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公开(公告)号：CN116430503A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310309418.X
申请日：2023-03-28
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种用于偏振导航的亚波长金属偏振器，包括：二氧化硅衬底；以及在所述二氧化硅衬底制备的铝金属线栅阵列，其中，所述铝金属线栅阵列包括阵列排布的多个铝金属栅条，相邻的所述铝金属栅条之间的间距小于入射波长。本发明工作波段在可见光区域，具有高透过率及消光比的偏振特性，能够用于偏振导航，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116002758A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211323670.8
申请日：2023-02-09
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: C01G41/02 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种二维掺铵六角相氧化钨的制备方法，包括：将5mL过氧化氢缓慢的加入到装有0.96g钨粉的20mL玻璃小瓶中，制备过氧钨酸溶液，其中，过氧化氢的质量分数为：30wt％，所述玻璃小瓶置于冰水混合物中；将溶解在10mL去离子水中的六亚甲基四胺缓慢加入到制备的过氧钨酸溶液中，并在磁力搅拌器中搅拌30分钟，得到混合溶液；将混合溶液转移到的不锈钢高压釜中的特氟龙内胆内，在200℃下水热反应24小时；高压釜自然冷却至室温，将得到的样品用去离子水洗涤、离心并在自然环境中干燥。本发明一步式水热法制备二维掺铵六角相氧化钨(h‑(NH4)xWOy)，获得高离子掺杂浓度的二维掺杂六角相氧化钨材料，简化实现方式。
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公开(公告)号：CN115755271A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211330958.8
申请日：2022-10-28
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G02B6/12 , G02B6/125 , G02B6/136 , G02B6/293 , G02F1/00 , G02F1/01 , G02F1/015 , G02F1/025 , G02F1/035 , G02F7/00
Abstract: 本发明提供了一种VO2混合硅基Fano共振的调制器，所述调制器包括：绝缘体上硅基层，以及在所述绝缘体上硅基层上形成的微环谐振器结构，其中，所述微环谐振器结构包括T型波导和环形波导，所述环形波导与所述T型波导的耦合间隙为0.2um，所述环形波导上铺相变材料VO2。本发明采用混合Fano共振应用到在微环上来加速神经元运算速度降低神经元功耗，通过设计T型波导和环形波导耦合的微环谐振器结构，实现产生Fano共振，并通过在环形波导的硅基上混合合二氧化钒(VO2)，实现快速调制。
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公开(公告)号：CN115679442A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211300817.1
申请日：2022-10-24
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种分子束外延的超快激光辅助系统，所述系统包括：超快激光器，以及光路系统，其中，所述光路系统包括第一反射镜、飞秒/皮秒反射镜、第二反射镜，所述超快激光器发出的光，依次经所述第一反射镜、所述飞秒/皮秒反射镜和所述第二反射镜反射，至少形成一路超快激光汇聚至硅基衬底，对硅基衬底加热调控。本发明将飞秒/皮秒超快激光系统与分子束外延系统结合，通过超快激光光路与分子束外延系统的集成，达到对外延过程中界面位错和反向畴的产生、运动与湮灭的调控，为实现高性能硅基异质集成三五半导体材料与器件提供全新的技术手段。
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公开(公告)号：CN115642480A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211323671.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种具有新型能带结构的量子级联激光器，包括：InP衬底，以及在所述InP衬底上制备的注入区和有源区，在有源区浅阱嵌套深势阱，在注入区高势垒嵌套高势垒，显著降低载流子向连续态的泄露，提高了增益，有利于实现大功率输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115632077A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211328965.4
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/0336 , H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于碲化物的双色红外探测器所述双色红外探测器包括：p型Si衬底，在所述p型Si衬底上堆叠的n型MoTe2层，以及在所述n型MoTe2层上堆叠的p型二维Te层；所述p型Si衬底、所述n型MoTe2层和所述p型二维Te层，形成背靠背堆叠的p‑n‑p结。本发明通过两个方向的内置电场，将两个波段的光生载流子分离检测，实现双色信号有效分离，减少光和电串扰，达到超低串扰的目的。
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公开(公告)号：CN105716535B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610147739.4
申请日：2016-03-15
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供了一种用于测试薄试件应变的传感器组桥方式，所述组桥方式包括如下步骤：a)制作基片式光纤FBG应变传感器，将FBG光纤黏贴在基片的基片槽内制成第一片基片式光纤FBG应变传感器；b)重复步骤a)制作第二片基片式光纤FBG应变传感器；c)对薄试件上下表面进行打磨和清洗；d)将步骤a)所述的第一片基片式光纤FBG应变传感器和步骤b)所述的第二片基片式光纤FBG应变传感器黏贴在步骤c)所述的薄试件上下表面；e)将步骤d)中所述的第一片基片式光纤FBG应变传感器和第二片基片式光纤FBG应变传感器表面用环氧树脂胶进行涂层，并在常温下固化24h。本发明上下表面对称设置传感器可以平衡薄试件的局部变形，对现场测量薄试件应变具有重要意义。
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公开(公告)号：CN106644156A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610962348.8
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01K11/32
CPC classification number: G01K11/3206
Abstract: 本发明公开了一种应用于真空环境温度测量的光纤光栅温度传感器，包括封装盒体和光纤光栅，所述的封装盒体包括底座和上盖，所述的底座设有卡槽和凹槽，所述的上盖设有与底座匹配的卡槽和凸台，所述的光纤光栅置于底座卡槽内，所述的光纤光栅首末两端套有保护管，所述光纤光栅中间部分通过导热硅脂/导热硅胶与铝箔固定。该光纤光栅温度传感器封装形式简单，密闭性良好，能够在恶劣环境中工作同时温度测量精度高。
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公开(公告)号：CN119179837B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411257983.7
申请日：2024-09-09
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G06F17/16 , G06N3/067 , G06N3/0464 , G02B6/293
Abstract: 本发明涉及光子计算网络技术领域，尤其涉及一种基于单色散介质实现不同阶数矩阵运算的系统，所述系统包括：顺次连接的多波长光源、调制处理单元、微环阵列单元、单色散介质单元和采集处理单元，利用单色散介质单元对各个加权调制光信号进行延时处理，且通过控制每个加权调制光信号的延时时长，使得在对各个延时加权调制光信号在同一时域上的光信号强度进行求和处理后便可以获得第二矩阵对第一矩阵执行卷积计算的计算结果，大大提高了矩阵乘法运算的计算效率，同时引入单色散介质取代传统光学延时线，有利于减小光计算集成系统的尺寸，并降低成本。
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公开(公告)号：CN118676239B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411147335.6
申请日：2024-08-21
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。
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