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公开(公告)号：CN114545733B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111402884.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物中的一种或二种以上；及(B)有机溶剂。#imgabs0#式中，W为碳数2～50的n价有机基团，X为下列通式(2)及(3)表示的末端基团结构，令下列通式(2)、(3)的结构的比例为a、b时，满足0.70≤a≤0.99、0.01≤b≤0.30的关系。n为1～10的整数。#imgabs1#Z为碳数6～20的(k+1)价芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。#imgabs2#L为单键或‑(CH2)r‑。l为2或3，r为1～5的整数。
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公开(公告)号：CN117215155A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310673371.5
申请日：2023-06-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，在半导体装置制造步骤的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化处理中，即使在具有宽广的沟渠结构等特别难平坦化的部分的被加工基板上，仍能形成平坦性、成膜性优异的抗蚀剂下层膜且进一步给予具有适当蚀刻特性的抗蚀剂下层膜，并提供使用了前述材料的图案形成方法及抗蚀剂下层膜形成方法。一种抗蚀剂下层膜材料，其特征为包含(A)含有苯酚性羟基的化合物或树脂、(B)碱产生剂、及(C)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN111208710B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201911139299.8
申请日：2019-11-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法。本发明提供用于形成能够保持着上层抗蚀剂的LWR而贡献于感度提升的抗蚀剂下层膜的热固性含硅材料、含有该材料的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该组合物的图案形成方法。一种热固性含硅材料，其特征在于含有下列通式(Sx‑1)所示的重复单元、下列通式(Sx‑2)所示的重复单元、及下列通式(Sx‑3)所示的部分结构中的任一个以上。[化学式1]式中，R1为含有碘的有机基团。R2、R3分别独立地和R1相同、或为氢原子或碳数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN111458980B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010072206.0
申请日：2020-01-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明目的为提供在利用以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中可改善LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。解决方法为一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物，至少含有：下述通式(P‑0)表示的化合物的1种或2种以上，及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]在此，R100表示经1个或2个以上的氟原子取代的2价有机基团，R101及R102分别独立地表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的1价烃基。R103表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。又，R101和R102、或R101和R103也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环。L104表示单键或碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。
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公开(公告)号：CN111855581A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010334210.X
申请日：2020-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及测定硬化催化剂的扩散距离的方法。本发明课题为提供测定硬化催化剂从含硅膜往形成在含硅膜上的抗蚀剂上层膜扩散距离的方法。解决该课题手段为测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法，包括下列步骤：由含有热硬化性含硅材料、硬化催化剂及溶剂(a)的组成物形成含硅膜(Sf)；将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、酸产生剂及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于含硅膜上，然后予以加热，制得形成含硅膜及树脂膜的基板；对基板照射高能射线或电子束使酸产生，将基板进行热处理并通过树脂膜中酸的作用来提高树脂于碱显影液的溶解度；用碱显影液将树脂膜溶解；测定残留的树脂的膜厚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113050373B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202011564357.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/11 , C07D307/88 , C07D493/10 , C07D311/82 , C07D233/74 , C07D239/62 , C07D251/30 , C07D487/04 , C07C69/736
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明提供用以形成兼顾高程度的填埋特性/高程度的平坦化特性/和基板间的优良的密合力的有机膜的有机膜材料。提供含有下列通式(1)表示的化合物及有机溶剂的有机膜形成材料。#imgabs0#该通式(1)中，X为碳数2～50的n1价的有机基团，n1表示2～10的整数，R1为下式(2)～(4)中的至少一者以上；#imgabs1#该通式(3)中，l1表示0或1；#imgabs2#该通式(4)中，l2表示0或1。
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公开(公告)号：CN118625600A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410255910.8
申请日：2024-03-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。课题是提供具有与抗蚀剂上层膜的高密合性，具有抑制微细图案的崩塌效果且同时能形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料、图案形成方法、及该密合膜的形成方法。解决手段是一种密合膜形成材料，是形成于抗蚀剂上层膜的正下方的密合膜的密合膜形成材料，含有(A)具有含酸解离性基团的结构单元及至少2种的下述通式(1)表示的结构单元的树脂、及(C)有机溶剂，进一步地，更含有(B)光酸产生剂、或该(A)树脂具有借由光而产生酸的结构单元、或者具有两者。下述通式(1)中，R1是氢原子或甲基，R2选自下式(1‑1)～(1‑3)中的基团，虚线表示原子键。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN112987495B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202011454750.8
申请日：2020-12-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/11 , C07D303/30 , C07D405/14 , C07D209/48 , C07D403/14 , C07D487/04 , C07C53/126 , C07C65/28
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明的目的在于提供为了形成兼具高程度的填埋特性/高程度的平坦化特性/和基板间的优良密合力的有机膜的有机膜材料。本发明提供包含下列通式(1)表示的化合物及有机溶剂的有机膜形成材料。#imgabs0#上述通式(1)中，X为碳数2～50的n1价的有机基团，n1表示1～10的整数，R1为下列通式(2)～(4)中的至少一者以上；#imgabs1#
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公开(公告)号：CN115586699A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210791887.5
申请日：2022-07-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、使用其的密合膜的形成方法、及使用了密合膜形成材料的图案形成方法。本发明的问题为提供一种在利用半导体装置制造步骤中的多层抗蚀剂法所为的微细图案化制程中，供予具有和抗蚀剂上层膜的高密合性，且具有抑制微细图案崩塌的效果同时可形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料、使用了该材料的图案形成方法、及该密合膜的形成方法。该问题的解决手段为一种密合膜形成材料，是形成于含硅的中间膜和抗蚀剂上层膜之间的密合膜的密合膜形成材料，其特征在于含有：(A)具有下述通式(1)表示的结构单元的树脂，(B)含有一种以上的下述通式(2)表示的化合物的交联剂，(C)光酸产生剂，及(D)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN114545733A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111402884.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物中的一种或二种以上；及(B)有机溶剂。式中，W为碳数2～50的n价有机基团，X为下列通式(2)及(3)表示的末端基团结构，令下列通式(2)、(3)的结构的比例为a、b时，满足0.70≤a≤0.99、0.01≤b≤0.30的关系。n为1～10的整数。Z为碳数6～20的(k+1)价芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。L为单键或‑(CH2)r‑。l为2或3，r为1～5的整数。
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