公开(公告)号：CN108693705A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810275395.4

申请日：2018-03-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 长井洋子 ,  渡边武 ,  郡大佑 ,  荻原勤

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/11 ,  C07C39/14 ,  C07C39/15 ,  C07C49/83 ,  C07C2603/18 ,  C08F220/28 ,  C08F220/32 ,  C08F2220/283 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料，其含有：(A1)包含下述通式(1)表示的重复单元中的一种或两种以上的聚合物(1A)；(A2)式量为2,000以下的、不具有3,4‑二羟基苯基的多酚化合物中的一种或两种以上；以及(B)有机溶剂。[化学式1]

公开(公告)号：CN109388021B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN201810863232.8

申请日：2018-08-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 橘诚一郎 ,  长井洋子 ,  郡大佑 ,  荻原勤

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明提供一种可形成有机膜的有机膜形成用组合物，该有机膜能够通过使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地与已因干蚀刻而改性的硅成分残渣一并湿式去除。所述有机膜形成用组合物包含高分子化合物与有机溶剂，该高分子化合物具有由下述通式(1)～(4)表示的重复单元中的任意1种以上，在该有机溶剂中，选自丙二醇酯、酮及内酯中的1种以上的合计占超过全部有机溶剂中的30wt％的量。[化学式1]

公开(公告)号：CN108693713B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201810275797.4

申请日：2018-03-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 佐藤裕典 ,  长井洋子 ,  渡边武 ,  郡大佑 ,  荻原勤

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料、使用了该抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料，其含有：(A1)下述通式(X)表示的化合物中的一种或两种以上；以及，(B)有机溶剂。[化学式1]式中，n01表示1～10的整数，n01为2时，W表示亚硫酰基、磺酰基、醚基、或碳原子数为2～50的二价有机基团，n01为2以外的整数时，W表示碳原子数为2～50的n01价有机基团。此外，Y表示单键或碳原子数为1～10的可包含氧原子的二价连接基团。

公开(公告)号：CN108693705B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201810275395.4

申请日：2018-03-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 长井洋子 ,  渡边武 ,  郡大佑 ,  荻原勤

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料，其含有：(A1)包含下述通式(1)表示的重复单元中的一种或两种以上的聚合物(1A)；(A2)式量为2,000以下的、不具有3,4‑二羟基苯基的多酚化合物中的一种或两种以上；以及(B)有机溶剂。[化学式1]