323670.8
申请日：2023-02-09
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: C01G41/02 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种二维掺铵六角相氧化钨的制备方法，包括：将5mL过氧化氢缓慢的加入到装有0.96g钨粉的20mL玻璃小瓶中，制备过氧钨酸溶液，其中，过氧化氢的质量分数为：30wt％，所述玻璃小瓶置于冰水混合物中；将溶解在10mL去离子水中的六亚甲基四胺缓慢加入到制备的过氧钨酸溶液中，并在磁力搅拌器中搅拌30分钟，得到混合溶液；将混合溶液转移到的不锈钢高压釜中的特氟龙内胆内，在200℃下水热反应24小时；高压釜自然冷却至室温，将得到的样品用去离子水洗涤、离心并在自然环境中干燥。本发明一步式水热法制备二维掺铵六角相氧化钨(h‑(NH4)xWOy)，获得高离子掺杂浓度的二维掺杂六角相氧化钨材料，简化实现方式。
-
公开(公告)号：CN115753681A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211308300.7
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种毛细管微反应器的回音壁谐振结构，包括：毛细管微反应器，内部形成微管腔；输入光纤和输出光纤，其中，所述输入光纤包括第一段结构和第二段结构，所述第一段结构的直径小于所述第二段结构的直径，所述第一段结构的端面形成第一微型端面；所述输出光纤包括第三段结构和第四段结构，所述第三段结构的直径小于所述第四段结构的直径，所述第三段结构的端面形成第二微型端面；所述第一微型端面、所述第二微型端面与所述毛细管微反应器外壁接触耦合，激发回音壁谐振。本发明采用微型端面将光波耦入腔体结构，实现光纤中传导的光波直接耦入腔体结构内，在抗体固载检测时回音壁谐振腔结构具有较高的的灵敏度和鲁棒性。
-
公开(公告)号：CN115679442A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211300817.1
申请日：2022-10-24
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种分子束外延的超快激光辅助系统，所述系统包括：超快激光器，以及光路系统，其中，所述光路系统包括第一反射镜、飞秒/皮秒反射镜、第二反射镜，所述超快激光器发出的光，依次经所述第一反射镜、所述飞秒/皮秒反射镜和所述第二反射镜反射，至少形成一路超快激光汇聚至硅基衬底，对硅基衬底加热调控。本发明将飞秒/皮秒超快激光系统与分子束外延系统结合，通过超快激光光路与分子束外延系统的集成，达到对外延过程中界面位错和反向畴的产生、运动与湮灭的调控，为实现高性能硅基异质集成三五半导体材料与器件提供全新的技术手段。
-
公开(公告)号：CN115642480A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211323671.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种具有新型能带结构的量子级联激光器，包括：InP衬底，以及在所述InP衬底上制备的注入区和有源区，在有源区浅阱嵌套深势阱，在注入区高势垒嵌套高势垒，显著降低载流子向连续态的泄露，提高了增益，有利于实现大功率输出。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115632077A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211328965.4
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/0336 , H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于碲化物的双色红外探测器所述双色红外探测器包括：p型Si衬底，在所述p型Si衬底上堆叠的n型MoTe2层，以及在所述n型MoTe2层上堆叠的p型二维Te层；所述p型Si衬底、所述n型MoTe2层和所述p型二维Te层，形成背靠背堆叠的p‑n‑p结。本发明通过两个方向的内置电场，将两个波段的光生载流子分离检测，实现双色信号有效分离，减少光和电串扰，达到超低串扰的目的。
-
公开(公告)号：CN116002758B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211323670.8
申请日：2023-02-09
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/18 , C01G41/02
Abstract: 本发明提供了一种二维掺铵六角相氧化钨的制备方法，包括：将5mL过氧化氢缓慢的加入到装有0.96g钨粉的20mL玻璃小瓶中，制备过氧钨酸溶液，其中，过氧化氢的质量分数为：30wt％，所述玻璃小瓶置于冰水混合物中；将溶解在10mL去离子水中的六亚甲基四胺缓慢加入到制备的过氧钨酸溶液中，并在磁力搅拌器中搅拌30分钟，得到混合溶液；将混合溶液转移到的不锈钢高压釜中的特氟龙内胆内，在200℃下水热反应24小时；高压釜自然冷却至室温，将得到的样品用去离子水洗涤、离心并在自然环境中干燥。本发明一步式水热法制备二维掺铵六角相氧化钨(h‑(NH4)xWOy)，获得高离子掺杂浓度的二维掺杂六角相氧化钨材料，简化实现方式。
-
公开(公告)号：CN115641494B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211315084.9
申请日：2022-10-26
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G06V10/82 , G06V30/19 , G06N3/0464
Abstract: 本发明提供了一种基于微环调制器的神经网络图像处理系统，包括：阵列的多个激光器，以及多个全通型微环，每个激光器连接的每个全通型微环的输入端，其中，通过对每个所述全通型微环施加恒定电压，使输出的光强值与待处理图像的像素值成正比；每个全通型微环的输出端通过波分复用器连接至分插复用型微环的输入端，分插复用微环的输出端连接至平衡探测器，将分插复用微环输出的光信号转换成电信号并进行乘法运算，其中，通过对分插复用微环施加恒定电压，使分插复用微环的输入信号的光强值与输出信号的光强值成对应比值，比值为卷积核的参数值；平衡探测器连接至跨阻放大器。本发明极大的提高了图像处理过程中的运算速度。
-
公开(公告)号：CN116565055A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310309844.3
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/107 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种双色红外雪崩光电探测器，包括：衬底，在衬底上依次外延生长的长波通道接触层、长波通道倍增层、长波通道电荷层、长波通道渐变层、长波通道吸收层和中长波通道接触层；在中长波通道接触层上依次外延生长的中波通道吸收层、中波通道渐变层、中波通道电荷层、中波通道倍增层和中波通道接触层；中波通道接触层上制备第一电极，中长波通道接触层上制备第二电极，长波通道接触层上制备第三电极。本发明采用两个PN结构造，每个PN结对应一个吸收波段，并采用合理的吸收区材料使得对应波段性能达到最佳，实现中波和长波的高灵敏低噪声的探测。
-
公开(公告)号：CN115910750A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211306994.0
申请日：2022-10-24
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种基于GaAs衬底生长GaSb单晶薄膜的制备方法，所述制备方法包括如下方法步骤：在半绝缘掺杂Si的GaAs衬底上生长的GaAs缓冲层；在所述GaAs缓冲层上生长GaSb低温缓冲层；在所述GaSb低温缓冲层上生长GaSb外延层；其中，所述GaSb低温缓冲层的生长厚度为10‑12nm，生长温度为300‑310℃。本发明通过在较低温度下生长较薄的GaSb低温缓冲层后，采用高温生长GaSb单晶薄膜，优化衬底生长温度、束流比、薄膜厚度的手段，采用低温高温相结合生长GaSb的方式，解决由于外延层和衬底存在较大的晶格失配导致表面相对粗糙且形成“V”形凹坑的难点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.056 seconds)
