一种全荧光白光有机发光层及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118695639A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202310277530.X

    申请日:2023-03-21

    Abstract: 本发明公开了一种全荧光白光有机发光层及其制备方法,并应用于基于热激活延迟荧光材料的全荧光白色有机发光二极管(WOLEDs)。所述的发光层由红光发光层和蓝光发光层,或红光发光层与黄光发光层与蓝光发光层组合而成;所述红光发光层由黄光热激活延迟荧光材料和红光荧光客体共同掺杂在蓝光热激活延迟荧光材料中构成;所述黄光层为黄光热激活延迟荧光材料掺杂在蓝光热激活延迟荧光材料中构成;所述蓝光发光层为无掺杂的蓝光热激活延迟荧光材料。本发明构建三发光层的同时引入无掺杂蓝光发光层,通过多个敏化过程拓宽激子分布区域并减少激子损耗,制备出高外量子效率,低滚降,高光谱稳定性的基于热激活延迟荧光材料的WOLEDs。

    一种叠层电致发光器件及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118301964A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202410388588.6

    申请日:2024-04-01

    Abstract: 本发明提供了一种叠层电致发光器件及其制备方法和应用,所述叠层电致发光器件包括依次层叠设置的玻璃衬底、红光量子点发光层、互联层、绿光磷光发光层和阴极。本发明在红光量子点发光层和绿光磷光发光层之间设置一层互联层,制备一种混合串联的LED器件,所述叠层电致发光器件同时表现出高效率和饱和的颜色发射。

    一种InAs/GaSb II类超晶格红外探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN116544300A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310303911.0

    申请日:2023-03-27

    Abstract: 本发明提供了一种InAs/GaSb II类超晶格红外探测器的制备方法包括:S1、在GaSb衬底上溅射SiO2层;S2、在SiO2层上粘附光刻胶层,并通过掩膜板对光刻胶层进行曝光;S3、对曝光后的光刻胶层进行图案化处理;S4、对SiO2层进行蚀刻,并去除光刻胶层;S5、在SiO2层的间隙内生长InAs/GaSb II类超晶格台;S6、蚀刻去除SiO2层;S7、在InAs/GaSb II类超晶格台的台面及侧壁制备金属电极。本发明针对传统的衬底外延后再进行刻蚀的方法提出改进,提出先对衬底进行刻蚀图形化,再进行外延生长,极大地避免了外延部分化学键的断裂,有效抑制了传统II类超晶格红外探测器存在的较大的表面暗电流。

    一种二维掺铵六角相氧化钨的制备方法

    公开(公告)号:CN116002758A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211323670.8

    申请日:2023-02-09

    Abstract: 本发明提供了一种二维掺铵六角相氧化钨的制备方法,包括:将5mL过氧化氢缓慢的加入到装有0.96g钨粉的20mL玻璃小瓶中,制备过氧钨酸溶液,其中,过氧化氢的质量分数为:30wt%,所述玻璃小瓶置于冰水混合物中;将溶解在10mL去离子水中的六亚甲基四胺缓慢加入到制备的过氧钨酸溶液中,并在磁力搅拌器中搅拌30分钟,得到混合溶液;将混合溶液转移到的不锈钢高压釜中的特氟龙内胆内,在200℃下水热反应24小时;高压釜自然冷却至室温,将得到的样品用去离子水洗涤、离心并在自然环境中干燥。本发明一步式水热法制备二维掺铵六角相氧化钨(h‑(NH4)xWOy),获得高离子掺杂浓度的二维掺杂六角相氧化钨材料,简化实现方式。

    一种分子束外延的超快激光辅助系统及分子束外延方法

    公开(公告)号:CN115679442A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211300817.1

    申请日:2022-10-24

    Abstract: 本发明提供了一种分子束外延的超快激光辅助系统,所述系统包括:超快激光器,以及光路系统,其中,所述光路系统包括第一反射镜、飞秒/皮秒反射镜、第二反射镜,所述超快激光器发出的光,依次经所述第一反射镜、所述飞秒/皮秒反射镜和所述第二反射镜反射,至少形成一路超快激光汇聚至硅基衬底,对硅基衬底加热调控。本发明将飞秒/皮秒超快激光系统与分子束外延系统结合,通过超快激光光路与分子束外延系统的集成,达到对外延过程中界面位错和反向畴的产生、运动与湮灭的调控,为实现高性能硅基异质集成三五半导体材料与器件提供全新的技术手段。

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