公开(公告)号：CN111868902B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201980018026.X

申请日：2019-02-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久保埜一平 ,  木村明浩

IPC: H01L21/66 ,  C30B29/06 ,  G01N21/62

Abstract: 本发明提供一种氧浓度评价方法，其通过PL法或CL法评价单晶硅中的氧浓度，该方法中，对单晶硅照射规定照射量的电子束或除碳和氧以外的离子束，于规定温度下测量C线的强度与G线的强度，求出该C线与该G线的强度比(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)，将强度比(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)及单晶硅中的碳浓度[Cs]代入下列的算式而评价氧浓度[Oi]：[Oi]＝α·(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)·[Cs]，其中，α为比例常数。由此提供以高灵敏度评价单晶硅中的氧浓度的方法。

公开(公告)号：CN118215987A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202280074478.1

申请日：2022-10-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  久保埜一平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明为一种氮化物半导体基板，其为高频用氮化物半导体基板，其特征在于，包含在单晶硅基板上隔着氧化硅层形成有单晶硅薄膜的SOI基板、和形成于该SOI基板上且包含GaN层的氮化物半导体层，所述单晶硅薄膜包含浓度为2.0×1014个原子/cm3以上的氮，且电阻率为100Ωcm以上，所述单晶硅基板的电阻率为50mΩcm以下，所述氧化硅层的厚度为10～400nm。由此，能够提供一种在用以制造高频用装置的SOI基板上生长有氮化物半导体层的氮化物半导体基板，其塑性变形得以抑制。

公开(公告)号：CN116848296A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280012925.0

申请日：2022-01-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久保埜一平 ,  萩本和德 ,  篠宫胜

IPC: C30B25/18

Abstract: 本发明为一种氮化物半导体基板，其在成膜用基板上成膜有包含Ga的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板在由多个层结合而成的复合基板上形成有单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，从作为所述氮化物半导体薄膜的生长面的所述单晶硅层的端部起朝向内侧具有未成膜有包含Ga的所述氮化物半导体薄膜的区域。由此，提供抑制了反应痕迹的产生的氮化物半导体基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN116802350A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280012933.5

申请日：2022-01-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久保埜一平 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德 ,  篠宫胜

IPC: C30B25/18

Abstract: 本发明为一种氮化物半导体基板，其在成膜用基板上成膜有包含Ga的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板在支撑基板上隔着绝缘层形成有单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，从作为所述氮化物半导体薄膜的生长面的所述单晶硅层的端部起朝向内侧具有未成膜有包含Ga的所述氮化物半导体薄膜的区域。由此，提供抑制了反应痕迹的产生的氮化物半导体基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN111868902A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980018026.X

申请日：2019-02-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久保埜一平 ,  木村明浩

IPC: H01L21/66 ,  C30B29/06 ,  G01N21/62

Abstract: 本发明提供一种氧浓度评价方法，其通过PL法或CL法评价单晶硅中的氧浓度，该方法中，对单晶硅照射规定照射量的电子束或除碳和氧以外的离子束，于规定温度下测量C线的强度与G线的强度，求出该C线与该G线的强度比(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)，将强度比(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)及单晶硅中的碳浓度[Cs]代入下列的算式而评价氧浓度[Oi]：[Oi]＝α·(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)·[Cs]，其中，α为比例常数。由此提供以高灵敏度评价单晶硅中的氧浓度的方法。