公开(公告)号：CN1815361A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200610001086.5

申请日：2006-01-16

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  木名濑良纪 ,  冈崎智 ,  森田元彦 ,  佐贺匡

IPC: G03F1/00

CPC classification number: G03F1/54 ,  G03F1/32 ,  Y10T428/31616

Abstract: 半透明叠层膜12具有第1半透明膜13和第2半透明膜14的叠层结构，对上述半透明膜的膜厚d、对曝光光的折射率n及消光系数k进行设计，使其一为相位超前膜，另一为相位滞后膜。使相位超前膜的膜厚(nm)为d(+)、折射率为n(+)、消光系数为k(+)，使相位滞后膜的膜厚为d(－)、折射率为n(－)、消光系数为k(－)时，进行设计，使相位超前膜为k(－)＞a1·n(－)+b1，使相位滞后膜为k(－)＜a2·n(－)+b2。系数a及b为a1＝0.113·d(+)+0.774，b1＝－0.116·d(+)－0.281，a2＝0.113·d(－)+0.774，b2＝－0.116·d(－)－0.281。

公开(公告)号：CN101950125A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010274835.8

申请日：2010-06-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 五十岚慎一 ,  稻月判臣 ,  金子英雄 ,  吉川博树 ,  木名濑良纪

IPC: G03F1/08 ,  G03F1/14 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。

公开(公告)号：CN101968605B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201010270048.6

申请日：2010-05-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 五十岚慎一 ,  稻月判臣 ,  金子英雄 ,  吉川博树 ,  木名濑良纪

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/80

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/14 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。

公开(公告)号：CN101968605A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201010270048.6

申请日：2010-05-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 五十岚慎一 ,  稻月判臣 ,  金子英雄 ,  吉川博树 ,  木名濑良纪

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/14 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。

公开(公告)号：CN101950125B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201010274835.8

申请日：2010-06-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 五十岚慎一 ,  稻月判臣 ,  金子英雄 ,  吉川博树 ,  木名濑良纪

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/80

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。