公开(公告)号：CN119517629A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202510065605.7

申请日：2025-01-16

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 徐智慧 ,  郝月 ,  李学磊 ,  阿如罕 ,  刘景顺 ,  刘育 ,  李青文

IPC: H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明属于超级电容器领域，具体涉及一种具有Se空位的复合纳米阵列材料、电极、超级电容器及其制备方法。本发明通过在泡沫铜(CF)基底上直接制备CuO纳米棒；将CuO作为工作电极，Hg/HgO为参比电极，铂片为对电极，Ni(NO3)2·6H2O、Co(NO3)2·6H2O和SeO2混合溶液作为电解液，在电化学工作站上通过循环伏安法在CuO表面沉积NiCo‑Se，合成CuO@NiCo‑Se纳米阵列；将CuO@NiCo‑Se材料浸泡在KBH4溶液中以产生Se空位，得到高性能VSe‑CuO@NiCo‑Se电极材料。本发明通过形貌和成分的协同调控，显著提高了复合材料的比容量和稳定性，储能性能和循环性能优异为超级电容器提供了一种优越的复合电极材料，且制备方法的原料来源广泛，价格低廉，制备效率高，具有广阔的应用前景。